超高分辨掃描電鏡是一種用於數學領域的分析儀器,於2005年2月1日啟用。
基本介紹
- 中文名:超高分辨掃描電鏡
- 產地:荷蘭
- 學科領域:數學
- 啟用日期:2005年2月1日
- 所屬類別:分析儀器 > 顯微鏡及圖象分析儀器 > 掃描探針顯微鏡
超高分辨掃描電鏡是一種用於數學領域的分析儀器,於2005年2月1日啟用。
超高解析度掃描電鏡是一種用於物理學、材料科學領域的分析儀器,於2003年07月28日啟用。技術指標 在30KV保證0.5nm;在1KV保證1.8nm(在2KV,可得到1.2nm);最大放大倍率1,000,000倍;機器穩定性提高,在地面振動條件10μm (P-P...
超高分辨掃描電子顯微鏡是一種用於物理學、材料科學領域的分析儀器,於2017年12月22日啟用。技術指標 15 KV:解析度0.8nm(工作距離4nm), 1 KV: 1.1 nm (減速模式),5軸馬達自動驅動。主要功能 表面形貌分析和測量,端面膜厚...
超高解析度場發掃描電鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2018年6月28日啟用。技術指標 新研發的冷場電子槍·利用電子槍轟擊後的高亮度穩定期,高分辨觀察和分析兼顧·大幅提高解析度(1.1nm/1kV、0.8nm/15kV)·減輕污染的高真空...
超高分辨場發射掃描電鏡 超高分辨場發射掃描電鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2019年12月12日啟用。技術指標 放大範圍:12X-2000000X,連續可調,加速電壓範圍:20V-30KV,0.7nm@15KV,1.2nm@1KV。主要功能 超高分辨成像。
超高分辨冷場發射掃描電鏡是一種用於化學、生物學、環境科學技術及資源科學技術領域的分析儀器,於2019年10月11日啟用。技術指標 1、二次電子解析度:≥1.0nm (加速電壓15kV)、≥2.0nm (加速電壓1kV)、≥1.3nm (照射電壓1kV,使用...
超高分辨場發射掃描電子顯微鏡是一種用於能源科學技術、航空、航天科學技術、考古學領域的分析儀器,於2014年9月1日啟用。技術指標 次電子圖像分率:1.0 nm(加速電壓 15 kV, WD=4 mm) 1.3 nm(著陸電壓 1 kV, WD=1.5 mm) ...
超高分辨熱場發射掃描電鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2013年9月10日啟用。技術指標 加速電壓0.3-30kV,解析度1nm,放大倍數18倍至30萬倍連續可調,成像信號:二次電子、背散射電子和特徵X射線。主要功能 固體物質表面形貌觀察...
高分辨率場發射掃描電鏡 高解析度場發射掃描電鏡是一種用於物理學、化學領域的分析儀器,於2016年12月20日啟用。技術指標 解析度:1.0nm(加速電壓15KV);2nm(加速電壓1KV)。主要功能 形貌觀察、微區分析。
高分辨分析型場發射掃描電鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2018年7月12日啟用。技術指標 加速電壓80,100,120,160,200 kV 點解析度:0.194 nm 線解析度:0.14 nm 放大倍數:1,500,000倍。主要功能 微觀組織分析。
二次電子成象是使用掃描電鏡所獲得的各種圖象中套用最廣泛,分辨本領最高的一種圖象。我們以二次電子成象為例來說明掃描電鏡成象的原理。由電子槍發射的電子束最高可達30keV,經會聚透鏡、物鏡縮小和聚焦,在樣品表面形成一個具有一定...
高分辨冷場掃描電鏡是一種用於化學、生物學領域的分析儀器,於2011年03月16日啟用。技術指標 二次電子解析度1.0nm(15KV),2.0nm(1KV),1.4nm(1KV減速模式);加速電壓0.5-30KV(0.1KV/步,可變),放大倍率:X20-X800000...
場發射掃描電子顯微鏡(簡稱場發射掃描電鏡)是研究微觀世界的重要工具之一,為人們在微納米尺度上研究物質的結構提供了有力的手段,在材料科學等眾多學科領域及質量過程控制中得到日益廣泛的套用。
超高分辨場發射電子顯微鏡是一種用於化學工程領域的分析儀器,於2017年11月17日啟用。技術指標 1.加速電壓:0.1kV - 30kV 2.解析度:0.8nm(15kV) 3.放大倍率:20x – 800,000x 4.配備日本Horiba公司能譜儀:X-MAX,檢測元素範圍...
多功能超高分辨電子束刻蝕系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2013年5月30日啟用。技術指標 特徵尺度小於10納米,線間距小於40納米,樣品尺寸4英寸。主要功能 多功能超高分辨電子束刻蝕系統包含電子束光刻,掃描電鏡成像,電子束原位...
靈活、套用廣泛:其光毒性低,掃描速度快,能夠配合活細胞培養裝置進行超高實驗。並可用於螢光強度分析、FRAP等定量實驗分析;附帶相應的hardware lines key,進行airyscan的操作和數據分析;系統可以與掃描電鏡關聯,升級至關聯顯微鏡。將螢光顯...
低電壓掃描透射電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2018年12月21日啟用。技術指標 二次電子解析度:優於0.6nm(30kV);優於0.9nm(1kV);STEM解析度:優於0.4nm。主要功能 可高效率的獲取樣品超高分辨掃描電鏡圖像,...
(1)利用掃描電鏡的鎢燈絲電子槍,通過結構改造,實現了電子槍的倒置工作,電子束束斑的空間分辨率可以達到6-8nm。(2)利用納米級厚度的氮化矽的電子束激發發光,研製了具有納米尺度和掃描功能的點光源。點光源的尺度主要由電子束束...
儀器類別: 0304070201 /儀器儀表 /光學儀器 /電子光學及離子光學儀器 /掃描式電子顯微鏡 指標信息: 二次電子成像,背散射成像,陰極螢光成像;分辨率:高真空:30KV時,為1.5nm; 1KV時,為3nm; X射線能譜分析:元素分析範圍B-U...
3.2 低電壓掃描電鏡的重要突破 3.3 低電壓掃描電鏡的技術發展 3.3.1 減速模式 3.3.2 探測器 3.3.3 帶像差校正的掃描電鏡 3.3.4 帶單色器的超高分辨率掃描電鏡 3.4 低電壓掃描電鏡的套用 3.4.1 在熱敏感材料...
為防止不導電的樣品在掃描電子顯微鏡中積累靜電它們的表面必須覆蓋一層導電層。缺點 1.在電子顯微鏡中樣本必須在真空中觀察,因此無法觀察活樣本。隨著技術的進步,環境掃描電鏡將逐漸實現直接對活樣本的觀察;2.在處理樣本時可能會產生樣本...
在大分子測量用納米孔器件製造方面有創新;關於透射電鏡理論和方法的工作被國際綜述文章和教科書引用;截至2022年4月,和其研究團隊擁有包括3台透射和2台掃描電鏡等電鏡設備與技術,可以實現納米電子衍射、波函式重構和高分辨HAADF STEM等...
《LAB6陰極掃描電鏡極限分辨率研究》是依託四川大學,由張銘誠擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 目前對雷達波資料的處理仍停滯在借鑑反射地震處理軟體的水平,然而,高頻雷達波在地球介質中是有較強的衰減特徵的。本研究從它和地震波...
研究磷脂(以DSPE-PEG為例)等材料對碳納米管分散性的影響,以高速離心時間作為分散穩定性考察指標;採用濕法或納米沉積法,將難溶性藥物填充碳納米管內部,高分辨掃描電鏡觀察藥物進入碳納米管內的情況,熱重分析測定載藥量,透析法考察碳...
實驗室總面積達3800平方米,新增儀器設備總值2360萬元,儀器設備總值達4860萬元,擁有雷射粒度拉曼光譜儀(英國Renishaw inVia)、超高分辨冷場發射掃描電鏡(日立SU8010)和鎢絲燈掃描電子顯微鏡(日立S-3400N)、400兆核磁共振波譜儀(...
擁有包括高分辨拉曼/PL光譜成像、單晶X射線衍射儀、X射線衍射儀及超高分辨熱場發射掃描電鏡等多個大型科研儀器設備。先後承擔了國家自然科學基金項目、教育部新世紀優秀人才資助項目、吉林省重大專項等國家和省部級科研項目百餘項,科研經費達...
掃描電鏡的分辨本領可望達到0.2—0.3nm並觀察到原子像。關鍵字:透射電子顯微鏡掃描電子顯微鏡儀器製造與發展 電子顯微鏡(簡稱電鏡,EM)經過五十多年的發展已成為現代科學技術中不可缺少的重要工具。我國的電子顯微學也有了長足的進展。電子...
自1938年Ruska發明第一台透射電子顯微鏡至今,除了透射電鏡本身的性能不斷的提高外,還發展了其他多種類型的電鏡。如掃描電鏡、分析電鏡、超高壓電鏡等。結合各種電鏡樣品製備技術,可對樣品進行多方面的結構 或結構與功能關係的深入研究。...