原子沉積系統是一種用於材料科學、機械工程、能源科學技術領域的計量儀器,於2012年12月19日啟用。
基本介紹
- 中文名:原子沉積系統
- 產地:芬蘭
- 學科領域:材料科學、機械工程、能源科學技術
- 啟用日期:2012年12月19日
- 所屬類別:計量儀器 > 長度計量儀器 > 雙頻雷射干涉儀
原子沉積系統是一種用於材料科學、機械工程、能源科學技術領域的計量儀器,於2012年12月19日啟用。
原子沉積系統是一種用於材料科學、機械工程、能源科學技術領域的計量儀器,於2012年12月19日啟用。技術指標1、10–200mm/單片,最大可沉積直徑150mm基片,豎直放置,10-25片/批次(根據工藝),156mmx...
在原子層沉積系統有國際品牌和自主品牌兩類。在國外品牌以劍橋(cambridge)最為悠久,全球銷售量幾百台。其次以芬蘭的BENEQ和picosun,在高端ALD領域投入大量研發工作,通過原子層沉積來製備薄膜,由於 ALD 沉積系統價格昂貴,而望而卻步。...
原子層沉積系統是一種用於化學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2014年05月30日啟用。技術指標 反應腔腔壁加熱溫度應不低於300℃;反應腔能夠適應在8英寸及以下尺寸平面基底上沉積薄膜材料且對基底形狀沒有嚴格要求,基底加熱溫度可達500℃...
SUNALETM R-200 Series型 原子沉積系統,功能強大且多元化,不僅具有沉積單一的薄膜、納米疊層與梯度薄膜、摻雜質多組分薄膜、三元薄膜等功能,同時沉積的薄膜能夠得到極度均勻性和高度重複性,具有在複雜基底上、苛刻環境中進行沉積的能力...
電漿原子層沉積系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2016年09月28日啟用。技術指標 基片加熱溫度 室溫~400℃ 前驅體管路溫度 室溫~200℃ 源瓶加熱溫度 室溫~200℃ 本底真空 5x10-3Torr 載氣系統 N2或者Ar 控制系統 ...
原子沉積光路系統是一種用於物理學、工程與技術科學基礎學科領域的工藝試驗儀器,於2011年01月16日啟用。技術指標 雷射頻率鎖定在鉻原子躍遷譜線上,波動小於2MHz。一束雷射移頻250MHz。輸出光束光斑尺寸分別為2mm*20mm,和直徑為0.4mm...
高級型原子層沉積系統 高級型原子層沉積系統是一種用於信息科學與系統科學、物理學領域的儀器,於2017年11月21日啟用。技術指標 380v,lishi。主要功能 測量用。
台式三維原子層沉積系統 台式三維原子層沉積系統是一種用於材料科學領域的科學儀器,於2015年6月8日啟用。技術指標 400℃以下,原子級別薄膜沉積。主要功能 薄膜製備。
等離子增強型原子層沉積系統是一種用於信息與系統科學相關工程與技術領域的工藝試驗儀器,於2016年4月22日啟用。技術指標 原位檢測膜厚 原位質譜檢測 紅外光譜分析。主要功能 製備高溫超導用塗層、氧化物介電薄膜及氮化物薄膜材料等。如Al2...
電漿輔助原子層沉積系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2016年1月1日啟用。技術指標 10min內真空達到5E-3Torr;30nm鍍膜非均勻度<3%。主要功能 本設備具有大面積、高階梯覆蓋率、高厚度均勻性、低溫製程及原子級膜厚控制等...
電漿增強原子層沉積系統 電漿增強原子層沉積系統是一種用於信息科學與系統科學、物理學領域的分析儀器,於2017年10月24日啟用。技術指標 Savannah G2 s200。主要功能 測量用。
雙腔型等離子增強原子層沉積系統是一種用於物理學、化學領域的工藝試驗儀器,於2017年6月29日啟用。技術指標 由熱型和等離子反應腔組成的的兩個獨立的真空反應腔室組成。主要功能 常見氧化物,氮化物以及貴金屬單質薄膜的沉積。
《面向柔性電子製造的空間隔離原子層沉積系統基礎研究》是依託華中科技大學,由陳蓉擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 原子層沉積(ALD)薄膜製造方法因其優良的均勻一致性和厚度可控性,在柔性電子器件的封裝層、功能層等具有突出表現和...
高效空間隔離原子層沉積薄膜製備系統是一種用於材料科學、機械工程、能源科學技術領域的計量儀器,於2015年12月14日啟用。技術指標 前驅體之間隔離氣密性:2ppm;沉積速率:5s/循環;實現交替生長;以氧化鋁和氧化鋅為檢測標準,實現線性生長...
原子層化學氣相澱積系統 原子層化學氣相澱積系統是一種用於材料科學領域的科學儀器,於2013年10月21日啟用。技術指標 適合沉積納米層狀薄膜(2-200nm)。主要功能 可以沉積二元、三元或更多元薄膜、梯度薄膜、(納米)疊層、摻雜薄膜。
等離子加強原子層沉積 等離子加強原子層沉積是一種用於信息科學與系統科學領域的科學儀器,於2017年10月17日啟用。技術指標 FIJI F200。主要功能 等離子加強原子層沉積系統。
與目前的其他鍍膜方法相比,具有沉積溫度低,精確控制膜厚、薄膜結合強度好、逐層沉積膜層厚度一致、成分均勻性好等優越性,是先進的納米表面處理技術。原子層沉積設備已套用於半導體積體電路產業,給半導體工程,微機電系統和其他納米技術...
原子氣相沉積是基於脈衝液體注射的化學氣相沉積工藝技術。液體前驅體(包含相變材料組分的前驅體)以微升級的小液滴脈衝被噴射到蒸發器。在惰性氣體(氬、氮等)載氣的作用下,在加熱的蒸發器中得到氣化的前驅體被載入反應腔單元,然後通過...
本擬將ALD套用於對鋰離子電池正負電極材料的表面處理研究中,側重於引入新型ALD材料,通過大量表面薄膜材料的表征和電化學的表征,深入系統地研究ALD處理對電極材料的充放電循環性、倍率性、穩定性等方面的影響機制,並提出理論模型,以解釋...
《原子層沉積技術——原理及其套用》是2016年科學出版社出版的圖書,作者是李愛東。內容簡介 本書是面向研究生和從事材料研發等相關行業的科研人員系統介紹原子層沉積技術原理及其套用的一本專業書籍,共13章。包括原子層沉積的發展歷史、...
主要功能 升級原子層沉積系統(ALD)、擴展其電漿增強ALD功能;使通過系統的反應氣體在電場作用下達到電漿狀態,產生化學活潑的激發態分子、原子、離子和原子團等,促進化學反應,加快薄膜在基底上的生長速度。
研究用原子層沉積技術製備的光學薄膜的抗雷射損傷能力,探索用該方法製備抗強雷射薄膜的可能性。項目的研究工作將拓寬光學薄膜的製備技術,在大面積,複雜形貌元件如光學微機電系統等方面有重要的套用前景。所以,該研究既具有強的前瞻性、...
雙離子束沉積系統是一種用於物理學、化學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於1994年12月15日啟用。技術指標 1.極限真空度:6×10-4Pa2.主源:1000eV,100—120mA輔源:800eV,100mA3.濺射靶:F100mm4.基片台:F40mm,旋轉,掃描...
雙室磁控與離子束複合濺射沉積系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2010年12月10日啟用。技術指標 技術指標:主要用於濺射Ti、Al、Ni、Au、Ag、Cr、Pt、Cu、TiW、Pd、Pt、Zn等金屬薄膜;極限真空:1E-6Torr(?30分鐘從?a...
105~10-8Pa 系統漏率:5×10-7PaL/S 沉積室:1400(L) ×580(h) ×400(w),16mm厚帶加強筋 矩形磁控靶:靶材5英寸×15英寸 圓形磁控靶:4英寸。主要功能 用於搭建雷射匯聚原子沉積光柵系統,製備光柵計量傳遞標準。
本項目在國際上首次將先進的原子層沉積技術套用於矽基MOS結構電致發光器件的研究,以替代傳統的離子注入和熱氧化薄膜技術。我們從零起步,籌建了項目實施所需要的以ALD為核心技術的矽電致發光器件工藝線和光電綜合測試系統。在項目實施過程...