熱場掃描電鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2009年12月1日啟用。
熱場掃描電鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2009年12月1日啟用。技術指標解析度：1.0nm(15KV.WD=4.0mm);1.6nm(1KV.WD=1.5mm,減速模式)；2.5nm(1KV.WD=1.5mm)...
熱場發射掃描電鏡是一種用於物理學、材料科學、能源科學技術領域的分析儀器，於2012年10月22日啟用。技術指標 1.放大倍數：35—90萬倍；2.解析度：工作電壓15kV時解析度為1.0nm3.加速電壓：0.2Kv—30Kv;4.能譜：探測元素範圍B5-U92，能量解析度：136eV。主要功能 物理學,材料科學,能源科學技術。
熱場發射掃描電鏡系統 熱場發射掃描電鏡系統是一種用於地球科學領域的分析儀器，於2017年11月28日啟用。技術指標 熱場發射掃描電鏡二次電子像解析度：0.8nm@15KV、1.6nm@1KV，Schottky型場發射電子源，掃描透射像探測器，帶能譜儀、EBSD、冷台、臨界點乾燥儀、離子濺射儀。主要功能 微觀形貌表征、微區元素分析。
熱場發射環境掃描電鏡是一種用於物理學、化學、材料科學、生物學領域的分析儀器，於2005年9月15日啟用。技術指標 Quanta 400 FEG場發射掃描電子顯微鏡是表面分析重要的表征工具之一，具有靈活先進的自動化作業系統。具有三種成像真空模式--高真空模式、低真空模式和ESEMTM模式，可以觀察分析各種類型的樣品。它可以對處理...
超高分辨熱場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2007年07月21日啟用。技術指標 1. 解析度 高真空模式 1.0nm @ 15kv；1.8nm @ 1kv；0.8nm @ 30kv（stem探測器）；低真空模式 1.5nm @ 10kv（helix探測器）；1.8nm @ 3kv（helix探測器）；2. 加速電壓 200v - 30kv,連續可調；...
超高分辨熱場發射掃描電鏡 超高分辨熱場發射掃描電鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2013年9月10日啟用。技術指標 加速電壓0.3-30kV，解析度1nm，放大倍數18倍至30萬倍連續可調，成像信號：二次電子、背散射電子和特徵X射線。主要功能 固體物質表面形貌觀察和成分分析。
FEI場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2014年4月24日啟用。技術指標 二次電子解析度 15KV時優於0.8nm，1KV時優於0.9nm；STEM模式，BF像 30KV時優於0.6nm。主要功能 帶能量單色過濾器，超高解析度熱場發射掃描電鏡，低加速電壓下具有較高的解析度，能夠直接觀察不導電材料的顯微結構，熱場...
ZEISS熱場發射掃描電子顯微鏡 ZEISS熱場發射掃描電子顯微鏡是一種用於物理學、化學、能源科學技術領域的分析儀器，於2016年1月1日啟用。技術指標 放大倍率：範圍:12×～1000,000×；工作距離：範圍可由1mm至50mm。主要功能 觀察材料表面微觀形貌。
場掃描電鏡 場掃描電鏡是一種用於地球科學領域的分析儀器，於2010年08月06日啟用。技術指標 放大25-650,000倍; 解析度1nm(15kV),2.2nm(1kV)。主要功能 實現材料表面的高解析度圖像觀測和微區成分分析。
高分辨熱場發射掃描電子顯微鏡 高分辨熱場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2015年9月11日啟用。技術指標 15kV解析度0.6nm，1kV解析度1.6nm。主要功能 測試樣品表面形貌及微區成分。
熱場掃描顯微鏡是一種用於冶金工程技術領域的分析儀器，於2013年9月4日啟用。技術指標 放大倍數：12 - 900,000x 加速電壓：0.1 - 30 KV 低壓範圍：2-133Pa？ 樣品台：5軸驅動，X = 130mm ，Y = 130 mm ，Z = 50mm ，？傾斜角T = -3 to 70°。主要功能 用於金屬材料(鋼鐵、冶金、有色、機械...
掃描電鏡成像過程與電視成像過程有很多相似之處，而與透射電鏡的成像原理完全不同。透射電鏡是利用成像電磁透鏡一次成像，而掃描電鏡的成像則不需要成象透鏡，其圖象是按一定時間、空間順序逐點形成並在鏡體外顯像管上顯示。二次電子成象是使用掃描電鏡所獲得的各種圖象中套用最廣泛，分辨本領最高的一種圖象。我們以二...
超高分辨掃描電鏡是一種用於數學領域的分析儀器，於2005年2月1日啟用。技術指標 型號：Sirion 200 加速電壓：200V－30KV； 解析度：10KV，1.5nm；1KV，2.5nm；EDAX 能譜儀：133eV，Be－U。 熱場發射電子槍，配能譜儀，可用於各種固體材料的表面形貌分析與測量；用於材料的化學成份及相關成份分析。主要功能 熱...
熱發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學、化學、物理學領域的分析儀器，於2018年3月2日啟用。技術指標 解析度：SE解析度達到或優於2 nm @ 30 kV;BSE解析度達到或優於4 nm @ 30 kV; 低真空SE解析度達到或優於4 nm @ 30 kV；低真空BSE解析度達到或優於4 nm @ 30 kV。探測器：SE, BSE, LVSE；圖像觀察...
肖特基場發射掃描電鏡是一種用於化學領域的分析儀器，於2018年4月3日啟用。技術指標 1.電子光學系統 電子槍：肖特基熱場發射電子槍 2.真空系統 全自動真空系統，完全氣動閥自動控制 3.樣品室 樣品室：內外紅外CCD相機 4.探測器系統 探測器成像模式 鏡筒內獨立的二次電子探測器；鏡筒內獨立的背散射電子探測器。 5...
解決方式一般為請維修工程師上門維修，除花費時間和費用外，也造成了對電鏡操作者的心裡束縛。筆者以德國蔡司ULTRA PLUS掃描電子顯微鏡為例，從環境條件、光學系統、真空系統及附屬檔案設施4個方面總結了熱場發射掃描電子顯微鏡運行狀態的幾種檢查方法和維護保養經驗。相關研究 鋯石等測年礦物的陰極螢光(CL)圖像分析是礦物微...
掃描電鏡研究方法是隨著科學技術的發展，掃描電鏡已成為檢測固體物質的重要手段。利用電子顯微術力求觀察到更微小的物體結構，甚至單個原子;力求從試樣上得到更多的信息，以便對其進行各種研究。由於掃描電鏡具有分辨能力高，景深長，視野大，成像富有立體感，可以直接觀察樣品凹凸不平的表面，例如金屬斷口，催化劑表面，無機...
熱場發射電子顯微鏡 熱場發射電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2013年3月6日啟用。技術指標 1.0 nm @ 20 kV @ WD = 2 mm， 0.1 - 30 kV。主要功能 材料組織形貌，微區成分。
分析儀器 > 電子光學儀器 > 掃描電鏡 目錄 1 技術指標 2 主要功能 冷凍場發射掃描電子顯微鏡技術指標 編輯 播報 1.解析度: ≤0.6 nm@15 keV (二次電子),≤1.1 nm@1 keV,≤1.2 nm@500 eV(二次電子,無需減速模式); 2.放大倍率:20-2,000,000倍, 根據加速電壓和工作距離的改變,放大倍數自動校準,低倍...
場發射電子掃描顯微鏡 場發射電子掃描顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2006年11月13日啟用。技術指標 冷場高分辨，帶EDS。主要功能 形貌分析，元素分析。
熱場發射掃描電鏡 NOVA NanoSEM430 45 納米檢測實驗室 掃描電子顯微鏡/聚焦離子束雙束系統 Nova200 NanoLab 46 納米加工技術實驗室 雙面對準接觸式紫外光刻機 MA6 47 納米檢測實驗室 鎢燈絲掃描電鏡 Hitachi S-3400N 48 納米檢測實驗室 物理性能分析儀 PPMS-9 49 納米檢測實驗室 螢光/磷光/發光分光光度計 LS...
目前，大型科研儀器主要有0.5MV加速器質譜分析計、稀有氣體質譜儀、多接收電感耦合電漿質譜儀（MC-ICP-MS）、高分辨穩定同位素質譜儀（253 Ultra）、傅立葉變換-離子迴旋共振質譜儀（FT-ICR MS）、納米二次離子探針質譜儀（Nano SIMS）、熱場發射掃描電鏡等，以及高效液相色譜-電感耦合電漿串聯質譜聯用儀（...
依託單位是山東省大型精密儀器套用技術重點實驗室，配備有國際先進水平的研究設施和儀器裝備，主要包括德國蔡司SUPRA55高分辨熱場發射掃描電鏡、日本島津EPMA-1600型電子探針、日本理學ZSX Primus II全自動掃描型X射線螢光光譜儀、日本理學D/max-rB X射線衍射儀、美國熱電IRIS Advantage電感耦合電漿發射光譜儀、德國蔡司...
3.場發射槍掃描電鏡和低壓掃描電鏡場發射掃描電鏡得到了很大的發展〔24〕。日立公司推出了冷場發射槍掃描電鏡，Amray公司則生產熱場發射槍掃描電鏡，不僅提高了常規加速電壓時的分辨本領，還顯著改善了低壓性能。低壓掃描電鏡LVSEM由於可以提高成像的反差，減少甚至消除試樣的充放電現象並減少輻照損傷，因此受到了人們的囑...
由於改進掃描電鏡（ SEM） 的工作方式與電子束曝光機十分相近，最初的電子束曝光機是在 SEM 的基礎上改裝發展起來的。掃描電鏡光學系統一般是由電子槍、對中線圈、聚光鏡、物鏡光闌、物鏡線圈、掃描線圈、消像散器等構成，這種電子束曝光系統是電子從電子槍發射出來，通過聚光鏡和物鏡的聚焦獲得極細電子束；聚焦電子...
擁有包括高分辨拉曼/PL光譜成像、單晶X射線衍射儀、X射線衍射儀及超高分辨熱場發射掃描電鏡等多個大型科研儀器設備。先後承擔了國家自然科學基金項目、教育部新世紀優秀人才資助項目、吉林省重大專項等國家和省部級科研項目百餘項，科研經費達2000萬元。在《Chemical Society Reviews》、《Advanced Functional Materials》、《...
雙束系統中場發射掃描電鏡主要用於觀察、分析和記錄材料的微觀形貌，聚焦離子束用來對樣品進行在微納米尺度下的圖形沉積、切割、刻蝕、透射樣品製備及原子探針針尖加工等工作。In SEM/FIB crossbeam system, SEM is utilized in observation of surface morphologies, and FIB is used in the micro-processing including ...
它可分為掃描曝光和投影曝光兩大類，其中掃描曝光系統是電子束在工件面上掃描直接產生圖形，解析度高，生產率低。投影曝光系統實為電子束圖形複印系統，它將掩模圖形產生的電子像按原尺寸或縮小後複印到工件上，因此不僅保持了高解析度，而且提高了生產率。基於改進掃描電鏡的電子束曝光系統 由於SEM的工作方式與電子束...
[31].利用掃描電鏡進行IC定量電位測量的研究，《 清華大學學報》(自然科學版) 1990/01 已經授權的專利：⒈給定照度分布的LED三維光學系統設計方法及光學系統 ⒉基於發光二極體的面光源模組 ⒊一種拼裝而成的均勻面光源 ⒋新型準直發光二極體封裝結構 ⒌基於發光二極體的面光源模組 ⒍一種LED路燈 兼職情況 2004，9－...
採用掃描電鏡的原位觀察、結合電子背散射衍射技術以及聚焦離子束的局部分析手段，確定金屬薄膜的熱疲勞壽命與線寬、晶粒尺寸、線寬/晶粒尺寸比之間的定量關係；闡明具有不同線寬和晶粒尺寸的金屬薄膜熱疲勞失效機理，揭示線寬、晶粒尺寸及晶粒取向等對金屬薄膜熱疲勞損傷行為與熱疲勞強度的影響規律；探索建立描述微尺度金屬...
