磁控濺射鍍膜設備是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2008年10月15日啟用。
磁控濺射是物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition,PVD)的一種。一般的濺射法可被用於製備金屬、半導體、絕緣體等多材料,且具有設備簡單、易於控制、鍍膜面積大和附著力強等優點。上世紀 70 年代發展起來的磁控濺射法更是實現了高速、...
磁控濺射鍍膜設備是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2008年10月15日啟用。技術指標 抽真空速度（空載）：大氣到6.6×10^-4Pa在35分鐘內，極限真空度（空載）：系統經烘烤後連續抽氣，真空度≤6.6×10-5Pa，樣品加熱溫度：...
磁控濺射鍍膜儀是一種用於化學、材料科學、冶金工程技術、物理學領域的工藝試驗儀器，於2006年12月30日啟用。技術指標 1、主真空室的本底真空優於2×10－8Torr；2、四英寸的基片範圍內薄膜厚度均勻性優於±2％；3、可以濺射磁性和非...
全自動磁控濺射鍍膜機系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器，於2014年10月14日啟用。技術指標 1、真空泵源：分子泵一台（抽速1200升/秒），直聯旋片式真空泵一台（抽速9升/秒），乾式真空泵一台（抽速8升/秒）；2、真空閥門...
超高真空全自動磁控濺射鍍膜機是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2016年12月5日啟用。技術指標 1.真空室數量:雙室，包含1個樣片室，1個濺射室。2.極限真空（環境濕度≤55%，經烘烤除氣後）:？ 樣片室:≤2.0×10-3Pa？
可使用單/雙/三靶對同一基片進行磁控濺射鍍膜實驗，配備加熱系統可以將抽真空速度加快，本底真空降低；可使用雙/三靶濺射製備摻雜薄膜，較非摻雜薄膜性質變多，性能不同，更利於發現新功能、高性能薄膜。設備自動化程度較高，開/關機配備...
高真空磁控濺射鍍膜機是一種用於材料科學、電子與通信技術領域的科學儀器，於2013年3月25日啟用。技術指標 設備共有3腔（反濺腔、濺射腔、氧化腔） 8靶 極限真空可達到5*10-6Pa，能進行2英寸晶圓鍍膜。主要功能 可通過直流濺射和...
超高真空磁控濺射與離子束濺射鍍膜設備是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2006年11月30日啟用。技術指標 背底真空6×10-5Pa，樣品加熱溫度650℃。主要功能 可實現多靶共濺射，可生長梯度材料。
三靶磁控濺射鍍膜機 三靶磁控濺射鍍膜機是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2010年7月1日啟用。技術指標 壓強、功率。主要功能 矽基薄膜材料。
高真空多靶磁控濺射鍍膜設備是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，於2008年9月26日啟用。技術指標 極限真空：2×10-5Pa，4靶。主要功能 用於製備各種磁性金屬合金薄膜，採用共聚焦、基底旋轉濺射方式，能夠製備150×150mm各種合金...
超高真空磁控濺射鍍膜設備 超高真空磁控濺射鍍膜設備是一種用於材料科學領域的科學儀器，於2010年6月25日啟用。技術指標 <10負六次方 七靶。主要功能 楔形樣品製備 加熱400°。
二次金屬化磁控濺射鍍膜機 二次金屬化磁控濺射鍍膜機是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2015年8月21日啟用。技術指標 空載極限真空＜8*10-5Pa/公轉速度0-20rpm可調。主要功能 大功率脈衝氙燈研製。
非平衡磁控濺射鍍膜系統是一種用於材料科學、機械工程領域的工藝試驗儀器，於2014年04月22日啟用。技術指標 該設備的新型閉合場非平衡磁控濺射系統的離子流是傳統磁控濺射離子流的100倍，是該公司早期的非平衡磁控濺射離子流的2.5倍。可...
射頻磁控濺射設備是一種用於能源科學技術領域的儀器，於2015年12月16日啟用。技術指標 圓柱型304不鏽鋼腔室，配有頂蓋與底蓋，名義尺寸約360mm直徑 x 460mm高，配有1個觀察窗，並配有觀察窗擋板，前級泵採用抽速6.8cfm的油潤滑機械...
磁過濾多弧磁控鍍膜設備是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2016年7月8日啟用。技術指標 1.工作空間：φ350mm×H400mm 2.極限真空：6.67×10-5Pa； 3.加熱溫度：室溫-500℃； 4.主要配置：2套普通多弧靶，2套新型多弧...
主要功能 超高真空多靶磁控濺射鍍膜機是帶有進樣室的超高真空多功能測控濺射鍍膜設備，可用於在超高真空背景下，充入高純氬氣，採用磁控濺射方式製備各種金屬膜、介質膜、半導體膜，而且又可以較好地濺射鐵磁材料製備磁性薄膜。
高真空平面靶磁控濺射鍍膜系統是一種用於化學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2015年1月30日啟用。技術指標 （1） 樣品台採用PLC電路控制，樣品台可以水平移動的同時還可以自轉，水平運動速度為10－50 mm/分往復運動，連續可調;自轉的...
超高真空磁控濺射及離子鍍沉積設備 超高真空磁控濺射及離子鍍沉積設備是一種用於材料科學領域的計量儀器，於2011年1月1日啟用。技術指標 · 在20 GHz時達108 dB的動態範圍 · 在1 kHz的IFBW下軌跡噪聲 主要功能 鍍膜。
高頻磁控濺射設備 高頻磁控濺射設備是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2009年5月19日啟用。技術指標 <1*10-4Pa。主要功能 本底真空可達1×10-4Pa,可進行大面積沉積鍍膜。
磁控濺射鍍膜是指將塗層材料做為靶陰極，利用氬離子轟擊靶材，產生陰極濺射，把靶材原子濺射到工件上形成沉積層的一種鍍膜技術。磁控濺射鍍膜magneto-controlled sputter coating是指:是將塗層材料做為靶陰極，利用氬離子轟擊靶材，產生陰極...
濺射鍍：磁控濺射鍍膜設備：磁控濺射鍍膜設備是一種多功能、高效率的鍍膜設備。可根據用戶要求配 置旋轉磁控靶、中頻孿生濺射靶、非平衡磁控濺射靶、直流脈衝疊加式偏壓電源等，組態靈活、用途廣泛，主要用於金屬或非金屬（塑膠、玻璃、陶瓷...
並聘請國內外多位知名專家為技術顧問，具備較強的自主研發能力，現已研發製造真空蒸發鍍膜機、真空多弧離子鍍膜機、真空中頻磁控濺射鍍膜機、多功能中頻磁控濺射多弧複合離子鍍膜機、真空光學（電子束蒸發）鍍膜機等系列真空鍍膜設備。
濺射鍍膜中的雷射濺射鍍膜pld，組分均勻性容易保持，而原子尺度的厚度均勻性相對較差（因為是脈衝濺射），晶向（外沿）生長的控制也比較一般。操作程式 真空鍍膜機操作程式具體操作時請參照該設備說明書 和設備上儀錶盤指針顯示及各旋鈕下的...
該系統配有蒸發室、清潔氧化處理腔室、濺射室、Load lock，用於製備各種高純金屬、氧化物以及超導薄膜，如Ti, Au, Al, Nb, NbN, Al2O3等。該設備電子束蒸發鍍膜腔和磁控濺射鍍膜腔相互獨立，集成了兩套系統的優點，而又避免了電子...
本項目利用三維虛擬仿真技術高度還原實驗場景, 100%仿真模擬磁控濺射設備製備氫化納米矽薄膜以及利用原子力顯微鏡(AFM)表征薄膜表面形貌的實驗過程,培養學生的動手能力和探索科學的研究能力，取得良好教學效果。教學目標 氫化納米矽薄膜作為-種...
多功能高精度磁控濺射儀是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2016年7月21日啟用。技術指標 離子源：襯底預先清洗輔助沉積；磁控濺射沉積：射頻(RF)，直流(DC)；靜態濺射，共濺射，反應濺射，線上濺射。主要功能 採用磁控濺射進行鍍膜...
常州市晶陽光電是以自主研發的磁控濺射鍍膜設備在各種（如PC/PMMA/PET/PVC/玻璃等）材料上鍍制各種均勻的金屬膜層，如不導電膜層（NVCM）；導電膜層；鉻（CR）；鋁（AL）；鎳（NI）及各種合金等，鍍防眩面板及LOW-E低輻射膜，...
