在完成對稱型嵌段共聚物薄膜的自組裝工藝開發後,需要對自組裝圖形進行誘導使其形成長程有序的圖案。具體實現方法是先在中性化襯底上製作出尺寸相對較大的誘導結構,再將旋塗嵌段共聚物進誘導結構中,進行熱退火使其沿著誘導結構形成有序分相,最終獲得所需要的平行納米線陣列圖形。
基本介紹
- 中文名:化學襯底外延法
- 外文名:Chemoepitaxy
在完成對稱型嵌段共聚物薄膜的自組裝工藝開發後,需要對自組裝圖形進行誘導使其形成長程有序的圖案。具體實現方法是先在中性化襯底上製作出尺寸相對較大的誘導結構,再將旋塗嵌段共聚物進誘導結構中,進行熱退火使其沿著誘導結構形成有序分相,最終獲得所需要的平行納米線陣列圖形。
化學襯底外延法編輯 鎖定 在完成對稱型嵌段共聚物薄膜的自組裝工藝開發後,需要對自組裝圖形進行誘導使其形成長程有序的圖案。具體實現方法是先在中性化襯底上製作出...
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評價襯底材料要綜合考慮襯底與外延膜的晶格匹配、襯底與外延膜的熱膨脹係數匹配、襯底與外延膜的化學穩定性匹配、材料製備的難易程度及成本的高低的因素。InN的外延...
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GGG襯底,即釓鎵石榴石襯底,絕大部分磁泡存儲器都是在GGG襯底上製備的。這些襯底不僅是載體,而且是磁性存儲層外延生長的晶核。...
外延生長的薄膜材料和襯底材料不同,或者說生長化學組分、甚至是物理結構和襯底完全不同的外延層,相應的工藝就叫做異質外延;這類工藝複雜、成本較低 這種方法在晶體...
減壓外延是指在低於一個大氣壓下進行化學氣相外延的方法。主要用於矽外延。...... 低於一個大氣壓下進行化學氣相外延的方法...根據襯底與外延層的摻雜種類與濃度,器...
外延有同質外延和異質外延之分,可以採用隔離性能優良的絕緣材料作外延襯底。外延...化學化工大辭典 詞條標籤: 生活 V百科往期回顧 詞條統計 瀏覽次數:次 編輯次數...
LED外延片是一塊加熱至適當溫度的襯底基片,材料是半導體照明產業技術發展的基石。不同的襯底材料,需要不同的LED外延片生長技術、晶片加工技術和器件封裝技術,襯底...
以致使溶滴中的Si過飽和,過量的Si在單晶矽襯底上結晶,上述連續過程即可形成Si的晶體稜柱將液滴托在上面,生長出細絲狀晶須,套用於製備晶片、晶體塊材、外延膜等 [...
特別在半導體材料的生產方面,化學氣相沉積的外延生長顯示出與其他外延方法(如分子束外延、液相外延)無與倫比的優越性,即使在化學性質完全不同的襯底上,利用化學氣相...
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化學氣相沉積時反應器壁被冷卻,而外延襯底被加熱,外延生長在單晶襯底上進行,而不會發生在反應器壁上的單晶薄層製備方法。 套用學科 材料科學技術(一級學科),半導體...