遷移增強外延是2011年公布的材料科學技術名詞。
| 中文名稱 | 遷移增強外延 |
| 英文名稱 | migration enhanced epitaxy，MEE |
| 定 義 | 在Ⅲ-Ⅴ族化合物薄膜材料的分子束外延生長過程中，使Ⅲ族金屬原子束流與Ⅴ族原子(分子)束流在較低的溫度下交替噴射到生長晶體表面，獲得原子級平整度薄膜晶體外延生長的技術。 |
| 套用學科 | 材料科學技術（一級學科），半導體材料（二級學科），半導體材料製備（三級學科） |
基本介紹
- 中文名：遷移增強外延
- 外文名：migration enhanced epitaxy，MEE
- 所屬學科：材料科學技術
- 公布年度：2011年
定義,出處,
定義
在Ⅲ-Ⅴ族化合物薄膜材料的分子束外延生長過程中，使Ⅲ族金屬原子束流與Ⅴ族原子(分子)束流在較低的溫度下交替噴射到生長晶體表面，獲得原子級平整度薄膜晶體外延生長的技術。
出處
《材料科學技術名詞》。
