在完成對稱型嵌段共聚物薄膜的自組裝工藝開發後，需要對自組裝圖形進行誘導使其形成長程有序的圖案。圖形結構外延法是國際上嵌段共聚物的誘導主要方法之一。
基本介紹
- 中文名：圖形結構外延法
- 外文名：Graphoepitaxy
具體實現方法是先在中性化襯底上製作出尺寸相對較大的誘導結構，再將旋塗嵌段共聚物進誘導結構中，進行熱退火使其沿著誘導結構形成有序分相，最終獲得所需要的平行納米線陣列圖形。國際上嵌段共聚物的誘導方法主要有“圖形結構外延法”和“化學襯底外延法”兩種。其中，圖形結構外延法的原理是在中性化襯底上利用抗高溫光刻膠製作出大尺寸的溝槽結構，將嵌段共聚物薄膜旋塗於溝槽中進行熱退火分相，使其沿著溝槽側壁進行定向自組裝，實現納米結構的長程有序化，原理示意圖如圖1所示。以PS-b-PMMA為例，該方法是從 PS 和PMMA嵌段的側面進行誘導， 故又稱為側壁誘導法，誘導結構一般選用抗高溫的光刻膠 進行製作，因為這些光刻膠會對其中一種嵌段有更強親和性，故會形成如圖1中所示的平行於側壁而垂直於襯底的自組裝結構。
圖1. 圖形結構外延法原理示意圖
