場發射掃描式電子顯微鏡是一種用於能源科學技術領域的分析儀器,於2009年6月1日啟用。
基本介紹
- 中文名:場發射掃描式電子顯微鏡
- 產地:荷蘭
- 學科領域:能源科學技術
- 啟用日期:2009年6月1日
- 所屬類別:分析儀器 > 電子光學儀器 > 掃描電鏡
場發射掃描式電子顯微鏡是一種用於能源科學技術領域的分析儀器,於2009年6月1日啟用。
場發射掃描式電子顯微鏡 場發射掃描式電子顯微鏡是一種用於能源科學技術領域的分析儀器,於2009年6月1日啟用。技術指標 加速電壓:200V~30KV。主要功能 固體物質表面形貌與成分分析。
掃描電子顯微鏡類型多樣, 不同類型的掃描電子顯微鏡存在性能上的差異。根據電子槍種類可分為三種:場發射電子槍、鎢絲槍和六硼化鑭 [5] 。其中, 場發射掃描電子顯微鏡根據光源性能可分為冷場發射掃描電子顯微鏡和熱場發射掃描電子顯微鏡。
SUPRA 40是一款高解析度場發射掃描電子顯微鏡,擁有第三代GEMINI 鏡筒,可變壓強性能加上多種納米工具的使用,不用花費大量時間,使高解析度成像和非導體樣本的分析成為可能,超大的樣品室適合各種類型探頭及配件的選擇。該場發射電鏡適用於...
場發射環境掃描電子顯微鏡系統是一種用於化學、基礎醫學、材料科學、環境科學技術及資源科學技術領域的分析儀器,於2007年12月28日啟用。技術指標 解析度高真空30KV優於2.0nm/低真空時30KV優於3.5nm;環境真空:30KV優於2.0nm;對樣品...
熱場發射掃面電子顯微鏡是一種用於土木建築工程、機械工程、物理學領域的分析儀器,於2013年06月01日啟用。技術指標 二次電子圖象解析度:1.0nm(15KV.WD=4.0mm)1.6nm(1KV.WD=1.5mm,減模.5nm1KV.WD=1.5mm)放大倍數:低放大倍數...
熱場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2018年12月20日啟用。技術指標 1.具有高分辨能力的半浸沒式物鏡(Semi-in-lens) 半浸沒式物鏡能將電子束收縮的很細,即使在低加速電壓下也能實現高分辨。 2.採用GENTLE...
冷凍場發射掃描電子顯微鏡是一種用於化學、生物學、材料科學領域的分析儀器,於2018年12月20日啟用。中文名 冷凍場發射掃描電子顯微鏡 產地 德國 學科領域 化學、生物學、材料科學 啟用日期 2018年12月20日 所屬類別 分析儀器 > ...
場發射序列掃描電子顯微鏡系統是一種用於基礎醫學領域的分析儀器,於2017年12月4日啟用。技術指標 1kV解析度小於1.3nm,30kV解析度小於1nm。具有多能量電子成像功能,配合內置切片機和專用探測器實現樣品三維空間的超高對比度和極高解析度成像...
場發射掃描電子顯微鏡1530VP是一種用於地球科學、生物學、環境科學技術及資源科學技術領域的分析儀器,於2006年1月7日啟用。技術指標 電子槍: 熱場發射 加速電壓: 100V~30kV 放大倍數: 20×~900,000× 解析度:1.0nm(20kV);2.5...
冷場場發射掃描電子顯微鏡是一種用於物理學、化學、生物學、材料科學領域的分析儀器,於2017年3月22日啟用。技術指標 解析度 1.0nm @ 15kV,能譜解析度133eV(Mn Ka),分析元素B(5)-- U(92)。主要功能 本儀器具有高的解析度,...
蔡司場發射掃描電子顯微鏡是一種用於能源科學技術領域的分析儀器,於2015年8月14日啟用。技術指標 掃描速度:標配提供17種非隔行電子束掃描速度,從25ns像素駐留時間到1.64ms像素駐留時間。樣品倉尺寸: 120mm Ø x 120mm high(4.75...
超高分辨場發射掃描電子顯微鏡是一種用於能源科學技術、航空、航天科學技術、考古學領域的分析儀器,於2014年9月1日啟用。技術指標 次電子圖像分率:1.0 nm(加速電壓 15 kV, WD=4 mm) 1.3 nm(著陸電壓 1 kV, WD=1.5 mm) ...
冷場發射掃描式電子顯微鏡是一種用於化學、材料科學、冶金工程技術、物理學領域的分析儀器,於2015年3月31日啟用。技術指標 本台場發射電鏡適用於常溫下觀測非磁性、無揮發導電材料,不導電材料可噴鍍導電層之後觀測。25倍到65萬倍連續...
目前掃描電子顯微鏡的最主要組合分析功能有: X 射線顯微分析系統(即能譜儀, EDS), 主要用於元素的定性和定量分析, 並可分析樣品微區的化學成分等信息; 電子背散射系統 (即結晶學分析系統), 主要用於晶體和礦物的研究。
ZEISS熱場發射掃描電子顯微鏡是一種用於物理學、化學、能源科學技術領域的分析儀器,於2016年1月1日啟用。技術指標 放大倍率:範圍:12×~1000,000×;工作距離:範圍可由1mm至50mm。主要功能 觀察材料表面微觀形貌。
高分辨場發射掃描式電子顯微鏡 高分辨場發射掃描式電子顯微鏡是一種用於電子與通信技術領域的分析儀器,於2012年5月2日啟用。技術指標 放大倍率:14~1000000倍。主要功能 高分辨場發射掃描式電子顯微鏡。
冷場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2011年5月1日啟用。技術指標 解析度:1.0nm (15KV), 1.4 nm (1KV) 放大倍數:25-100萬倍加速電壓:0.1KV-30KV 束流強度:10-13-2x10-9。主要附屬檔案:牛津儀器INCA ...
超高解析度場發射掃描電子顯微鏡是一種用於物理學、材料科學領域的分析儀器,於2010年10月01日啟用。技術指標 加速電壓:1-15KV,放大倍數:120000-220000倍,二次電子解析度:1.4nm(1kV,減速模式),1.0nm(15kV);。主要功能 金...
高解析度肖特基場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2014年11月26日啟用。技術指標 1、 電子光學工作模式有:解析度、景深、視野、大視野、搖擺電子束 2、 高真空下的解析度(二次電子):30kV下1.2nm,3kV下2.5...
高分辨場發射掃描電子顯微鏡系統是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2018年12月21日啟用。技術指標 二次電子解析度≤0.6nm(15kV);二次電子解析度≤0.9nm(1kV)。主要功能 圖像解析度高放大倍率大、對樣品沒有損傷、試樣製備簡單、...
高分辨冷場發射掃描電子顯微鏡是一種用於藥學領域的分析儀器,於2013年11月27日啟用。技術指標 解析度 、放大倍數 、加速電壓、傾斜角。主要功能 具備超高分辨掃描圖像觀察能力,尤其是採用最新數位化圖像處理技術,提供高倍數、高分辨掃描...
雙束場發射掃描電子顯微鏡系統是一種用於生物學、材料科學、化學工程領域的分析儀器,於2011年12月27日啟用。技術指標 1、場發射槍 2、FIB最大束流20nA,SEM解析度1.1nm@20kv,FIB解析度2.5nm@30kv 3、具有Pt氣體沉積系統。主要功能...
場發射掃描電子顯微鏡分析系統成分探測系統是一種用於化學領域的科學儀器,於2017年9月26日啟用。技術指標 解析度:二次電子(SE)像,高真空模式:15kV時≤1.0 nm;1kV時≤1.4 nm。主要功能 用於材料表面微觀形貌觀察。
場發射掃描電鏡系統 場發射掃描電鏡系統是一種用於機械工程領域的分析儀器,於2013年11月13日啟用。技術指標 場發射掃描電鏡,配有能譜儀、熱台。最大放大倍數可達30萬倍。主要功能 表面形貌、成分測試。
掃描發射電子顯微鏡是一種用於物理學領域的分析儀器,於2007年9月28日啟用。技術指標 解析度二次電子(SE)成像:高真空模式:30kV時 1.2 nm;1kV時 3.0nm 低真空模式:30kV時 1.5 nm;3kV時 3.0nm ESEM?環境真空模式: 30kV時...
高解析度場發射掃描電子顯微鏡 高解析度場發射掃描電子顯微鏡是一種用於物理學領域的分析儀器,於2010年6月15日啟用。技術指標 解析度優於10nm。主要功能 分析材料的表面形貌。
STEM技術要求較高,要非常高的真空度,並且電子學系統比TEM和SEM都要複雜。來源 掃描透射電子顯微鏡是指透射電子顯微鏡中有掃描附屬檔案者,尤其是指採用場發射電子槍作成的掃描透射電子顯微鏡。掃描透射電子顯微分析是綜合了掃描和普通透射電子...