雙束場發射掃描電子顯微鏡系統是一種用於生物學、材料科學、化學工程領域的分析儀器，於2011年12月27日啟用。
電子光學系統是由電子槍、電磁透鏡、掃描線圈組成的，也是掃描電子顯微鏡的核心部分。為保證電子束沿這些部件的軸線穿行，必須調節這些部件合軸，即光闌對中。而電鏡初學者往往一味地進行調焦、變倍操作，可是得到的圖像仍不清楚，於是懷疑...
場發射環境掃描電子顯微鏡系統是一種用於化學、基礎醫學、材料科學、環境科學技術及資源科學技術領域的分析儀器，於2007年12月28日啟用。技術指標 解析度高真空30KV優於2.0nm/低真空時30KV優於3.5nm；環境真空：30KV優於2.0nm；對樣品...
場發射透射電子顯微鏡系統是一種用於物理學、化學、材料科學、電子與通信技術領域的分析儀器，於2007年5月4日啟用。技術指標 TEM形貌像，HRTEM晶格像；選區電子衍射花樣SED，STEM（HAADF）掃描透射像，微區成分分析（點、線、面） 點...
場發射掃描電子顯微鏡及原位拉伸台 場發射掃描電子顯微鏡及原位拉伸台是一種用於能源科學技術領域的科學儀器，於2017年12月18日啟用。技術指標 工作電壓15Kv,解析度0.8nm。主要功能 各種樣品的微觀形貌觀察和變形分析。
高分辨場發射掃描電子顯微鏡系統是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2018年12月21日啟用。技術指標 二次電子解析度≤0.6nm(15kV);二次電子解析度≤0.9nm（1kV）。主要功能 圖像解析度高放大倍率大、對樣品沒有損傷、試樣製備簡單、...
ZEISS熱場發射掃描電子顯微鏡是一種用於物理學、化學、能源科學技術領域的分析儀器，於2016年1月1日啟用。技術指標 放大倍率：範圍:12×～1000,000×；工作距離：範圍可由1mm至50mm。主要功能 觀察材料表面微觀形貌。
熱場發射掃描式電子顯微鏡是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，於2012年12月3日啟用。技術指標 電壓1KV-30KV,樣品高度不能超過3.5cm,長寬不超過5cm.。主要功能 由於掃描電子顯微鏡可用多種物理信號對樣品進行綜合分析，並具有可以...
超高分辨場發射掃描電子顯微鏡是一種用於能源科學技術、航空、航天科學技術、考古學領域的分析儀器，於2014年9月1日啟用。技術指標 次電子圖像分率：1.0 nm(加速電壓 15 kV, WD=4 mm) 1.3 nm(著陸電壓 1 kV, WD=1.5 mm) ...
高分辨場發射掃描式電子顯微鏡 高分辨場發射掃描式電子顯微鏡是一種用於電子與通信技術領域的分析儀器，於2012年5月2日啟用。技術指標 放大倍率：14~1000000倍。主要功能 高分辨場發射掃描式電子顯微鏡。
FEI場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2014年4月24日啟用。技術指標 二次電子解析度 15KV時優於0.8nm，1KV時優於0.9nm；STEM模式，BF像 30KV時優於0.6nm。主要功能 帶能量單色過濾器，超高解析度熱場發射...
蔡司場發射掃描電子顯微鏡是一種用於能源科學技術領域的分析儀器，於2015年8月14日啟用。技術指標 掃描速度：標配提供17種非隔行電子束掃描速度，從25ns像素駐留時間到1.64ms像素駐留時間。樣品倉尺寸: 120mm Ø x 120mm high(4.75...
高解析度場發射掃描電子顯微鏡 高解析度場發射掃描電子顯微鏡是一種用於物理學領域的分析儀器，於2010年6月15日啟用。技術指標 解析度優於10nm。主要功能 分析材料的表面形貌。
高分辨熱場發射掃描電子顯微鏡 高分辨熱場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2015年9月11日啟用。技術指標 15kV解析度0.6nm，1kV解析度1.6nm。主要功能 測試樣品表面形貌及微區成分。
肖特基場發射掃描電子顯微鏡是一種用於物理學、化學、生物學、材料科學領域的分析儀器，於2017年3月22日啟用。技術指標 解析度 1.2nm @ 15kV，1.5nm @ 10kV； 能譜解析度133eV(Mn Ka)，分析元素B（5）-- U（92） 陰極螢光： ...
日立超高分辨場發射掃描電子顯微鏡是一種用於物理學、化學、生物學、農學領域的分析儀器，於2015年12月1日啟用。技術指標 超高解析度成像。主要功能 ⑴生物：種子、花粉、細菌…… ⑵醫學：血球、病毒…… ⑶動物：大腸、絨毛、細胞、纖維...
第一次關於電子顯微鏡的國際會議於1942年在代爾夫特舉行，參加者超過100人。隨後的會議包括1950年的巴黎會議和1954年的倫敦會議。隨著TEM的發展，相應的掃描透射電子顯微鏡技術被重新研究，而在1970年芝加哥大學的阿爾伯特·克魯發明了場發射...
