砷化鎵外延片

GaAs epitaxial wafer,在特定晶向[(100)或(100)偏向最近<110>2 ~5 的晶面]砷化鎵襯底上外延生長的單晶薄層材料外延工藝有LPE、VPE、MOCVD、MBE、CBE、ALE等。

基本介紹

  • 中文名:砷化鎵外延片
  • 外文名:GaAs epitaxial wafer
  • 取決於:工業選擇取決於器件結構等因素
  • 實質:外延片
工業選擇取決於器件結構等因素,一般LPE、VPE多用於商品化器件,如光探測器霍爾器件等。MBE、CBE、ALE多用於量子阱超晶格材料。MOCVD兩方面兼而有之。

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