步進投影光刻機是一種用於信息科學與系統科學、物理學、工程與技術科學基礎學科、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年5月22日啟用。
基本介紹
- 中文名:步進投影光刻機
- 產地:日本
- 學科領域:信息科學與系統科學、物理學、工程與技術科學基礎學科、材料科學
- 啟用日期:2015年5月22日
- 所屬類別:工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備 > 半導體積體電路工藝實驗設備
步進投影光刻機是一種用於信息科學與系統科學、物理學、工程與技術科學基礎學科、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年5月22日啟用。
步進投影光刻機是一種用於信息科學與系統科學、物理學、工程與技術科學基礎學科、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年5月22日啟用。技術指標解析度: 0.35um;套刻精度≦ 40nm;波長:i-Line (365nm)...
圖1 步進-掃描式光刻機曝光方式示意圖 圖1是投影式光刻機的工作成像原理。曝光掃描結束後,曝光系統步進式移動到下一個位置。圖1(c)是步進和掃描運動的示意圖。為了儘量減少晶圓等待曝光時間,步進移動一般是按照一個蛇形路徑進行的...
步進光刻機是把投影掩模版上的圖形與塗膠矽片進行對準,而後從一點到另一點逐場曝光。在光學光刻中,步進光刻機有三個基本目標,所有這些目標都必須滿足用戶精度和重複性的規範:(1)使矽片表面和石英掩模版對準並聚焦(包括圖形);...
3c.掃描步進投影光刻(Scanning-Stepping Project Printing或稱作Scanner)90年代末至今,在高端的半導體製造中一般會用到此種機型,用於≤0.18 μm工藝。在曝光過程中,掩膜版在一個方向上移動,同時晶圓在與其垂直的方向上同步移動。特點...
(概述圖為《一種步進光刻設備及光刻曝光方法》摘要附圖)專利背景 光刻設備是一種將掩模圖案曝光成像到矽片上的設備。已知的光刻設備包括步進重複式和步進掃描式。2011年之前的技術中所公開的使用縮減倍率投影物鏡的步進光刻機中,該投影...
投影式曝光分類:掃描投影曝光(Scanning Project Printing)。70年代末~80年代初,〉1μm工藝;掩膜板1:1,全尺寸;步進重複投影曝光(Stepping-repeating Project Printing或稱作Stepper)。80年代末~90年代,0.35μm(I line)~0....
《一種投影物鏡系統》涉及用於製作半導體晶片或其他微器件的步進式光刻機中的投影物鏡系統。從物面至像面依次排有:一具有正光焦度的第一透鏡組;一光焦度為負的第二透鏡組;一光焦度為正的第三透鏡組;一光焦度為負的第四透鏡組...
(3)掃描步進投影曝光(Scanning-Stepping Project Printing)。90年代末~至今,用於≤0.18μm工藝。採用6英寸的掩膜板按照4:1的比例曝光,曝光區域(Exposure Field)26×33mm。優點:增大了每次曝光的視場;提供矽片表面不平整的補償...
光刻機的曝光頭(exposure head)必須特殊設計,以保證:(1)水隨著光刻機在晶圓表面做步進-掃描運動,沒有泄露;(2)水中沒有氣泡和顆粒。在193nm波長下,水的折射率是1.44,可以實現NA大於1。圖1是浸沒式光刻機曝光頭設計示意...
1、水隨著光刻機在晶圓表面做步進-掃描運動,沒有泄露;2、水中沒有氣泡和顆粒。在193nm波長下,水的折射率是1.44,可以實現NA大於1。圖3 是浸沒式光刻機曝光頭的示意圖。去離子水經過進一步去雜質、去氣泡(degassing)、恆溫之後...
該發明申請人在2003年申請的發明專利“步進投影光刻機雙台輪換曝光超精密定位矽片系統”(專利申請號:ZL03156436.4),公開了一種帶雙側直線導軌的雙矽片台交換結構,該矽片台雙台交換系統在工作空間上不存在重疊,因此不需採用碰撞預防...
作為分步重複精縮機和投影光刻機(步進機)投影鏡頭的物方的掩模母版稱之為中間掩模版。中間掩模是由原圖經過多次縮小照相或者由光學圖形發生器直接在感光板上曝光製作的掩模母版,圖形尺寸大於或等於最終矽片上所需要的圖形尺寸,其尺寸由...
1. 劉世元, 裴辛哲, 周暢, 陳勇輝. 步進掃描光刻機連續掃描同步控制方法和系統. 專利號: ZL200410066384.3。2. 劉世元, 陳勇輝, 池峰, 周暢, 韋學志. 步進掃描投影光刻機同步匯流排控制器及同步控制系統. 申請號: 200510023858.0。...
( 13 ) 步進掃描投影光刻機的照明系統, 發明, 2015, 第 1 作者, 專利號: ZL201310270245.1 ( 14 ) 相位延遲量分布和快軸方位角分布實時測量裝置和方法, 發明, 2015, 第 1 作者, 專利號: ZL201210199435.4 ( 15 ) ...
十五期間完成了國家863重大專項“100nm步進投影光刻機研製”中的關鍵技術“100nm移相掩模分系統技術設計”,同時為該重大項目提供了成套測試掩模。開展了X射線、EUV和SCALPEL掩模模板方面的探索工作。負責制定了七項微光刻技術的國家標準,...
作為項目負責人完成中國科學院知識創新工程重要方向項目“偏振光導航定位技術研究”,主要指標已通過華東國家計量測試中心現場檢測;作為主要完成人參加國家863重大專項“100nm步進掃描投影光刻機調焦調平測控分系統的研究”、中科院國防預研項目...
為了區別接觸式曝光中使用的掩模,投影式曝光中使用的掩模又被稱為倍縮式掩模(reticle)。表1對這兩種掩模的不同之處做了對比。大型積體電路光刻工藝中使用的都是步進-掃描式光刻機(scanner),以及與之相配套的倍縮式掩模。在日常...
任務、863“基於DMD的步進投影數字光刻系統”研製任務、自然科學基金“納米光柵掩模提高分辨力的原理和方法研究”;主持了西部之光“精密步進式無掩模數字曝光裝置”、“攜帶型生物晶片檢測系統”、“紫外固化原位光刻機”、“紫外深度曝光...
(2)本實驗室承擔了100nm光刻機、RFID電子標籤封裝設備等多個國家級重大專項課題的研究工作,研究成果在100nmArF準分子雷射步進掃描投影光刻機得到成功套用,並研製出我國第一台RFID電子標籤封裝裝備。(3)本實驗室提出了一整套雷射切割...
確定矽片上圖形的位置、方向和變形,並利用這些數據與掩模版上的圖形建立起正確關係的過程稱為對準。對準過程開始於投影掩模版與步進光刻機或步進掃描光刻機機身上固定的參照標記的正確對準。一旦投影掩模版和曝光設備的主體,那么承片台...
732光刻膠 733正性光刻和負性光刻的 優缺點 74光刻設備簡介 741接觸式光刻機 742接近式光刻機 743掃描投影光刻機 744分步重複光刻機 745步進掃描光刻機 75光刻工藝機簡介及操作流程 751URE2000/25光刻機 簡介 752光刻機操作流程...
[8]步進掃描投影光刻機同步機制研究.中國機械工程,2009 [9]基於DSP和FPGA提高增量式光電編碼器精度的研究.機械與電子,2012 [10]微線段插補的高精度算法研究.組合工具機與自動化加工技術,2010 [11]工具機數控技術之插補原理的教學方法探討...
曝光單元尺寸 指的是投影光刻機在矽片上單次曝光單元的尺寸。通常是指積體電路晶片單元的有效圖形尺寸,它有可能被設計成小於或者大於分步重複步進的尺寸,光闌尺寸需要大於曝光單元尺寸。