磁控濺射鍍膜系統是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2016年06月29日啟用。
基本介紹
- 中文名:磁控濺射鍍膜系統
- 產地:中國
- 學科領域:電子與通信技術
- 啟用日期:2016年06月29日
- 所屬類別:工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備 > 電子產品通用工藝實驗設備
磁控濺射鍍膜系統是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2016年06月29日啟用。
磁控濺射鍍膜系統是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2016年06月29日啟用。技術指標超高真空1E-6Pa,四寸濺射靶材,可以共同濺射。1主要功能可以濺射Al、Ti、PdAu的金屬薄膜。1...
磁控濺射是物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition,PVD)的一種。一般的濺射法可被用於製備金屬、半導體、絕緣體等多材料,且具有設備簡單、易於控制、鍍膜面積大和附著力強等優點。上世紀 70 年代發展起來的磁控濺射法更是實現了高速、...
全自動磁控濺射鍍膜機系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2014年10月14日啟用。技術指標 1、真空泵源:分子泵一台(抽速1200升/秒),直聯旋片式真空泵一台(抽速9升/秒),乾式真空泵一台(抽速8升/秒);2、真空閥門...
磁控濺射鍍膜是指將塗層材料做為靶陰極,利用氬離子轟擊靶材,產生陰極濺射,把靶材原子濺射到工件上形成沉積層的一種鍍膜技術。磁控濺射鍍膜magneto-controlled sputter coating是指:是將塗層材料做為靶陰極,利用氬離子轟擊靶材,產生陰極...
非平衡磁控濺射系統有兩種結構,一種是其芯部磁場強度比外環高,磁力線沒有閉合,被引向真空室壁,基體表面的電漿密度低,因此該方式很少被採用。另一種是外環磁場強度高於芯部磁場強度,磁力線沒有完全形成閉合迴路,部分外環的...
科研兼中式多功能磁控濺射鍍膜系統是一種用於物理學、化學、材料科學、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2013年5月31日啟用。技術指標 1、極限真空:濺射室(經烘烤)真空度極限≤6.7×10-5Pa。 2、系統漏率:停泵關機 12小時後...
高真空磁控濺射鍍膜系統 高真空磁控濺射鍍膜系統是一種用於材料科學領域的科學儀器,於2015年12月14日啟用。技術指標 子系統一:工裝和卡具。主要功能 鍍制各種功能性薄膜光電薄膜,半導體薄膜,硬質膜等。
多靶磁控濺射鍍膜系統 多靶磁控濺射鍍膜系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2014年7月2日啟用。技術指標 直徑6英寸基片,片內均勻性優於±5%,重複性優於±3%。主要功能 濺射沉積各種金屬和介質。
雙室四靶材磁控濺射鍍膜系統 雙室四靶材磁控濺射鍍膜系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2019年3月19日啟用。技術指標 MSP-3220。主要功能 用於在真空條件下生長金屬氧化物和氮化物等新一代半導體材料薄膜。
多功能磁控濺射鍍膜是一種用於信息與系統科學相關工程與技術領域的工藝試驗儀器,於2014年05月09日啟用。技術指標 系統極限真空:濺射室:系統經烘烤,可達8×10-6Pa;永磁靶直徑Φ50㎜, 直流電源一台;樣品可自轉,一次可鍍一片;...
磁控濺射鍍膜設備是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2008年10月15日啟用。技術指標 抽真空速度(空載):大氣到6.6×10^-4Pa在35分鐘內,極限真空度(空載):系統經烘烤後連續抽氣,真空度≤6.6×10-5Pa,樣品加熱溫度:...
全自動磁控濺射鍍膜機是一種用於機械工程領域的工藝試驗儀器,於2013年7月26日啟用。技術指標 極限真空:7×10-5Pa ;,恢復真空:3×10-3Pa≤30min ,系統漏率:停泵關機12小時後真空度≤5Pa。,真空系統:分子泵+直聯泵或機械...
可以濺射磁性和非磁性金屬、進行直流和射頻濺射;4、基片可以加熱(800℃)、冷卻(水冷);5、全自動控制;6、18英寸主濺射室;7、高真空泵抽系統;8、超高真空磁控濺射靶;直流/射頻電源;9、4英寸樣品台;10、PhaseII-J控制系統...
磁控濺射薄膜沉積系統是一種用於物理學、材料科學領域的分析儀器,於2010年6月1日啟用。技術指標 (1)真空鍍膜室,304 SS;(2)真空抽氣系統,TMH/U 521C;(3)真空測量系統,KJLC/MKS 979;(4)檢壓計,MKS 626A;(5)濺射源,...
多靶磁控濺射鍍膜是一種用於物理學領域的物理性能測試儀器,於2017年09月01日啟用。技術指標 (1)濺射室極限真空度2×10-5帕,系統大氣抽取60分鐘可以達到5×10-4,停機12小時後真空度≤10帕。(2)通過二路MFC質量流量控制器充...
5.真空室保壓:系統停泵關機12小時後真空度:≤5Pa。6.濺射材料:各種金屬、合金薄膜、非金屬薄膜、化合物薄膜。7.濺射靶:Φ76.2mm標準磁場磁控濺射靶3隻,聚焦模式上置共安裝,自上向下濺射成膜。8.濺射不均勻性:≤±5%(Φ4英寸...
磁性薄膜、介質膜和氧化物薄膜等。系統主要由磁控濺射室、磁控濺射靶2英寸4個、直流電源、射頻電源、離子束室等組成。該系統具有離子束濺射鍍膜、磁控濺射鍍膜、樣品清洗及退火處理功能,每種沉積方式都有可以間替地對多種材料進行沉積。
高性能真空系統,極限真空6×10-5Pa;沉積200nm的薄膜。在3英寸平面基底上十字交叉取9個點進行測試。薄膜厚度不均勻性≤±5%,邊緣去除5mm。主要功能 可使用單/雙/三靶對同一基片進行磁控濺射鍍膜實驗,配備加熱系統可以將抽真空速度...
雙室磁控濺射沉積系統是帶有進樣室的高真空多功能 磁控濺射鍍膜設備。它可用於在高真空背景下,充入高純氬氣,採用磁 控濺射方式製備各種金屬膜、介質膜、半導體膜,而且又可以較好地濺 射鐵磁材料(Fe、Co、Ni),製備磁性薄膜。在...
極限真空:濺射室極限真空度≤6.6×10-5Pa (濕度≤55%)進樣室極限真空度≤1.0×10-1Pa,漏氣速率:≤10-9Pa?L/sec; 系統抽速:通過進樣室送樣後抽至8×10-4Pa≤10分鐘,可局部加溫,工件盤可旋轉。主要功能 功率源採用...
高真空磁控濺射與蒸發鍍膜裝置是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2007年5月9日啟用。技術指標 系統極限真空:濺射室:系統經烘烤,可達1×10-5Pa(7.5×10-8Toor); 進樣室:經烘烤可達7×10-4Pa(5.2×10-6Toor)。
高真空磁控濺射鍍膜機是一種用於材料科學、電子與通信技術領域的科學儀器,於2013年3月25日啟用。技術指標 設備共有3腔(反濺腔、濺射腔、氧化腔) 8靶 極限真空可達到5*10-6Pa,能進行2英寸晶圓鍍膜。主要功能 可通過直流濺射和...
磁控濺射鍍膜是一種新型的物理氣相鍍膜方式,就是用電子槍系統把電子發射並聚焦在被鍍的材料上,使其被濺射出來的原子遵循動量轉換原理以較高的動能脫離材料飛向基片澱積成膜。這種被鍍的材料就叫濺射靶材。 濺射靶材有金屬,合金,陶瓷化合...
卷繞磁控濺射鍍膜機是一種用於物理學、工程與技術科學基礎學科、材料科學領域的科學儀器,於2004年12月1日啟用。技術指標 極限真空度:6.67*10-4Pa,恢復真空時間:10分鐘,由105~10-1 Pa 基材:聚酯薄膜,幅寬400mm,最大圈徑φ...
全自動磁控濺射鍍膜設備 全自動磁控濺射鍍膜設備是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2014年1月1日啟用。技術指標 極限真空度6.7E-5Pa;樣品最高加熱溫度300度。主要功能 用於納米或微米級金屬薄膜的製備。
超高真空多靶磁控濺射鍍膜儀是一種用於物理學領域的物理性能測試儀器,於2010年2月21日啟用。技術指標 1、雙室磁控濺射系統,極限壓力:主濺射室,6.67*10-6Pa,2、永磁靶5套,三個直流電源,兩個射頻電源,靶材直徑60mm;3、6個...