| 中文名稱 | 遷移增強外延法 |
| 英文名稱 | migration enhanced epitaxy |
| 定 義 | 根據低溫下原子比分子更容易在晶體表面上遷移的特性而發展起來的一項分子層外延的衍生技術。 |
| 套用學科 | 材料科學技術（一級學科），半導體材料（二級學科），半導體材料製備（三級學科） |
| 中文名稱 | 遷移增強外延法 |
| 英文名稱 | migration enhanced epitaxy |
| 定 義 | 根據低溫下原子比分子更容易在晶體表面上遷移的特性而發展起來的一項分子層外延的衍生技術。 |
| 套用學科 | 材料科學技術（一級學科），半導體材料（二級學科），半導體材料製備（三級學科） |
中文名稱 遷移增強外延法 英文名稱 migration enhanced epitaxy 定義 根據低溫下原子比分子更容易在晶體表面上遷移的特性而發展起來的一項分子層外延的衍生技術。
中文名稱 遷移增強外延 英文名稱 migration enhanced epitaxy,MEE 定義 在Ⅲ-Ⅴ族化合物薄膜材料的分子束外延生長過程中,使Ⅲ族金屬原子束流與Ⅴ族原子(分子)束...
隨著MBE技術的發展,出現了遷移增強外延技術(MEE)和氣源分子束外延(GS-MEE)技術。MEE技術自1986年問世以來有了較大的發展。它是改進型的MBE。在砷化鎵的MBE過程中...