化學外延法

化學外延保持了DSA（定向自組裝）固有的優點，同時，相比於製圖外延，可以有效避免光刻模版溝槽的限制，有利於提高解析度。為了得到解析度更高的圖形，Ӽ足夠大，分子量足夠小是必需的，但是，當Ӽ過大時，各嵌段之間的表面能差異太大，難以得到大範圍的有序圖形。通過調節表面能的大小可以更精確的控制材料和基底界面的性質，包括溫濕性，粘附性，從而控制聚合物在薄膜中自組裝的取向。

如圖，將羥基封端的聚苯乙烯（PS-OH）薄膜（5nm）接枝到基底的表面，通過電子束光刻膠光刻成像以及氧等離子刻蝕處理，光刻膠掩模去除，得到表面具有不同化學性質的前圖形模版，經氧等離子刻蝕進行表面處理的部分改變了基底表面的親疏性，對PS嵌段有優先潤濕性，當PS-b-PMMA薄膜在化學製圖的模版表面時，由於各嵌段與基底表面不同的界面能，每個嵌段潤濕不同的部分，經熱退火實現自組裝，最後通過氧等離子刻蝕將自組裝圖形的PMMA部分去除得到PS線條圖形。