減壓外延

減壓外延是指在低於一個大氣壓下進行化學氣相外延的方法。主要用於矽外延。

基本介紹

• 中文名：減壓外延
• 外文名：reduced pressure epitaxy
• 學科：材料工程
• 領域：工程技術

簡介

減壓外延是指在低於一個大氣壓下進行化學氣相外延的方法。

適用範圍

主要用於矽外延。

優點

此法可減少自摻雜效應、縮小過渡層厚度、改善外延層的厚度與電阻率的均勻性、減輕或排除埋層圖形的漂移。

使用要求

根據襯底與外延層的摻雜種類與濃度，器件的要求，使用的壓力一般在(1.3-26)×10⁷Pa範圍內。對設備有較高的要求，反應室與常壓基本相同，使用高頻或輻射加熱，氣路系統及相應的自動化系統以保持相應的壓力，需排氣量更大的真空系統。

套用

減壓外延已用於超大規模積體電路用外延片的生產，並用於選擇外延等特殊工藝。