| 中文名稱 | 冷壁外延 |
| 英文名稱 | cool wall epitaxy |
| 定 義 | 化學氣相沉積時反應器壁被冷卻，而外延襯底被加熱，外延生長在單晶襯底上進行，而不會發生在反應器壁上的單晶薄層製備方法。 |
| 套用學科 | 材料科學技術（一級學科），半導體材料（二級學科），半導體材料製備（三級學科） |
| 中文名稱 | 冷壁外延 |
| 英文名稱 | cool wall epitaxy |
| 定 義 | 化學氣相沉積時反應器壁被冷卻，而外延襯底被加熱，外延生長在單晶襯底上進行，而不會發生在反應器壁上的單晶薄層製備方法。 |
| 套用學科 | 材料科學技術（一級學科），半導體材料（二級學科），半導體材料製備（三級學科） |