《角度限制散射投影電子束光刻的蒙特卡洛模擬》是依託中國科學技術大學，由孫霞擔任項目負責人的青年科學基金項目。
基本介紹
- 中文名：角度限制散射投影電子束光刻的蒙特卡洛模擬
- 項目類別：青年科學基金項目
- 項目負責人：孫霞
- 依託單位：中國科學技術大學
- 批准號：60306006
- 申請代碼：F0404
- 負責人職稱：副教授
- 研究期限：2004-01-01 至 2006-12-31
- 支持經費：25（萬元）
中文摘要
用蒙特卡洛方法模擬角度限制投影電子束光刻。模擬主要包括四部分：(1)模擬電子穿越由散射層和膜層組成的多層掩膜時的散射過程；(2)電子經過光學系統到達抗蝕劑，模擬這些電子在抗蝕劑和襯底中的散射過程，得到沉積電子的能量分布E(r,z)；(3)模擬經過顯影過程後得到的抗蝕劑的輪廓；(4)模擬校正掩膜圖形畸變和電子在抗蝕劑中的背散射引起的鄰近效應所需要的校正劑量或對掩膜作的修正。.角度限制投影電子束光刻技術不受衍射的限制，解析度高，能套用到特徵尺寸為100nm以下的積體電路製造中，有望成為將來的主流光刻技術之一。這種技術的研究對半導體工業的進步有極為重要的意義，而用蒙特卡洛方法模擬光刻過程可以比實驗節約大量時間和經費。
