特性 外延生長工藝epitaxy growth technology利用晶體界面上的二維結構相似性成核的原理,在一塊單晶片上,沿著其原來的結晶軸方一向再生長一層晶格完整、且可以具有不...
外延生長是指在單晶襯底(基片)上生長一層有一定要求的、與襯底晶向相同的單晶層,猶如原來的晶體向外延伸了一段。外延生長技術發展於50年代末60年代初。當時,為了...
外延為器件設計者在最佳化器件性能方面提供了很大的靈活性,例如可以控制外延層摻雜厚度、濃度、輪廊,而這些因素是與矽片襯底無關的。這種控制可以通過外延生長過程中的...
矽及鍺矽外延工藝在現代積體電路製造中套用十分廣泛,概括起來主要包括: 1.矽襯體外延:矽片製造中為了提高矽片的品質通常在矽片上外延一層純淨度更高的本徵矽,或者...
矽外延生長其意義是在具有一定晶向的矽單晶襯底上生長一層具有和襯底相同晶向的電阻率與厚度不同的晶格結構完整性好的晶體。半導體分立元器件和積體電路製造工藝需要...
外延是半導體工藝當中的一種。在bipolar工藝中,矽片最底層是P型襯底矽(有的加點埋層);然後在襯底上生長一層單晶矽,這層單晶矽稱為外延層;再後來在外延層上注入...
氣相外延法是指一種晶體浮生在另一種晶體上的方法,浮生晶體與襯底晶體間存在著結構相似的晶體學低指數。面晶體是在結構匹配的界面上生長,稱為配向浮生。...
外延生長法 又名取向附生,指兩個晶體表面連生,形成有取向的生長界面。一般說,...CZ法生長的具體工藝過程包括裝料與熔料、熔接、細頸、放肩、轉肩、等徑生長...
這樣的工藝過程稱為液相外延。這方法的優點是操作簡單,生長溫度較低,速率也較快,但在生長過程中很難控制雜質濃度的梯度等。半導體材料砷化鎵的外延層,磁泡材料...
LED外延片是一塊加熱至適當溫度的襯底基片,材料是半導體照明產業技術發展的基石。不同的襯底材料,需要不同的LED外延片生長技術、晶片加工技術和器件封裝技術,襯底...
ALP技術已經被用於沉積外延生長和非外延生長膜。沉積外延生長膜的工藝稱之為原子層外延生長(ALE),而沉積非外延生長膜的技術傳統上稱為原子層沉積(ALD)。ALP的蒸氣...
減壓外延已用於超大規模積體電路用外延片的生產,並用於選擇外延等特殊工藝 [3] 。參考資料 1. 王震, 田達晰, 張世波,等. 一種準減壓外延生長方法:, CN...
GaAs epitaxial wafer,在特定晶向[(100)或(100)偏向最近<110>2 ~5 的晶面]砷化鎵襯底上外延生長的單晶薄層材料外延工藝有LPE、VPE、MOCVD、MBE、CBE、ALE等。...
7 製版工藝技術 7.1 製版工藝過程 7.2 超微粒乾版製備的化學原理 7.3 鉻版製備技術 7.4 氧化鐵版製備的化學原理 參考文獻 8 外延生長技術 8.1 矽外延技...
外延生長技術MBE、MOCVD為GaN晶體生長帶來了飛躍的進步。 利用MBE技術成功地解決了Ⅲ-Ⅴ族氮化物的薄膜生長及摻雜工藝,解決了MBE生 長GaN薄層的關鍵問題氮氣源。提供...