雙極型掩模

傳統的掩模由透光區域和阻光區域組成，透光區域具有相同的厚度，光通過透光區域後具有相同的相位。由於該掩模的透光率只有0和1兩種情況，因此這種掩模又稱為雙極型掩模（binary mask）。

基本介紹

• 中文名：雙極型掩模
• 外文名：binary mask
• 所屬學科：電子科學與技術

鉻雙極型掩模是最早出現、也是使用最多的一類掩模，被廣泛套用於365~193 nm的光刻工藝中。近年來，為了降低掩模三維效應提出的不透明的MoSi掩模（opaque MoSi on glass, OMOG）也屬於雙極型掩模，OMOG被廣泛套用於32 nm 及以下技術節點關鍵光刻層的掩模生產中。

雙極型掩模的結構及其在矽片上得到的電場及強度分布如圖1所示：

圖1 雙極型掩模

從圖1可以看出，由於透過雙極型掩模中相鄰透光區域的光線具有相同的相位，二者在阻光區域對應的像面位置處會發生相長干涉，降低了成像結果的對比度。