基本介紹
- 中文名:曝光單元尺寸
- 外文名:shot size
指的是投影光刻機在矽片上單次曝光單元的尺寸。通常是指積體電路晶片單元的有效圖形尺寸,它有可能被設計成小於或者大於分步重複步進的尺寸,光闌尺寸需要大於曝光單元尺寸1。...
單元尺寸 單元尺寸(cell size)是1993年公布的電子學名詞。公布時間 1993年,經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處 《電子學名詞》第一版。
它可分為掃描曝光和投影曝光兩大類,其中掃描曝光系統是電子束在工件面上掃描直接產生圖形,解析度高,生產率低。投影曝光系統實為電子束圖形複印系統,它將掩模圖形產生的電子像按原尺寸或縮小後複印到工件上,因此不僅保持了高解析度,...
全球最小的SRAM晶片單元是由俄勒崗州Hillsboro的300毫米開發工廠(D1C)製造的存儲晶片單元,尺寸僅為1平方微米。這些單元是存儲晶片的基本模組,它們是使用英特爾下一代0.09微米(90納米)工藝製造的全功能SRAM設備的一部分。研發公司 英特爾...
格網單元尺寸 格網單元尺寸(cell size)是2012年公布的地理信息系統名詞,出自《地理信息系統名詞》第二版。定義 格網單元的大小。出處 《地理信息系統名詞》第二版。
先進步進-掃描式光刻機所能支持的最大曝光區域面積是26mm*33mm;步進式光刻機的曝光區域只有22mm*22mm。然後,實際晶片可能小於這個尺寸,光刻機的曝光區域必須能夠隨之調整。也可以把幾個不同的版圖放在同一張掩模板上,這樣一個曝光...
提高光刻機的套準精度,也是決定最小單元尺寸的關鍵。套準誤差產生的原因有很多種形式,其中包括平移、旋轉、擴張等各種形式,而不同的誤差形式都會對曝光位置的偏移量造成不同的影響。本文將從光刻機的雷射干涉儀的調整和控制,來研究...