謝常青,男,1971年出生,廣西浦北縣人,中國科學院微電子研究所納米加工與新器件集成實驗室研究員,碩士生導師,《微細加工技術》編委。同名的還有五邑大學副教授。
基本介紹
- 中文名:謝常青
- 國籍:中國
- 出生地:廣西浦北縣
- 職業:研究員
人物經歷,研究方向,主要貢獻,著作,專利,論文,獲獎記錄,
人物經歷
中國科學院微電子研究所納米加工與新器件集成實驗室研究員。
《微細加工技術》編委。
1993年畢業於中國科學技術大學,大學畢業後在中國科學院微電子研究所工作,歷任工程師、高級工程師、副研究員、研究員。
1993年起即從事深亞微米光學光刻和下一代光刻技術的研究開發工作,具有多年豐富的深亞微米、納米光刻經驗和堅實的理論研究基礎。
已經指導畢業碩士研究生多名,博士研究生多名,2019年指導在讀博士研究生6名。
研究方向
(1)先進的納米光刻技術研究(包括深紫外雷射直寫、電子束光刻、X射線光刻、193nm光學光刻等);
(2)納米尺度深紫外光學元件的設計、製造、檢測及套用研究。
納米加工與新器件集成實驗室是國內最早開展亞微米微細加工技術的研究室,在深亞微米微細加工技術方面一直保持著國內領先的地位和自主創新的特色,同時在科研成果的套用開發與轉化方面也進行了卓有成效的工作。
近年來主持研究成功十多種5000線/mm、7000線/mm衍射光學元件並獲得成功套用。
主要貢獻
承擔過包括“863”、“973”、國家科技攻關在內的10多項科研項目,曾為國內50多家科研單位、公司提供過微納加工技術服務。
以第一作者發表論文32篇,在國內學術會議上發表論文9篇,合作發表論文50多篇。
正在進行的研究項目:
(1) 納米尺度X射線光學元件設計、製作及套用,2007-2012,973項目子課題;
(2)低應力自支撐SiC薄膜生長的10000C高真空電漿沉積設備,2007-2009,中國科學院重大科研裝備研製項目;
(3)所長基金等其它項目3項。
著作
合作完成論著《微細加工技術》一本(化學工業出版社,2004年),
專利
以第一申請人申請國家發明專利8項,合作申請專利5項。
論文
光子篩的超分辨聚焦特性研究,《光電工程》2009年 第3期
電子束光刻在納米加工及器件製備中的套用,《微納電子技術》2008年 第12期
電子束光刻製備5000 line/mm光柵掩模關鍵技術研究,《微細加工技術》2008年 第4期
HSQ用於電子束曝光的性能分析,《微細加工技術》2008年 第4期
基於角譜法的振幅型光子篩的設計和分析,《光子學報》2008年 第9期
偏柵Al_xGa_(1-x)N/GaN HEMT的二維模擬與特性分析,《固體電子學研究與進展》2007年 第2期
高線密度X射線透射光柵的製作工藝,《半導體學報》2007年 第12期
納米電子器件及其集成,《半導體學報》2006年 第z1期
側牆鉻衰減型新結構移相掩模的套用,《半導體學報》2006年 第z1期
Micro Zone Plates with High Aspect Ratio Fabricated by E-Beam and X-ray Lithography,Journal of Microlithography, Microfabrication, and Microsystem. Vol. 5, 013002 (2006)
單電子電晶體的數值模擬及特性分析,《固體電子學研究與進展》2006年 第3期
電子束和X射線光刻製作高解析度微波帶片,《半導體學報》2006年 第6期
DBRTD直流特性的水動力學模擬,《電子器件》2006年 第2期
AlGaN/GaN HEMT二維靜態模型與模擬,《半導體學報》2006年 第2期
微納加工技術在微納電子器件領域的套用,《物理》2006年 第1期
熱壓印光刻技術複製波帶片圖形研究,《微細加工技術》2005年 第3期
室溫下高峰谷電流比、高峰電流密度的雙勢壘共振隧穿二極體,《半導體學報》2005年 第10期
納米加工和納米電子器件,《微納電子技術》2005年 第9期
193nm光刻散射條技術研究,《微電子學》2005年 第4期
金屬結單電子電晶體的模型建立及實驗驗證,半導體學報》2005年 第7期
電子束製作高解析度波帶片圖形數據研究,《微細加工技術》2005年 第2期
納米壓印光刻模版製作技術,《電子工業專用設備》2005年 第2期
X射線光刻對準系統圖像增強技術和對準標記研究,《電子工業專用設備》2005年 第2期
一種提取電子束光刻中電子散射參數的新方法, 《半導體學報》2005年 第3期
50nm X射線光刻掩模製備關鍵技術,《核技術》2004年 第2期
Analysis of nanometer isolated trench diffract aerial image of both conventional and second generation synchrotron-based proximity x-ray lithography,Proceeding of SPIE ,2004, Vol 5645 , 299-306
基於薄膜結構的MEMS技術研究,《電子工業專用設備》2004年 第1期
深亞微米X射線光刻模擬軟體XLSS1.0,《微細加工技術》2004年 第4期
X射線光刻技術套用現狀與前景,《核技術》2004年 第12期
用於X射線光刻對準的圖像邊緣增強技術,《光學精密工程》2004年 第4期
X射線光刻對準邊緣增強技術及性能研究,《微細加工技術》2004年 第2期
50nm及50nm以下同步輻射X射線光刻光束線設計,《核技術》2004年 第5期
用三層膠工藝X射線光刻製作T型柵,《半導體學報》2004年 第3期
套用於PHEMT器件的深亞微米T形柵光刻技術,《微納電子技術》2002年 第7期
同步輻射X射線光刻製作深亞微米T形柵,《微納電子技術》2002年 第6期
全新深亞微米X射線T型柵工藝,《北京同步輻射裝置年報》2001年 第1期
深亞微米同步輻射x射線光刻模擬,《半導體情報》2001年 第6期
極端遠紫外光刻技術,《半導體情報》2001年 第5期
下一代光學掩模製造技術,《微電子技術》2000年 第6期
深亞微米同步輻射x射線光刻技術,《半導體情報》2000年 第6期
深亞微米光學光刻工藝技術,《電子工業專用設備》2000年 第3期
深亞微米光學光刻設備製造技術,《電子工業專用設備》2000年 第2期
上海第三代同步輻射裝置及其在光刻和LIGA中的套用,《半導體技術》2000年 第1期
0.5μm解析度同步輻射X射線光刻技術,《微細加工技術》1999年 第3期
X射線光刻技術研究的現狀,《微細加工技術》1999年 第3期
上海第三代同步輻射裝置及其在微電子,微機械中的套用,《科技導報(北京)》1999年 第6期
193nm光學掩模與x射線掩模技術比較,《半導體情報》1999年 第2期
面向21世紀的世界積體電路工業,《引進與諮詢》1998年 第1期
193nm與x射線光刻技術比較,《半導體技術》1998年 第4期
面向21世紀的世界積體電路工業,《科技導報(北京)》1997年 第5期
同步輻射X射線光刻計算機模擬研究,《微細加工技術》1997年 第3期
同步輻射X射線光刻實驗研究,《微細加工技術》1997年 第3期9
獲獎記錄
在2003年和2006年分別獲得北京市科學技術進步一等獎。