高分辨熱場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2015年9月11日啟用。
基本介紹
- 中文名:高分辨熱場發射掃描電子顯微鏡
- 產地:英國
- 學科領域:材料科學
- 啟用日期:2015年9月11日
- 所屬類別:分析儀器 > 電子光學儀器 > 掃描電鏡
高分辨熱場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2015年9月11日啟用。
高分辨熱場發射掃描電子顯微鏡 高分辨熱場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2015年9月11日啟用。技術指標 15kV解析度0.6nm,1kV解析度1.6nm。主要功能 測試樣品表面形貌及微區成分。
高分辨場發射電子顯微鏡 高分辨場發射電子顯微鏡是一種用於化學領域的分析儀器,於2014年10月1日啟用。技術指標 解析度1.0nm(15kV,4mm)。主要功能 形貌觀察。
高分辨場發射掃描式電子顯微鏡 高分辨場發射掃描式電子顯微鏡是一種用於電子與通信技術領域的分析儀器,於2012年5月2日啟用。技術指標 放大倍率:14~1000000倍。主要功能 高分辨場發射掃描式電子顯微鏡。
熱場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2018年12月20日啟用。技術指標 1.具有高分辨能力的半浸沒式物鏡(Semi-in-lens) 半浸沒式物鏡能將電子束收縮的很細,即使在低加速電壓下也能實現高分辨。 2.採用GENTLE...
筆者以德國蔡司ULTRA PLUS掃描電子顯微鏡為例,從環境條件、光學系統、真空系統及附屬檔案設施4個方面總結了熱場發射掃描電子顯微鏡運行狀態的幾種檢查方法和維護保養經驗,並結合故障實例進行了分析 [1] 。
場發射高分辨電子顯微鏡是一種用於物理學、材料科學領域的分析儀器,於2005年8月6日啟用。技術指標 性能指標:點解析度0.19 nm,線解析度0.14 nm,EELS能量譜解析度0.7 eV,EDS能量解析度136 eV。主要功能 固體材料結構和成分分析。
高分辨場發射掃描電子顯微鏡系統是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2018年12月21日啟用。技術指標 二次電子分辨率≤0.6nm(15kV);二次電子分辨率≤0.9nm(1kV)。主要功能 圖像解析度高放大倍率大、對樣品沒有損傷、試樣製備簡單、...
高分辨場發射透射電子顯微鏡是一種用於化學、材料科學、生物學領域的分析儀器,於2012年11月2日啟用。技術指標 場發射電子槍,加速電壓:20-200kV連續調節,放大倍數:25-1,000,000,點解析度:0.24nm;線解析度:0.102nm,信息解析度...
高分辨場發射掃描電子顯微分析系統是一種用於物理學、化學領域的分析儀器,於2015年9月24日啟用。技術指標 解析度: 二次電子(SE)像,高真空模式:15 kV時1.0 nm,1 k V時優於1.4 nm(非減速模式),低真空模式:30 kV時1.8nm...
高分辨冷場發射掃描電子顯微鏡是一種用於藥學領域的分析儀器,於2013年11月27日啟用。技術指標 解析度 、放大倍數 、加速電壓、傾斜角。主要功能 具備超高分辨掃描圖像觀察能力,尤其是採用最新數位化圖像處理技術,提供高倍數、高分辨掃描...
場發射超高分辨透射電子顯微鏡是一種用於生物學、化學、物理學、農學領域的分析儀器,於2017年6月21日啟用。技術指標 加速電壓200 kV;TEM晶格解析度~0.1 nm;STEM解析度~0.16 nm;SEI解析度~0.5 nm;放大倍率:TEM:500x~2Mx;...
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冷凍場發射掃描電子顯微鏡是一種用於化學、生物學、材料科學領域的分析儀器,於2018年12月20日啟用。技術指標 1.解析度: ≤0.6 nm@15 keV (二次電子),≤1.1 nm@1 keV,≤1.2 nm@500 eV(二次電子,無需減速模式); 2...
筆者以德國蔡司ULTRA PLUS掃描電子顯微鏡為例,從環境條件、光學系統、真空系統及附屬檔案設施4個方面總結了熱場發射掃描電子顯微鏡運行狀態的幾種檢查方法和維護保養經驗。相關研究 鋯石等測年礦物的陰極螢光(CL)圖像分析是礦物微區成分分析和U...
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