FEI場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2014年4月24日啟用。
FEI場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2014年4月24日啟用。技術指標 二次電子解析度 15KV時優於0.8nm，1KV時優於0.9nm；STEM模式，BF像 30KV時優於0.6nm。主要功能 帶能量單色過濾器，超高解析度熱場發射...
筆者以德國蔡司ULTRA PLUS掃描電子顯微鏡為例,從環境條件、光學系統、真空系統及附屬檔案設施4個方面總結了熱場發射掃描電子顯微鏡運行狀態的幾種檢查方法和維護保養經驗,並結合故障實例進行了分析 [1] 。
場發射掃描電子顯微鏡 場發射掃描電子顯微鏡（FESEM）是電子顯微鏡的一種。該儀器具有超高解析度，能做各種固態樣品表面形貌的二次電子像、反射電子象觀察及圖像處理。該儀器利用二次電子成像原理，在鍍膜或不鍍膜的基礎上，低電壓下通過在...
熱場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2018年12月20日啟用。技術指標 1.具有高分辨能力的半浸沒式物鏡（Semi-in-lens） 半浸沒式物鏡能將電子束收縮的很細，即使在低加速電壓下也能實現高分辨。 2.採用GENTLE...
場發射掃描式電子顯微鏡 場發射掃描式電子顯微鏡是一種用於能源科學技術領域的分析儀器，於2009年6月1日啟用。技術指標 加速電壓：200V~30KV。主要功能 固體物質表面形貌與成分分析。
冷場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2011年5月1日啟用。技術指標 解析度：1.0nm (15KV), 1.4 nm (1KV) 放大倍數：25-100萬倍加速電壓：0.1KV-30KV 束流強度：10-13-2x10-9。主要附屬檔案：牛津儀器INCA ...
主要用途: Quanta 200 FEG場發射環境掃描電子顯微鏡綜合場發射電鏡高分辨和ESEM環境掃描電鏡適合樣品多樣性的優勢中文名 場發射環境掃描電子顯微鏡 主要用途 Quanta 200 儀器類別 台式掃描電子顯微鏡 指標信息 場發射環境掃描電子顯微鏡...
超高分辨場發射掃描電子顯微鏡是一種用於能源科學技術、航空、航天科學技術、考古學領域的分析儀器，於2014年9月1日啟用。技術指標 次電子圖像分率：1.0 nm(加速電壓 15 kV, WD=4 mm) 1.3 nm(著陸電壓 1 kV, WD=1.5 mm) ...
場發射序列掃描電子顯微鏡系統是一種用於基礎醫學領域的分析儀器，於2017年12月4日啟用。技術指標 1kV解析度小於1.3nm，30kV解析度小於1nm。具有多能量電子成像功能，配合內置切片機和專用探測器實現樣品三維空間的超高對比度和極高解析度成像...
場發射掃描電子顯微鏡系統是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2013年9月13日啟用。技術指標 二次電子解析度 1.0nm （加速電壓15kV、WD＝4mm） 1.3nm （加速電壓1kV、WD＝1.5mm） 加速電壓 0.1～30kV 觀測倍率 20～8000,000(...
高解析度場發射掃描電子顯微鏡 高解析度場發射掃描電子顯微鏡是一種用於物理學領域的分析儀器，於2010年6月15日啟用。技術指標 解析度優於10nm。主要功能 分析材料的表面形貌。
熱場發射掃描式電子顯微鏡是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，於2012年12月3日啟用。技術指標 電壓1KV-30KV,樣品高度不能超過3.5cm,長寬不超過5cm.。主要功能 由於掃描電子顯微鏡可用多種物理信號對樣品進行綜合分析，並具有...
蔡司場發射掃描電子顯微鏡是一種用於能源科學技術領域的分析儀器，於2015年8月14日啟用。技術指標 掃描速度：標配提供17種非隔行電子束掃描速度，從25ns像素駐留時間到1.64ms像素駐留時間。樣品倉尺寸: 120mm Ø x 120mm high(4.75...
冷場場發射掃描電子顯微鏡是一種用於物理學、化學、生物學、材料科學領域的分析儀器，於2017年3月22日啟用。技術指標 解析度 1.0nm @ 15kV,能譜解析度133eV(Mn Ka),分析元素B（5）-- U（92）。主要功能 本儀器具有高的解析度，...
超高分辨熱場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2007年07月21日啟用。技術指標 1. 解析度 高真空模式 1.0nm @ 15kv；1.8nm @ 1kv；0.8nm @ 30kv(stem探測器)；低真空模式 1.5nm @ 10kv(helix探測器)...
高分辨場發射掃描式電子顯微鏡 高分辨場發射掃描式電子顯微鏡是一種用於電子與通信技術領域的分析儀器，於2012年5月2日啟用。技術指標 放大倍率：14~1000000倍。主要功能 高分辨場發射掃描式電子顯微鏡。
場發射環境掃描電子顯微鏡系統是一種用於化學、基礎醫學、材料科學、環境科學技術及資源科學技術領域的分析儀器，於2007年12月28日啟用。技術指標 解析度高真空30KV優於2.0nm/低真空時30KV優於3.5nm；環境真空：30KV優於2.0nm；對樣品...
冷凍場發射掃描電子顯微鏡是一種用於化學、生物學、材料科學領域的分析儀器，於2018年12月20日啟用。技術指標 1.解析度： ≤0.6 nm@15 keV （二次電子），≤1.1 nm@1 keV，≤1.2 nm@500 eV（二次電子，無需減速模式）； 2...
高分辨場發射掃描電子顯微鏡系統是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2018年12月21日啟用。技術指標 二次電子解析度≤0.6nm(15kV);二次電子解析度≤0.9nm（1kV）。主要功能 圖像解析度高放大倍率大、對樣品沒有損傷、試樣製備簡單、...
超高解析度場發射掃描電子顯微鏡是一種用於物理學、材料科學領域的分析儀器，於2010年10月01日啟用。技術指標 加速電壓：1-15KV，放大倍數：120000-220000倍，二次電子解析度：1.4nm（1kV，減速模式），1.0nm（15kV）；。主要功能 金...
日立超高分辨場發射掃描電子顯微鏡是一種用於物理學、化學、生物學、農學領域的分析儀器，於2015年12月1日啟用。技術指標 超高解析度成像。主要功能 ⑴生物：種子、花粉、細菌…… ⑵醫學：血球、病毒…… ⑶動物：大腸、絨毛、細胞、纖維...
高分辨冷場發射掃描電子顯微鏡是一種用於藥學領域的分析儀器，於2013年11月27日啟用。技術指標 解析度 、放大倍數 、加速電壓、傾斜角。主要功能 具備超高分辨掃描圖像觀察能力，尤其是採用最新數位化圖像處理技術，提供高倍數、高分辨掃描...
肖特基場發射掃描電子顯微鏡是一種用於物理學、化學、生物學、材料科學領域的分析儀器，於2017年3月22日啟用。技術指標 解析度 1.2nm @ 15kV，1.5nm @ 10kV； 能譜解析度133eV(Mn Ka)，分析元素B（5）-- U（92） 陰極螢光： ...
ZEISS熱場發射掃描電子顯微鏡是一種用於物理學、化學、能源科學技術領域的分析儀器，於2016年1月1日啟用。技術指標 放大倍率：範圍:12×～1000,000×；工作距離：範圍可由1mm至50mm。主要功能 觀察材料表面微觀形貌。
高分辨熱場發射掃描電子顯微鏡 高分辨熱場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2015年9月11日啟用。技術指標 15kV解析度0.6nm，1kV解析度1.6nm。主要功能 測試樣品表面形貌及微區成分。
場發射掃描電子顯微鏡SU8220是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2014年11月13日啟用。技術指標 二次電子解析度：15KV時優於0.8nm；1KV時優於1.1nm；電子槍真空：優於2*10-8；電子束流條件範圍：5pA~10nA。主要功能 冷場發射...
冷場發射掃描式電子顯微鏡是一種用於化學、材料科學、冶金工程技術、物理學領域的分析儀器，於2015年3月31日啟用。技術指標 本台場發射電鏡適用於常溫下觀測非磁性、無揮發導電材料，不導電材料可噴鍍導電層之後觀測。25倍到65萬倍連續...
雙束場發射掃描電子顯微鏡系統是一種用於生物學、材料科學、化學工程領域的分析儀器，於2011年12月27日啟用。技術指標 1、場發射槍 2、FIB最大束流20nA，SEM解析度1.1nm@20kv，FIB解析度2.5nm@30kv 3、具有Pt氣體沉積系統。主要功能...
場發射掃描電子顯微鏡及原位拉伸台 場發射掃描電子顯微鏡及原位拉伸台是一種用於能源科學技術領域的科學儀器，於2017年12月18日啟用。技術指標 工作電壓15Kv,解析度0.8nm。主要功能 各種樣品的微觀形貌觀察和變形分析。
高解析度肖特基場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2014年11月26日啟用。技術指標 1、 電子光學工作模式有：解析度、景深、視野、大視野、搖擺電子束 2、 高真空下的解析度（二次電子）：30kV下1.2nm,3kV下2.5...
