掃描電子顯微鏡能譜分析儀器是一種用於化學領域的分析儀器,於2014年6月16日啟用。
基本介紹
- 中文名:掃描電子顯微鏡能譜分析儀器
- 產地:捷克
- 學科領域:化學
- 啟用日期:2014年6月16日
- 所屬類別:分析儀器 > 電子光學儀器 > 電子能譜儀
掃描電子顯微鏡能譜分析儀器是一種用於化學領域的分析儀器,於2014年6月16日啟用。
掃描電子顯微鏡能譜分析儀器是一種用於化學領域的分析儀器,於2014年6月16日啟用。技術指標 最高解析度:≤3nm。 3X~1000,000X或者更寬,連續可調,從小到大任一倍數圖像不變形。主要功能 樣品全自動控制分析,實時計算機控制等功能。
掃描電子顯微鏡(scanning electron microscope,SEM)是一種用於高解析度微區形貌分析的大型精密儀器。具有景深大、解析度高,成像直觀、立體感強、放大倍數範圍寬以及待測樣品可在三維空間內進行旋轉和傾斜等特點。另外具有可測樣品種類豐富,...
掃描電子顯微鏡及能譜儀是一種用於材料科學、機械工程、安全科學技術領域的分析儀器,於2010年12月27日啟用。技術指標 放大倍數:6x–1,000,000x,解析度:30kV下3.0nm(SE),30kV下4.0nm(BSE),3kV下8.0nm(SE)。主要功能 微觀...
掃描電子顯微鏡及電子能譜儀是一種用於材料科學、礦山工程技術、冶金工程技術領域的分析儀器,於2015年5月8日啟用。技術指標 掃描電鏡設備主要技術參數:1、解析度:二次電子(SE)像解析度在高真空時:30kV時優於3.0nm,3kV時優於10....
場發射掃描電子顯微鏡(FESEM)是電子顯微鏡的一種。該儀器具有超高解析度,能做各種固態樣品表面形貌的二次電子像、反射電子象觀察及圖像處理。該儀器利用二次電子成像原理,在鍍膜或不鍍膜的基礎上,低電壓下通過在納米尺度上觀察生物樣品...
分析掃描電子顯微鏡 分析掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2015年9月17日啟用。技術指標 加速電壓:5~30KV;樣品大小:80mm;解析度:5nm。主要功能 用於觀察樣品表層結構。
高解析度掃描電子顯微鏡是一種用於化學、地球科學、生物學、材料科學領域的分析儀器,於2013年1月8日啟用。技術指標 ① 加速電壓:0.1~30 kV ② 觀測倍率:20~1,200,000 ③ 二次電子解析度:1.0nm(加速電壓15kV),1.3nm(...
台式掃描電子顯微鏡(Desktop Scanning Electron Microscope)是一種體積小巧,可安放在實驗檯面上操作的電子顯微鏡。其原理和傳統(落地式)掃描電子顯微鏡相同。部件包括:電子發射、電磁透鏡、信號探測、真空系統、計算機控制系統。台式掃描電子...
掃描電子顯微電鏡是一種用於化學學科領域的電子光學儀器,於2016年3月15日啟用。技術指標 解析度:二次電子(SE)像 15 kV時優於1.0 nm;1 kV時優於1.4 nm(非減速模式) 背散射(BSE)像: 1 kV時優於3.5 nm;15 kV時優...
圖像掃描:最大3072×2304像素 。能譜儀元素分析範圍Be4—U92,能量解析度(Mn-Ka):優於129eV,嚴格依照ISO15632國際標準測量。主要功能 EVO MA 10是一台通用的高性能鎢燈絲掃描電子顯微鏡,具有全自動控制的分子泵+旋轉泵的真空系統...
桌面掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2018年7月4日啟用。技術指標 (1)、電子槍:六硼化鑭燈絲,燈絲壽命≥1000小時;(2)、放大倍數:30-100000倍;可數位放大:2倍、4倍;(3)、電子束電流:30pA-1nA,...
5.分析結果可拍照、視頻列印和直接存檔(全數位化)。儀器類別 0304070201 /儀器儀表 /光學儀器 /電子光學及離子光學儀器 /掃描式電子顯微鏡 指標信息 解析度3.5nm 真空度20乇(可放水汽)環掃下可看二次電子像能譜解析度130eV,元素B...
高低真空掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學、冶金工程技術領域的分析儀器,於2005年5月20日啟用。技術指標 高真空模式解析度:3.0nm;低真空模式解析度:4.0nm;放大倍數:×5_×300,000;探測器:二次電子探測器、高靈敏度半導體探測...
攜帶型電子掃描顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2019年7月16日啟用。技術指標 二次電子解析度:≤4.0nm@20kV,15nm@1kV;背散射電子解析度:≤5.0nm@20kV(低真空);放大倍數:6~300000倍;五軸馬達台;X射線能譜儀。
是由透射電子顯微鏡、掃描電子顯微鏡和電子探針組合而成的多功能的新型儀器。其功能有:可獲得透射電子圖像、掃描透射電子圖像、二次電子圖像、背散射電子圖像和X射線圖像,可用X射線能譜和電子能譜進行微-微區成分分析,用多種衍射技術...
蔡司場發射掃描電子顯微鏡是一種用於能源科學技術領域的分析儀器,於2015年8月14日啟用。技術指標 掃描速度:標配提供17種非隔行電子束掃描速度,從25ns像素駐留時間到1.64ms像素駐留時間。樣品倉尺寸: 120mm Ø x 120mm high(4.75...
掃描發射電子顯微鏡是一種用於物理學領域的分析儀器,於2007年9月28日啟用。技術指標 解析度二次電子(SE)成像:高真空模式:30kV時 1.2 nm;1kV時 3.0nm 低真空模式:30kV時 1.5 nm;3kV時 3.0nm ESEM?環境真空模式: 30kV時...
掃描式測試電子顯微鏡是一種用於電子與通信技術領域的分析儀器,於2017年1月17日啟用。技術指標 放大倍率:25~19000(LEI模態) 100~65000(SEI模態) ,可觀測範圍:x:0~70mm; y:0~50mm z::1.5~25mm。主要功能 1)EDX/Material ...
掃描式電子顯微鏡/掃描探針顯微鏡是一種用於化學領域的分析儀器,於2006年12月1日啟用。技術指標 XY方向解析度為0.2nm,Z方向為0.01nm,最大掃描範圍150*150um。主要功能 利用針尖與樣品表面原子間的微弱作用來作為反饋信號,維持針尖與...
掃描電子式顯微鏡是日本生產的一種電子光學儀器,於2007年5月1日啟用。技術指標 理論放大倍數5~300000X解析度3.0nm。服務內容 1.電子零件顯微形貌觀察;2.薄膜厚度及微粒尺寸量測;3.錫須觀察分析;4.合金層IMC形貌觀察。
高真空分析型掃描電子顯微鏡 高真空分析型掃描電子顯微鏡是一種用於化學、材料科學、冶金工程技術、物理學領域的分析儀器,於2012年10月31日啟用。技術指標 電鏡解析度3.5nm;能譜解析度139ev。主要功能 二次電子像,背散射像,成分分析。
冷場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2011年5月1日啟用。技術指標 解析度:1.0nm (15KV), 1.4 nm (1KV) 放大倍數:25-100萬倍加速電壓:0.1KV-30KV 束流強度:10-13-2x10-9。主要附屬檔案:牛津儀器INCA ...
透射式電子顯微鏡常用於觀察那些用普通顯微鏡所不能分辨的細微物質結構;掃描式電子顯微鏡主要用於觀察固體表面的形貌,也能與X射線衍射儀或電子能譜儀相結合,構成電子微探針,用於物質成分分析;發射式電子顯微鏡用於自發射電子表面的研究。...
小型掃描電子顯微鏡是一種用於化學工程領域的分析儀器,於2018年11月7日啟用。技術指標 1.加速電壓是:0.3~20 kV連續可調; 2.二次電子解析度是:4.0 nm@20 kV,15 nm@1 kV背散射電子解析度優於:5.0 nm@20 kV(低真空):...
具有高性能x射線能譜儀,能同時進行樣品表層的微區點線面元素的定性、半定量及定量分析,具有形貌、化學組分綜合分析能力。掃描電子顯微鏡因其解析度高、景深大、圖像更富立體感、放大倍數可調範圍寬等優點而被廣泛套用於半導體、無機非金屬...
1、場發射環境掃描電子顯微鏡解析度:二次電子像高真空模式:30KV時 附屬檔案信息 冷卻樣品台 0到10℃時,對樣品直到100%的不同相對溫度下的狀態進行觀察和分析。最低可達到-20℃,精確度可到0.1℃ 加熱樣品台 溫度控制範圍=室溫-1000...
高溫高壓原位掃描電子顯微鏡是一種用於物理學領域的分析儀器,於2019年11月6日啟用。技術指標 解析度: 高真空模式優於1.5nm(30kV),4nm(1kV) 低真空模式優於1.8nm(15kV)。主要功能 該儀器包含場發射掃描電鏡主機,以及離子濺射儀和...
分析型掃描電子顯微鏡 分析型掃描電子顯微鏡是一種用於電子與通信技術領域的分析儀器,於2012年09月10日啟用。技術指標 放大倍數:5倍~30萬倍。主要功能 觀測樣品的表面、切面、斷面結構。
冷場發射掃描式電子顯微鏡是一種用於化學、材料科學、冶金工程技術、物理學領域的分析儀器,於2015年3月31日啟用。技術指標 本台場發射電鏡適用於常溫下觀測非磁性、無揮發導電材料,不導電材料可噴鍍導電層之後觀測。25倍到65萬倍連續...