超高分辨場發射掃描電鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2019年12月12日啟用。
基本介紹
- 中文名:超高分辨場發射掃描電鏡
- 產地:中國
- 學科領域:材料科學
- 啟用日期:2019年12月12日
- 所屬類別:分析儀器 > 電子光學儀器 > 掃描電鏡
超高分辨場發射掃描電鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2019年12月12日啟用。
超高分辨場發射掃描電鏡 超高分辨場發射掃描電鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2019年12月12日啟用。技術指標 放大範圍:12X-2000000X,連續可調,加速電壓範圍:20V-30KV,0.7nm@15KV,1.2nm@1KV。主要功能 超高分辨成像。
場發射掃描電子顯微鏡(FESEM)是電子顯微鏡的一種。該儀器具有超高分辨率,能做各種固態樣品表面形貌的二次電子像、反射電子象觀察及圖像處理。該儀器利用二次電子成像原理,在鍍膜或不鍍膜的基礎上,低電壓下通過在納米尺度上觀察生物樣品如組織、細胞、微生物以及生物大分子等,獲得忠實原貌的立體感極強的樣品表面超...
高解析度場發射掃描電鏡 高解析度場發射掃描電鏡是一種用於物理學、化學領域的分析儀器,於2016年12月20日啟用。技術指標 解析度:1.0nm(加速電壓15KV);2nm(加速電壓1KV)。主要功能 形貌觀察、微區分析。
超高分辨冷場發射掃描電鏡是一種用於化學、生物學、環境科學技術及資源科學技術領域的分析儀器,於2019年10月11日啟用。技術指標 1、二次電子解析度:≥1.0nm (加速電壓15kV)、≥2.0nm (加速電壓1kV)、≥1.3nm (照射電壓1kV,使用減速裝置)。 2、加速電壓:0.1-30 kV,放大倍數:20-80萬倍(底片模式)、60...
高分辨分析型場發射掃描電鏡 高分辨分析型場發射掃描電鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2018年7月12日啟用。技術指標 加速電壓80,100,120,160,200 kV 點解析度:0.194 nm 線解析度:0.14 nm 放大倍數:1,500,000倍。主要功能 微觀組織分析。
場發射電鏡是一種用於材料科學領域的儀器,於2016年06月12日啟用。技術指標 二次電子分辨率:1.0 nm (15 kv,WD = 4 mm )1.4 nm (1 kv,WD = 1.5 mm ,減速模式) 2.0 nm (1kv,WD = 1.5 mm,普通模式) 電子槍:冷場發射電子源 加速電壓:0.5 kv - 30 kv 放大倍率:20倍 – 800...
場發射掃描電子顯微鏡(簡稱場發射掃描電鏡)是研究微觀世界的重要工具之一,為人們在微納米尺度上研究物質的結構提供了有力的手段,在材料科學等眾多學科領域及質量過程控制中得到日益廣泛的套用。
超高分辨熱場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2007年07月21日啟用。技術指標 1. 解析度 高真空模式 1.0nm @ 15kv;1.8nm @ 1kv;0.8nm @ 30kv(stem探測器);低真空模式 1.5nm @ 10kv(helix探測器);1.8nm @ 3kv(helix探測器);2. 加速電壓 200v - 30kv,連續可調;...
超高分辨掃描電鏡是一種用於數學領域的分析儀器,於2005年2月1日啟用。技術指標 型號:Sirion 200 加速電壓:200V-30KV; 解析度:10KV,1.5nm;1KV,2.5nm;EDAX 能譜儀:133eV,Be-U。 熱場發射電子槍,配能譜儀,可用於各種固體材料的表面形貌分析與測量;用於材料的化學成份及相關成份分析。主要功能 熱...
日立超高分辨場發射掃描電子顯微鏡是一種用於物理學、化學、生物學、農學領域的分析儀器,於2015年12月1日啟用。技術指標 超高解析度成像。主要功能 ⑴生物:種子、花粉、細菌…… ⑵醫學:血球、病毒…… ⑶動物:大腸、絨毛、細胞、纖維…… ⑷材料[1] :陶瓷、高分子、粉末、金屬、金屬夾雜物、環氧樹脂…… ⑸...
m213451在半導體設備和過程評估上也很有用,這種超高分辨率的電子顯微裝置可以採用1KV的加速電壓,保證1.8nm的解析度。採用了獨特操作方式減少荷電假象和邊緣效應,這些優異性能使其遠遠領先於其他掃描電鏡。產品特點 世界上最高解析度的掃描電子顯微鏡 ◎ 在30KV保證0.5nm ◎ 在1KV保證1.8nm(在2KV,可得到1.2nm...
超高分辨熱場發射掃描電鏡 超高分辨熱場發射掃描電鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2013年9月10日啟用。技術指標 加速電壓0.3-30kV,解析度1nm,放大倍數18倍至30萬倍連續可調,成像信號:二次電子、背散射電子和特徵X射線。主要功能 固體物質表面形貌觀察和成分分析。
超高分辨場發射電子顯微鏡是一種用於化學工程領域的分析儀器,於2017年11月17日啟用。技術指標 1.加速電壓:0.1kV - 30kV 2.解析度:0.8nm(15kV) 3.放大倍率:20x – 800,000x 4.配備日本Horiba公司能譜儀:X-MAX,檢測元素範圍4Be~92U。主要功能 金屬、非金屬、生物等各種樣品的納米尺度的形貌分析;微區...
FEI場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2014年4月24日啟用。技術指標 二次電子解析度 15KV時優於0.8nm,1KV時優於0.9nm;STEM模式,BF像 30KV時優於0.6nm。主要功能 帶能量單色過濾器,超高分辨率熱場發射掃描電鏡,低加速電壓下具有較高的解析度,能夠直接觀察不導電材料的顯微結構,熱...
掃描透射電子顯微鏡(簡稱掃描透射電鏡,STEM)則兼有兩者的性能。為了進一步表征儀器的特點,有以加速電壓區分的,如:超高壓(1MV)和中等電壓(200—500kV)透射電鏡、低電壓(~1kV)掃描電鏡;有以電子槍類型區分的,如場發射槍電鏡;有以用途區分的,如高分辨電鏡,分析電鏡、能量選擇電鏡、生物電鏡、環境電鏡、原位...
實驗室總面積達3800平方米,新增儀器設備總值2360萬元,儀器設備總值達4860萬元,擁有雷射粒度拉曼光譜儀(英國Renishaw inVia)、超高分辨冷場發射掃描電鏡(日立SU8010)和鎢絲燈掃描電子顯微鏡(日立S-3400N)、400兆核磁共振波譜儀(Bruker AVANCE 400)、倒置螢光顯微鏡、多晶X-射線衍射儀、皮秒和頻光譜儀、高性能...
如高氮不鏽鋼、鐵素體時效不鏽鋼、高強度不鏽鋼、雙相不鏽鋼等),高效率耐熱鋼(如超超臨界火電機組用鐵素體耐熱鋼等),超高潔淨度高碳鉻軸承制鋼,高性能工具鋼等新型先進鋼鐵材料;在研究方法上,套用了包括數字金相顯微鏡技術、彩色金相技術、高分辨透射電鏡分析技術(TEM)、分辨場發射掃描電鏡分析技術(SEM)、...
在晶體生長和薄膜製備方面,擁有先進的CG6000大直徑矽單晶生長爐、超高真空CVD外延設備以及MOCVD、液相外延爐、磁控濺射和熱蒸發薄膜生長設備等。在半導體分析測試方面,擁有Bede D1光衍射儀器、SSM—350擴展電阻儀,傅立葉紅外光譜儀、CM200型超高分辨透射電子顯微鏡、Hitachi S4800場發射掃描電鏡、Edinburgh FLS920 螢光...