高分辨場發射掃描式電子顯微鏡是一種用於電子與通信技術領域的分析儀器,於2012年5月2日啟用。
基本介紹
- 中文名:高分辨場發射掃描式電子顯微鏡
- 產地:美國
- 學科領域:電子與通信技術
- 啟用日期:2012年5月2日
- 所屬類別:分析儀器 > 顯微鏡及圖象分析儀器
高分辨場發射掃描式電子顯微鏡是一種用於電子與通信技術領域的分析儀器,於2012年5月2日啟用。
超高分辨場發射掃描電子顯微鏡是一種用於能源科學技術、航空、航天科學技術、考古學領域的分析儀器,於2014年9月1日啟用。技術指標 次電子圖像分率:1.0 nm(加速電壓 15 kV, WD=4 mm) 1.3 nm(著陸電壓 1 kV, WD=1.5 mm) ...
高分辨場發射掃描式電子顯微鏡 高分辨場發射掃描式電子顯微鏡是一種用於電子與通信技術領域的分析儀器,於2012年5月2日啟用。技術指標 放大倍率:14~1000000倍。主要功能 高分辨場發射掃描式電子顯微鏡。
高分辨場發射掃描電子顯微鏡系統是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2018年12月21日啟用。技術指標 二次電子分辨率≤0.6nm(15kV);二次電子分辨率≤0.9nm(1kV)。主要功能 圖像解析度高放大倍率大、對樣品沒有損傷、試樣製備簡單、...
高分辨場發射電子顯微鏡 高分辨場發射電子顯微鏡是一種用於化學領域的分析儀器,於2014年10月1日啟用。技術指標 解析度1.0nm(15kV,4mm)。主要功能 形貌觀察。
高分辨率場發射掃描電子顯微鏡 高分辨率場發射掃描電子顯微鏡是一種用於物理學領域的分析儀器,於2010年6月15日啟用。技術指標 解析度優於10nm。主要功能 分析材料的表面形貌。
高分辨場發射透射電子顯微鏡是一種用於化學、材料科學、生物學領域的分析儀器,於2012年11月2日啟用。技術指標 場發射電子槍,加速電壓:20-200kV連續調節,放大倍數:25-1,000,000,點解析度:0.24nm;線解析度:0.102nm,信息解析度...
超高分辨熱場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2007年07月21日啟用。技術指標 1. 解析度 高真空模式 1.0nm @ 15kv;1.8nm @ 1kv;0.8nm @ 30kv(stem探測器);低真空模式 1.5nm @ 10kv(helix探測器)...
高分辨冷場發射掃描電子顯微鏡是一種用於藥學領域的分析儀器,於2013年11月27日啟用。技術指標 解析度 、放大倍數 、加速電壓、傾斜角。主要功能 具備超高分辨掃描圖像觀察能力,尤其是採用最新數位化圖像處理技術,提供高倍數、高分辨掃描...
場發射高分辨電子顯微鏡是一種用於物理學、材料科學領域的分析儀器,於2005年8月6日啟用。技術指標 性能指標:點解析度0.19 nm,線解析度0.14 nm,EELS能量譜解析度0.7 eV,EDS能量解析度136 eV。主要功能 固體材料結構和成分分析。
筆者以德國蔡司ULTRA PLUS掃描電子顯微鏡為例,從環境條件、光學系統、真空系統及附屬檔案設施4個方面總結了熱場發射掃描電子顯微鏡運行狀態的幾種檢查方法和維護保養經驗,並結合故障實例進行了分析 [1] 。
高分辨率肖特基場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2014年11月26日啟用。技術指標 1、 電子光學工作模式有:解析度、景深、視野、大視野、搖擺電子束 2、 高真空下的解析度(二次電子):30kV下1.2nm,3kV下2.5...
超高分辨率場發射掃描電子顯微鏡是一種用於物理學、材料科學領域的分析儀器,於2010年10月01日啟用。技術指標 加速電壓:1-15KV,放大倍數:120000-220000倍,二次電子分辨率:1.4nm(1kV,減速模式),1.0nm(15kV);。主要功能 ...
高分辨熱場發射掃描電子顯微鏡 高分辨熱場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2015年9月11日啟用。技術指標 15kV解析度0.6nm,1kV解析度1.6nm。主要功能 測試樣品表面形貌及微區成分。
場發射超高分辨透射電子顯微鏡是一種用於生物學、化學、物理學、農學領域的分析儀器,於2017年6月21日啟用。技術指標 加速電壓200 kV;TEM晶格解析度~0.1 nm;STEM解析度~0.16 nm;SEI解析度~0.5 nm;放大倍率:TEM:500x~2Mx;...
主要用途: Quanta 200 FEG場發射環境掃描電子顯微鏡綜合場發射電鏡高分辨和ESEM環境掃描電鏡適合樣品多樣性的優勢中文名 場發射環境掃描電子顯微鏡 主要用途 Quanta 200 儀器類別 台式掃描電子顯微鏡 指標信息 場發射環境掃描電子顯微鏡...
場發射掃描式電子顯微鏡 場發射掃描式電子顯微鏡是一種用於能源科學技術領域的分析儀器,於2009年6月1日啟用。技術指標 加速電壓:200V~30KV。主要功能 固體物質表面形貌與成分分析。
場發射掃描電子顯微鏡 場發射掃描電子顯微鏡(FESEM)是電子顯微鏡的一種。該儀器具有超高分辨率,能做各種固態樣品表面形貌的二次電子像、反射電子象觀察及圖像處理。該儀器利用二次電子成像原理,在鍍膜或不鍍膜的基礎上,低電壓下通過在...
熱場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2018年12月20日啟用。技術指標 1.具有高分辨能力的半浸沒式物鏡(Semi-in-lens) 半浸沒式物鏡能將電子束收縮的很細,即使在低加速電壓下也能實現高分辨。 2.採用GENTLE...
熱場發射掃描式電子顯微鏡是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2012年12月3日啟用。技術指標 電壓1KV-30KV,樣品高度不能超過3.5cm,長寬不超過5cm.。主要功能 由於掃描電子顯微鏡可用多種物理信號對樣品進行綜合分析,並具有...
冷場發射掃描式電子顯微鏡是一種用於化學、材料科學、冶金工程技術、物理學領域的分析儀器,於2015年3月31日啟用。技術指標 本台場發射電鏡適用於常溫下觀測非磁性、無揮發導電材料,不導電材料可噴鍍導電層之後觀測。25倍到65萬倍連續...
冷凍場發射掃描電子顯微鏡是一種用於化學、生物學、材料科學領域的分析儀器,於2018年12月20日啟用。技術指標 1.解析度: ≤0.6 nm@15 keV (二次電子),≤1.1 nm@1 keV,≤1.2 nm@500 eV(二次電子,無需減速模式); 2...
1. 利用掃描透射電子顯微鏡可以觀察較厚的試樣和低襯度的試樣。2. 利用掃描透射模式時物鏡的強激勵,可以實現微區衍射。3. 利用後接能量分析器的方法可以分別收集和處理彈性散射和非彈性散射電子。4. 進行高分辨分析、成像及生物大...
冷場場發射掃描電子顯微鏡是一種用於物理學、化學、生物學、材料科學領域的分析儀器,於2017年3月22日啟用。技術指標 解析度 1.0nm @ 15kV,能譜解析度133eV(Mn Ka),分析元素B(5)-- U(92)。主要功能 本儀器具有高的解析度,...
0.10nm;信息解析度≤0.15nm。主要功能 可對金屬、無機非金屬材料、陶瓷材料和各種納米材料進行透射電子顯微像,高分辨像,電子衍射,掃描透射分析,能譜微區點、線和面的元素成分分析。對樣品進行能量過濾像和能量損失譜分析。
場發射掃描電子顯微鏡系統是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2013年9月13日啟用。技術指標 二次電子分辨率 1.0nm (加速電壓15kV、WD=4mm) 1.3nm (加速電壓1kV、WD=1.5mm) 加速電壓 0.1~30kV 觀測倍率 20~8000,000(...
冷場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2011年5月1日啟用。技術指標 解析度:1.0nm (15KV), 1.4 nm (1KV) 放大倍數:25-100萬倍加速電壓:0.1KV-30KV 束流強度:10-13-2x10-9。主要附屬檔案:牛津儀器INCA ...
高分辨分析型場發射掃描電鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2018年7月12日啟用。技術指標 加速電壓80,100,120,160,200 kV 點解析度:0.194 nm 線解析度:0.14 nm 放大倍數:1,500,000倍。主要功能 微觀組織分析。
FEI場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2014年4月24日啟用。技術指標 二次電子分辨率 15KV時優於0.8nm,1KV時優於0.9nm;STEM模式,BF像 30KV時優於0.6nm。主要功能 帶能量單色過濾器,超高分辨率熱場發射...