高分辨場發射掃描電子顯微分析系統

高分辨場發射掃描電子顯微分析系統是一種用於物理學、化學領域的分析儀器，於2015年9月24日啟用。

基本介紹

• 中文名：高分辨場發射掃描電子顯微分析系統
• 產地：美國
• 學科領域：物理學、化學
• 啟用日期：2015年9月24日
• 所屬類別：分析儀器

技術指標

解析度： 二次電子（SE）像,高真空模式：15 kV時1.0 nm,1 k V時優於1.4 nm(非減速模式),低真空模式：30 kV時1.8nm；放大倍率：範圍35 ～ 1，000,000倍；著陸電壓：50V ～ 30 kV；電子槍：肖特基場發射電子槍；電子束流：0.6pA ～ 200 nA，連續可調。

主要功能

本設備主要面向金屬、半導體、陶瓷、納米材料、功能材料、催化劑的研究和技術開發，用於觀察分析以上固體物質和材料的表面形貌和組織結構，不同物質的組分及元素分布，多晶體取向分析等。