基本介紹
- 中文名：超高分辨掃描電子顯微鏡
- 產地：日本
- 學科領域：物理學、材料科學
- 啟用日期：2017年12月22日
- 所屬類別：分析儀器 > 電子光學儀器 > 掃描電鏡
技術指標,主要功能,
技術指標
15 KV：解析度０.８nm（工作距離檔懂尋４nm), 1 KV: 1.1 nm (減速模式），挨鞏祝5軸馬達自動地犁驅動。
主要功能
表挨朽乃面形貌分析和測量，端面膜厚您邀凶測量,圖形測量。夜舟探旋道廈戀刪
超高分辨掃描電子顯微鏡
相關詞條
- 超高分辨掃描電子顯微鏡
超高分辨掃描電子顯微鏡是一種用於物理學、材料科學領域的分析儀器，於2017年12月22日啟用。技術指標 15 KV：解析度０.８nm（工作距離４nm), 1 KV: 1.1 nm (減速模式），5軸馬達自動驅動。主要功能 表面形貌分析和測量，端面膜厚...
- 超高分辨率掃描電子顯微鏡
超高分辨率掃描電子顯微鏡是專門為現今技術研究和發展設計的超高分辨率儀器。目錄 1 產品介紹 2 產品特點 產品介紹 冷場發射掃描電子顯微鏡m213451是專門為現今技術研究和發展設計的超高分辨率儀器 [1] 。獨特之處在於使用複合檢測器允許同...
- 超高分辨場發射掃描電子顯微鏡
超高分辨場發射掃描電子顯微鏡是一種用於能源科學技術、航空、航天科學技術、考古學領域的分析儀器，於2014年9月1日啟用。技術指標 次電子圖像分率：1.0 nm(加速電壓 15 kV, WD=4 mm) 1.3 nm(著陸電壓 1 kV, WD=1.5 mm) ...
- 高分辨掃描電子顯微鏡
高分辨掃描電子顯微鏡是一種用於化學、材料科學、環境科學技術及資源科學技術領域的分析儀器，於2018年11月07日啟用。技術指標 1.低加速電壓成像能力，1kv解析度可達1.3nm 2.不需噴鍍，可以直接觀測不導電樣品 3. 配置Lower、Upper和Top...
- 超高分辨熱場發射掃描電子顯微鏡
超高分辨熱場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2007年07月21日啟用。技術指標 1. 解析度 高真空模式 1.0nm @ 15kv；1.8nm @ 1kv；0.8nm @ 30kv(stem探測器)；低真空模式 1.5nm @ 10kv(helix探測器)...
- 超高分辨冷場掃描電子顯微鏡
超高分辨冷場掃描電子顯微鏡是一種用於能源科學技術領域的分析儀器，於2017年1月16日啟用。技術指標 主要技術特點：（1）優秀的低加速電壓成像能力，1kv解析度可達1.3nm；（2）Upper探頭可選擇接受二次電子像或背散射電子像；（3）可以...
- 超高分辨場發射電子顯微鏡
超高分辨場發射電子顯微鏡是一種用於化學工程領域的分析儀器，於2017年11月17日啟用。技術指標 1.加速電壓：0.1kV - 30kV 2.解析度：0.8nm(15kV) 3.放大倍率：20x – 800,000x 4.配備日本Horiba公司能譜儀：X-MAX，檢測元素範圍...
- 日立超高分辨場發射掃描電子顯微鏡
日立超高分辨場發射掃描電子顯微鏡是一種用於物理學、化學、生物學、農學領域的分析儀器，於2015年12月1日啟用。技術指標 超高分辨率成像。主要功能 ⑴生物：種子、花粉、細菌…… ⑵醫學：血球、病毒…… ⑶動物：大腸、絨毛、細胞、纖...
- 日立高分辨掃描電子顯微鏡
日立高分辨掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2010年3月18日啟用。技術指標 加速電壓0.5-30KV；高加速電壓15KV，二次電子圖像解析度1nm；低加速電壓，二次電子圖像解析度2nm；低倍模式放大倍數30X-2000X；高倍模式放大...
- 高分辨率掃描電子顯微鏡
高分辨率掃描電子顯微鏡是一種用於化學、地球科學、生物學、材料科學領域的分析儀器，於2013年1月8日啟用。技術指標 ① 加速電壓：0.1～30 kV ② 觀測倍率：20～1,200,000 ③ 二次電子分辨率：1.0nm（加速電壓15kV），1.3nm（...
- 超高分辨率場發射掃描電子顯微鏡
超高分辨率場發射掃描電子顯微鏡是一種用於物理學、材料科學領域的分析儀器，於2010年10月01日啟用。技術指標 加速電壓：1-15KV，放大倍數：120000-220000倍，二次電子分辨率：1.4nm（1kV，減速模式），1.0nm（15kV）；。主要功能 ...
- 高分辨場發射掃描式電子顯微鏡
高分辨場發射掃描式電子顯微鏡 高分辨場發射掃描式電子顯微鏡是一種用於電子與通信技術領域的分析儀器，於2012年5月2日啟用。技術指標 放大倍率：14~1000000倍。主要功能 高分辨場發射掃描式電子顯微鏡。
- 高分辨場發射電子顯微鏡
高分辨場發射電子顯微鏡 高分辨場發射電子顯微鏡是一種用於化學領域的分析儀器，於2014年10月1日啟用。技術指標 解析度1.0nm（15kV,4mm）。主要功能 形貌觀察。
- 高分辨率場發射掃描電子顯微鏡
高分辨率場發射掃描電子顯微鏡 高分辨率場發射掃描電子顯微鏡是一種用於物理學領域的分析儀器，於2010年6月15日啟用。技術指標 解析度優於10nm。主要功能 分析材料的表面形貌。
- 高分辨場發射掃描電子顯微鏡系統
高分辨場發射掃描電子顯微鏡系統是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2018年12月21日啟用。技術指標 二次電子分辨率≤0.6nm(15kV);二次電子分辨率≤0.9nm（1kV）。主要功能 圖像解析度高放大倍率大、對樣品沒有損傷、試樣製備簡單、...
- 高分辨冷場發射掃描電子顯微鏡
高分辨冷場發射掃描電子顯微鏡是一種用於藥學領域的分析儀器，於2013年11月27日啟用。技術指標 解析度 、放大倍數 、加速電壓、傾斜角。主要功能 具備超高分辨掃描圖像觀察能力，尤其是採用最新數位化圖像處理技術，提供高倍數、高分辨掃描...
- 掃描電子顯微鏡
掃描電子顯微鏡（SEM）是1965年發明的較現代的細胞生物學研究工具，主要是利用二次電子信號成像來觀察樣品的表面形態，即用極狹窄的電子束去掃描樣品，通過電子束與樣品的相互作用產生各種效應，其中主要是樣品的二次電子發射。二次電子能夠...
- 場發射掃描電子顯微鏡
場發射掃描電子顯微鏡(FESEM)是電子顯微鏡的一種。該儀器具有超高分辨率,能做各種固態樣品表面形貌的二次電子像、反射電子象觀察及圖像處理。該儀器利用二次電子成像原理,在鍍膜或不鍍膜的基礎上,低電壓下通過在納米尺度上觀察生物樣品如...
- 高真空掃描電子顯微鏡
高真空掃描電子顯微鏡是一種用於物理學、化學領域的分析儀器，於2013年5月13日啟用。技術指標 電子槍: 鎢燈絲二次電子分辨率: 30KV下3.0nm; 3KV下8.0nm 背散射電子分辨率：30KV下3.5nm 加速電壓: 200V~30KV；探針電流﹕ 1pA...
- 最高倍的電子顯微鏡
指日立製作所成功地開發出的具有世界最高分辨能力的"S－5200"掃描式電子顯微鏡 日立製作所最近成功地開發出了具有世界最高分辨能力的"S－5200"掃描式電子顯微鏡，能夠觀察到0.5納米（1納米=10億分之一米）的微小物質。利用一台這樣的...
- 高分辨率肖特基場發射掃描電子顯微鏡
高分辨率肖特基場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2014年11月26日啟用。技術指標 1、 電子光學工作模式有：解析度、景深、視野、大視野、搖擺電子束 2、 高真空下的解析度（二次電子）：30kV下1.2nm,3kV下2.5...
- 透射電子顯微鏡
隨著TEM的發展，相應的掃描透射電子顯微鏡技術被重新研究，而在1970年芝加哥大學的阿爾伯特·克魯發明了場發射槍，同時添加了高質量的物鏡從而發明了現代的掃描透射電子顯微鏡。這種設計可以通過環形暗場成像技術來對原子成像。克魯和他的同事...
- 高真空分析型掃描電子顯微鏡
高真空分析型掃描電子顯微鏡 高真空分析型掃描電子顯微鏡是一種用於化學、材料科學、冶金工程技術、物理學領域的分析儀器，於2012年10月31日啟用。技術指標 電鏡分辨率3.5nm;能譜解析度139ev。主要功能 二次電子像，背散射像，成分分析。
- 高分辨掃描隧道顯微鏡
該低溫高分辨率掃描隧道顯微鏡具備極高的解析度和穩定性：在X-Y 方向小於0.05nm，Z方向小於0.02nm的超高空間解析度，最低溫度達到小於2K，Z 方向外加磁場11T。主要功能 該設備主要研究新型低維材料和超導材料的原子結構、電子結構和...
- 高分辨熱場發射掃描電子顯微鏡
高分辨熱場發射掃描電子顯微鏡 高分辨熱場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2015年9月11日啟用。技術指標 15kV解析度0.6nm，1kV解析度1.6nm。主要功能 測試樣品表面形貌及微區成分。
- 高分辨透射電子顯微鏡系統
高分辨透射電子顯微鏡系統是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2015年11月10日啟用。技術指標 1.Point Resolution: 0.23nm 點解析度：0.23nm 2. Lattice Resolution: 0.102nm 晶格解析度：0.102nm 3. Lattice Resolution on STEM ...
- 場發射槍掃描電子顯微鏡
介紹了一套由場發射環境掃描電子顯微鏡和高性能陰極螢光譜儀聯合構成的CL分析系統，它在CI成像質量、圖像解析度及CL譜分析等方面具有明顯優勢。利用這一系統獲得的鋯石高清晰CL圖像及CL譜圖分析結果顯示其在鋯石等發光礦物的微區結構特徵...
- FEI場發射掃描電子顯微鏡
FEI場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2014年4月24日啟用。技術指標 二次電子分辨率 15KV時優於0.8nm，1KV時優於0.9nm；STEM模式，BF像 30KV時優於0.6nm。主要功能 帶能量單色過濾器，超高分辨率熱場發射...
