原子層化學氣相澱積系統是一種用於材料科學領域的科學儀器,於2013年10月21日啟用。
基本介紹
- 中文名:原子層化學氣相澱積系統
- 產地:芬蘭
- 學科領域:材料科學
- 啟用日期:2013年10月21日
原子層化學氣相澱積系統是一種用於材料科學領域的科學儀器,於2013年10月21日啟用。
原子層沉積是通過將氣相前驅體脈衝交替地通入反應器並在沉積基體上化學吸附並反應而形成沉積膜的一種方法(技術)。當前驅體達到沉積基體表面,它們會在其表面化學吸附並發生表面反應。在前驅體脈衝之間需要用惰性氣體對原子層沉積反應器進行清洗。由此可知沉積反應前驅體物質能否在被沉積材料表面化學吸附是實現原子層沉積...
原子氣相沉積 原子氣相沉積是基於脈衝液體注射的化學氣相沉積工藝技術。液體前驅體(包含相變材料組分的前驅體)以微升級的小液滴脈衝被噴射到蒸發器。在惰性氣體(氬、氮等)載氣的作用下,在加熱的蒸發器中得到氣化的前驅體被載入反應腔單元,然後通過反應沉積薄膜。填充能力介於化學氣相沉積和原子層沉積之間。
本項目擬在原子層沉積系統內進行化學氣相反應合成石墨烯薄膜的實驗,利用其特有源物質的快速切換和清洗系統,在原子層面控制石墨烯的生長過程,抑制多層石墨生長,達到生長連續單層石墨烯薄膜的目的。此外,嘗試套用電漿輔助沉積等手段進一步最佳化澱積反應工藝,達到降低生長溫度的目的。本項目通過原子層沉積石墨烯薄膜的...
PECVD系統可以藉助微波或射頻源使含有薄膜組成原子的氣體在局部形成電漿,利用電漿的強化學活性發生反應,從而在基片上沉積出所期的薄膜,具有基本溫度低、沉積速率快、成膜質量好等優點。可沉積氧化矽、氮化矽、碳化矽、多晶矽等材料,能夠實現對沉積厚度的精確控制,還可以通過改變反應氣體組分在一定範圍內調節...
金屬有機物化學氣相澱積系統 金屬有機物化學氣相澱積系統是一種用於信息科學與系統科學、物理學領域的科學儀器,於2013年10月30日啟用。技術指標 G3-HT MOCVD。主要功能 測量用。
電漿增強沉積系統是一種用於數學領域的分析儀器,於2015年7月1日啟用。技術指標 300W,13.56MHz高頻源;500W,50kHz-460kHz 低頻源;反應腔室本底真空度小於1mTorr。SiO2沉積速率大於30nm/min; 4”wafer膜厚均一性小於±3%,重複性小於±2%;折射率均一性小於±0.001;應力小於50MPa(雙頻)。SiNx 沉積速率...
電漿化學氣相澱積系統是一種用於材料科學、能源科學技術領域的工藝試驗儀器,於2014年02月28日啟用。技術指標 反應室數量為雙室,極限真空為2.0×10-5Pa(環境濕度≤55%),最大樣品尺寸為φ300mm,澱積不均勻性為≤±5%(φ10吋範圍內)≤±7%(φ12吋範圍內)。主要功能 本系統為計算機控制的雙室...
為了提高活性粒子濃度,在鎢絲和基體間施加正的偏壓,使鎢絲在高溫下發射出的電子在電場中加速,通過電子與氣體原子的碰撞,增加活性粒子濃度。利用外加磁場造成電子回旋加速,進一步提高了活性粒子濃度,也能顯著提高金剛石生長速率。化學氣相沉積金剛石的基本原理 所謂化學氣相沉積金剛石,可以概括為:將含碳氣氛與過飽和...
承擔自然科學基金項目“AlInN 材料的MOCVD 生長與套用研究”(批准號 60576003,2006,1-2008,12),順利完成,最終評定結果為優承擔中科院重大科研裝備研製項目“III族氮化物生長用原子層化學氣相澱積系統”,設計並研製成功了兼具原子層外延和MOCVD外延優點的外延生長系統,尤其適合於生長高Al組份的三族氮化物,順利通過...