即趨勢外推法,它根據慣性原理,預測發展過程的未來趨勢。一般地說,外延法不注重預測者的價值觀念和目標,也不注重預測者在未來事件中能夠起的作用和應該採取的決策。...
直線外延法是統計學中用於根據現有數據預測未來數據走向的方法。... 除了直線外延法之外還根據原有數據隨時間推移所展現出來的特性而使用拋物線外延法和指數外延法...
化學外延主要是對固體基底表面進行化學修飾,使基底表面的化學性質呈有序圖形化,從而對嵌段共聚物各個嵌段的自組裝起化學誘導的作用。...
熔融外延法是液相外延法的一種,是從材料的熔融狀態中進行外延生長的方法。1963年由Nelson等人提出。其原理是:以低熔點的金屬(如Ga、In等)為溶劑,以待生長材料(...
在完成對稱型嵌段共聚物薄膜的自組裝工藝開發後,需要對自組裝圖形進行誘導使其形成長程有序的圖案。圖形結構外延法是國際上嵌段共聚物的誘導主要方法之一。...
目前國際上嵌段共聚物的誘導方法主要有“圖形結構外延法”和“化學襯底外延法”兩種。其中,化學襯底外延法是在中性層中採用一定手段製作出非中性的區域,例如圖1中的...
外延語義分析法(extensional method of semantic analysis)指的是柯日布斯基關於從外延角度給抽象名詞找出 所指者的方法。他繼承英國瑞恰茲關於“找出所指者”的...
中文名稱 遷移增強外延法 英文名稱 migration enhanced epitaxy 定義 根據低溫下原子比分子更容易在晶體表面上遷移的特性而發展起來的一項分子層外延的衍生技術。 ...
砷化鎵的外延生長按工藝可分為氣相和液相外延,所得外延層在純度和晶體完整性方面均優於體單晶材料。通用的汽相外延工藝為Ga/AsCl3/H2法,這種方法的變通工藝有Ga/...
外延生長在半導體材料研製方面套用很廣,磁泡材料的發展也套用了外延方法。氣相外延 材料在氣相狀況下沉積在單晶基片上,這種生長單晶薄膜的方法叫氣相外延法,氣相外延...
分子束外延(MBE)技術由於其在原子尺度上精 確控制外延膜厚、摻雜和界面平整度的特點,明顯優 於液相外延法和氣相外延生長法,更有利於生長高質 量DMS薄膜。...
在了解溶脫剝離法(lift-off)圖形轉移之前,首先需要了解適合於溶脫剝離法的薄膜沉積技術。沉積薄膜的方法很多,包括物理與化學氣相方法、分子束外延方法、旋轉塗覆或...