超高分辨場發射掃描電子顯微鏡是一種用於能源科學技術、航空、航天科學技術、考古學領域的分析儀器,於2014年9月1日啟用。
基本介紹
- 中文名:超高分辨場發射掃描電子顯微鏡
- 產地:日本
- 學科領域:能源科學技術、航空、航天科學技術、考古學
- 啟用日期:2014年9月1日
- 所屬類別:分析儀器 > 電子光學儀器 > 掃描電鏡
超高分辨場發射掃描電子顯微鏡是一種用於能源科學技術、航空、航天科學技術、考古學領域的分析儀器,於2014年9月1日啟用。
超高分辨場發射掃描電子顯微鏡是一種用於能源科學技術、航空、航天科學技術、考古學領域的分析儀器,於2014年9月1日啟用。技術指標 次電子圖像分率:1.0 nm(加速電壓 15 kV, WD=4 mm) 1.3 nm(著陸電壓 1 kV, WD=1.5 mm) ...
超高分辨熱場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2007年07月21日啟用。技術指標 1. 解析度 高真空模式 1.0nm @ 15kv;1.8nm @ 1kv;0.8nm @ 30kv(stem探測器);低真空模式 1.5nm @ 10kv(helix探測器)...
日立超高分辨場發射掃描電子顯微鏡是一種用於物理學、化學、生物學、農學領域的分析儀器,於2015年12月1日啟用。技術指標 超高解析度成像。主要功能 ⑴生物:種子、花粉、細菌…… ⑵醫學:血球、病毒…… ⑶動物:大腸、絨毛、細胞、纖維...
超高分辨率場發射掃描電子顯微鏡是一種用於物理學、材料科學領域的分析儀器,於2010年10月01日啟用。技術指標 加速電壓:1-15KV,放大倍數:120000-220000倍,二次電子分辨率:1.4nm(1kV,減速模式),1.0nm(15kV);。主要功能 ...
超高分辨場發射電子顯微鏡是一種用於化學工程領域的分析儀器,於2017年11月17日啟用。技術指標 1.加速電壓:0.1kV - 30kV 2.解析度:0.8nm(15kV) 3.放大倍率:20x – 800,000x 4.配備日本Horiba公司能譜儀:X-MAX,檢測元素範圍...
高分辨率場發射掃描電子顯微鏡 高分辨率場發射掃描電子顯微鏡是一種用於物理學領域的分析儀器,於2010年6月15日啟用。技術指標 解析度優於10nm。主要功能 分析材料的表面形貌。
超高分辨場發射掃描電鏡 超高分辨場發射掃描電鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2019年12月12日啟用。技術指標 放大範圍:12X-2000000X,連續可調,加速電壓範圍:20V-30KV,0.7nm@15KV,1.2nm@1KV。主要功能 超高分辨成像。
高分辨場發射掃描式電子顯微鏡 高分辨場發射掃描式電子顯微鏡是一種用於電子與通信技術領域的分析儀器,於2012年5月2日啟用。技術指標 放大倍率:14~1000000倍。主要功能 高分辨場發射掃描式電子顯微鏡。
超高分辨熱場發射掃描電鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2013年9月10日啟用。技術指標 加速電壓0.3-30kV,解析度1nm,放大倍數18倍至30萬倍連續可調,成像信號:二次電子、背散射電子和特徵X射線。主要功能 固體物質表面形貌觀察...
高分辨場發射掃描電子顯微鏡系統是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2018年12月21日啟用。技術指標 二次電子解析度≤0.6nm(15kV);二次電子解析度≤0.9nm(1kV)。主要功能 圖像解析度高放大倍率大、對樣品沒有損傷、試樣製備簡單、...
場發射高分辨電子顯微鏡是一種用於物理學、材料科學領域的分析儀器,於2005年8月6日啟用。技術指標 性能指標:點解析度0.19 nm,線解析度0.14 nm,EELS能量譜解析度0.7 eV,EDS能量解析度136 eV。主要功能 固體材料結構和成分分析。
超高分辨率掃描電子顯微鏡是專門為現今技術研究和發展設計的超高分辨率儀器。目錄 1 產品介紹 2 產品特點 產品介紹 冷場發射掃描電子顯微鏡m213451是專門為現今技術研究和發展設計的超高分辨率儀器 [1] 。獨特之處在於使用複合檢測器允許同...
場發射掃描電子顯微鏡(FESEM)是電子顯微鏡的一種。該儀器具有超高分辨率,能做各種固態樣品表面形貌的二次電子像、反射電子象觀察及圖像處理。該儀器利用二次電子成像原理,在鍍膜或不鍍膜的基礎上,低電壓下通過在納米尺度上觀察生物樣品如...
超高分辨掃描電子顯微鏡是一種用於物理學、材料科學領域的分析儀器,於2017年12月22日啟用。技術指標 15 KV:解析度0.8nm(工作距離4nm), 1 KV: 1.1 nm (減速模式),5軸馬達自動驅動。主要功能 表面形貌分析和測量,端面膜厚...
超高分辨冷場發射掃描電鏡是一種用於化學、生物學、環境科學技術及資源科學技術領域的分析儀器,於2019年10月11日啟用。技術指標 1、二次電子分辨率:≥1.0nm (加速電壓15kV)、≥2.0nm (加速電壓1kV)、≥1.3nm (照射電壓1kV,使用...
主要用途: Quanta 200 FEG場發射環境掃描電子顯微鏡綜合場發射電鏡高分辨和ESEM環境掃描電鏡適合樣品多樣性的優勢中文名 場發射環境掃描電子顯微鏡 主要用途 Quanta 200 儀器類別 台式掃描電子顯微鏡 指標信息 場發射環境掃描電子顯微鏡...
高分辨率肖特基場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2014年11月26日啟用。技術指標 1、 電子光學工作模式有:解析度、景深、視野、大視野、搖擺電子束 2、 高真空下的解析度(二次電子):30kV下1.2nm,3kV下2.5...
高分辨熱場發射掃描電子顯微鏡 高分辨熱場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2015年9月11日啟用。技術指標 15kV解析度0.6nm,1kV解析度1.6nm。主要功能 測試樣品表面形貌及微區成分。
場發射掃描電子顯微鏡 場發射掃描電子顯微鏡(FESEM)是電子顯微鏡的一種。該儀器具有超高分辨率,能做各種固態樣品表面形貌的二次電子像、反射電子象觀察及圖像處理。該儀器利用二次電子成像原理,在鍍膜或不鍍膜的基礎上,低電壓下通過在...
熱場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2018年12月20日啟用。技術指標 1.具有高分辨能力的半浸沒式物鏡(Semi-in-lens) 半浸沒式物鏡能將電子束收縮的很細,即使在低加速電壓下也能實現高分辨。 2.採用GENTLE...
高分辨冷場發射掃描電子顯微鏡是一種用於藥學領域的分析儀器,於2013年11月27日啟用。技術指標 解析度 、放大倍數 、加速電壓、傾斜角。主要功能 具備超高分辨掃描圖像觀察能力,尤其是採用最新數位化圖像處理技術,提供高倍數、高分辨掃描...
FEI場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2014年4月24日啟用。技術指標 二次電子分辨率 15KV時優於0.8nm,1KV時優於0.9nm;STEM模式,BF像 30KV時優於0.6nm。主要功能 帶能量單色過濾器,超高分辨率熱場發射...
冷凍場發射掃描電子顯微鏡是一種用於化學、生物學、材料科學領域的分析儀器,於2018年12月20日啟用。技術指標 1.解析度: ≤0.6 nm@15 keV (二次電子),≤1.1 nm@1 keV,≤1.2 nm@500 eV(二次電子,無需減速模式); 2...
冷場場發射掃描電子顯微鏡是一種用於物理學、化學、生物學、材料科學領域的分析儀器,於2017年3月22日啟用。技術指標 解析度 1.0nm @ 15kV,能譜解析度133eV(Mn Ka),分析元素B(5)-- U(92)。主要功能 本儀器具有高的解析度,...
超高分辨冷場掃描電子顯微鏡是一種用於能源科學技術領域的分析儀器,於2017年1月16日啟用。技術指標 主要技術特點:(1)優秀的低加速電壓成像能力,1kv解析度可達1.3nm;(2)Upper探頭可選擇接受二次電子像或背散射電子像;(3)可以...
雙束場發射掃描電子顯微鏡系統是一種用於生物學、材料科學、化學工程領域的分析儀器,於2011年12月27日啟用。技術指標 1、場發射槍 2、FIB最大束流20nA,SEM解析度1.1nm@20kv,FIB解析度2.5nm@30kv 3、具有Pt氣體沉積系統。主要功能...
場發射序列掃描電子顯微鏡系統是一種用於基礎醫學領域的分析儀器,於2017年12月4日啟用。技術指標 1kV解析度小於1.3nm,30kV解析度小於1nm。具有多能量電子成像功能,配合內置切片機和專用探測器實現樣品三維空間的超高對比度和極高分辨率成...
掃描電子顯微鏡類型多樣, 不同類型的掃描電子顯微鏡存在性能上的差異。根據電子槍種類可分為三種:場發射電子槍、鎢絲槍和六硼化鑭。其中, 場發射掃描電子顯微鏡根據光源性能可分為冷場發射掃描電子顯微鏡和熱場發射掃描電子顯微鏡。冷場發射...
超高分辨掃描電鏡是一種用於數學領域的分析儀器,於2005年2月1日啟用。技術指標 型號:Sirion 200 加速電壓:200V-30KV; 解析度:10KV,1.5nm;1KV,2.5nm;EDAX 能譜儀:133eV,Be-U。 熱場發射電子槍,配能譜儀,可用於...