場掃描電鏡是一種用於地球科學領域的分析儀器,於2010年08月06日啟用。
基本介紹
- 中文名:場掃描電鏡
- 產地:日本
- 學科領域:地球科學
- 啟用日期:2010年08月06日
- 所屬類別:分析儀器 > 電子光學儀器 > 掃描電鏡
場掃描電鏡是一種用於地球科學領域的分析儀器,於2010年08月06日啟用。
場掃描電鏡是一種用於地球科學領域的分析儀器,於2010年08月06日啟用。技術指標放大25-650,000倍; 解析度1nm(15kV),2.2nm(1kV)。1主要功能實現材料表面的高解析度圖像觀測和微區成分分析。1...
掃描電子顯微鏡的使用環境條件主要涉及溫度、濕度、震動、磁場強度、接地等幾個因素。一般情況下,環境溫度需控制在22~25℃,相對濕度以小於70%為宜,保證實驗室清潔整齊,避免大聲喧譁及震動、磁場的干擾。溫濕度控制需配備空調和除濕機,特別是在南方地區一定要保證對濕度的控制,避免溫濕度對電鏡電子部件的影響。由於...
場發射掃描電子顯微鏡系統是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2013年9月13日啟用。技術指標 二次電子解析度 1.0nm (加速電壓15kV、WD=4mm) 1.3nm (加速電壓1kV、WD=1.5mm) 加速電壓 0.1~30kV 觀測倍率 20~8000,000(底片輸出) 60~2,000,000(顯示器輸出) 樣品台 馬達驅動 5軸 REGULUS樣品台 ...
主要用途: Quanta 200 FEG場發射環境掃描電子顯微鏡綜合場發射電鏡高分辨和ESEM環境掃描電鏡適合樣品多樣性的優勢 儀器類別 0304070202 /儀器儀表 /光學儀器 /電子光學及離子光學儀器 /台式掃描電子顯微鏡 指標信息 1、場發射環境掃描電子顯微鏡解析度:二次電子像高真空模式:30KV時 附屬檔案信息 冷卻樣品台 0到10℃時,...
掃描電鏡成像過程與電視成像過程有很多相似之處,而與透射電鏡的成像原理完全不同。透射電鏡是利用成像電磁透鏡一次成像,而掃描電鏡的成像則不需要成象透鏡,其圖象是按一定時間、空間順序逐點形成並在鏡體外顯像管上顯示。二次電子成象是使用掃描電鏡所獲得的各種圖象中套用最廣泛,分辨本領最高的一種圖象。我們以二...
儀器類別: 0304070201 /儀器儀表 /光學儀器 /電子光學及離子光學儀器 /掃描式電子顯微鏡 指標信息: 二次電子成像,背散射成像,陰極螢光成像;解析度:高真空:30KV時,為1.5nm; 1KV時,為3nm; X射線能譜分析:元素分析範圍B-U;高性能陰極螢光:具有對特定波長光譜分析與成像(指定波長光譜面分布)的能力,...
場發射掃描式電子顯微鏡 場發射掃描式電子顯微鏡是一種用於能源科學技術領域的分析儀器,於2009年6月1日啟用。技術指標 加速電壓:200V~30KV。主要功能 固體物質表面形貌與成分分析。
超高分辨場發射掃描電子顯微鏡是一種用於能源科學技術、航空、航天科學技術、考古學領域的分析儀器,於2014年9月1日啟用。技術指標 次電子圖像分率:1.0 nm(加速電壓 15 kV, WD=4 mm) 1.3 nm(著陸電壓 1 kV, WD=1.5 mm) 放大倍率:低倍率模式20-2,000×(照像倍率)80-5,000×(顯示倍率) 高倍率模式 ...
SUPRA 40是一款高解析度場發射掃描電子顯微鏡,擁有第三代GEMINI 鏡筒,可變壓強性能加上多種納米工具的使用,不用花費大量時間,使高解析度成像和非導體樣本的分析成為可能,超大的樣品室適合各種類型探頭及配件的選擇。該場發射電鏡適用於材料領域、失效分析、過程控制,納米技術等。用途 掃描電鏡(SEM)廣泛地套用於金屬...
場髮式掃描電鏡 場髮式掃描電鏡是一種用於冶金工程技術領域的分析儀器,於2009年7月1日啟用。技術指標 1.0nm15kV放大12 – 90萬倍,加速電壓0.05~30 kV,配有In-lens SE detector; In-lens BSE detector;Everhart-Thornley S。主要功能 不鏽鋼材料微觀組織、斷口形貌觀察以及顯微成分分析。
場發射環境掃描電子顯微鏡系統是一種用於化學、基礎醫學、材料科學、環境科學技術及資源科學技術領域的分析儀器,於2007年12月28日啟用。技術指標 解析度高真空30KV優於2.0nm/低真空時30KV優於3.5nm;環境真空:30KV優於2.0nm;對樣品移動範圍X=Y=500mm。主要功能 微觀形貌觀測以及微區分析。
熱場掃描電鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2009年12月1日啟用。技術指標 解析度:1.0nm(15KV.WD=4.0mm);1.6nm(1KV.WD=1.5mm,減速模式);2.5nm(1KV.WD=1.5mm);放大倍數:低放大倍數模式20-2,000x,高放大倍數模式100-800,000x。主要功能 廣泛用於冶金、生物、建築、機械等行業的材料形貌觀察...
冷場場發射掃描電子顯微鏡是一種用於物理學、化學、生物學、材料科學領域的分析儀器,於2017年3月22日啟用。技術指標 解析度 1.0nm @ 15kV,能譜解析度133eV(Mn Ka),分析元素B(5)-- U(92)。主要功能 本儀器具有高的解析度,放大倍率幾十倍到幾十萬倍連續可調,可觀察物體二次電子 像、背散射電子像,同時...
場發射環境掃描電鏡及能譜儀是一種用於材料科學、土木建築工程、水利工程、化學工程領域的分析儀器,於2011年12月27日啟用。技術指標 分高真空、高真空下減速模式、低真空、環境真空模式,最高解析度≤1.0nm。 最大放大倍數不得少於X800000,二次電子檢測器,樣品台尺寸XY水平方向0~50mm,豎向Z不得少於30mm。主要...
場發射掃描電子顯微鏡JSM-7600F是一種用於化學領域的分析儀器,於2012年1月12日啟用。技術指標 磁懸浮分子泵系統、五軸馬達驅動全對中樣品台、全自動樣品更換氣鎖和樣品監控系統解析度:1.0nmat15kV;1.5nmat1kV放大倍數:25-100萬倍加速電壓:0.1KV-30kV樣品室尺寸:最大200mm直徑樣品束流強度:1pA到200nA。主...
場發射雙束掃描電鏡是一種用於生物學領域的核儀器,於2015年4月12日啟用。技術指標 1.解析度 在最適佳工作距離下: 0.9nm @ 15kV 1.4nm @ 1kV 在束交點(電子束+離子束)的工作距離下: 1.0nm @ 15kV, 束交點工作距離 4mm 5nm FIB @ 30kV,束交點工作距離 16.5mm 2.加速電壓範圍: SEM: 30kV...
雙束場發射掃描電子顯微鏡系統是一種用於生物學、材料科學、化學工程領域的分析儀器,於2011年12月27日啟用。技術指標 1、場發射槍 2、FIB最大束流20nA,SEM解析度1.1nm@20kv,FIB解析度2.5nm@30kv 3、具有Pt氣體沉積系統。主要功能 FIB/SEM雙束系統是樣品成像、改性、加工和實效分析的有效工具,可提供三維高...
場發射掃描電鏡系統 場發射掃描電鏡系統是一種用於機械工程領域的分析儀器,於2013年11月13日啟用。技術指標 場發射掃描電鏡,配有能譜儀、熱台。最大放大倍數可達30萬倍。主要功能 表面形貌、成分測試。
超高分辨冷場發射掃描電鏡是一種用於化學、生物學、環境科學技術及資源科學技術領域的分析儀器,於2019年10月11日啟用。技術指標 1、二次電子解析度:≥1.0nm (加速電壓15kV)、≥2.0nm (加速電壓1kV)、≥1.3nm (照射電壓1kV,使用減速裝置)。 2、加速電壓:0.1-30 kV,放大倍數:20-80萬倍(底片模式)、60...
FEI場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2014年4月24日啟用。技術指標 二次電子解析度 15KV時優於0.8nm,1KV時優於0.9nm;STEM模式,BF像 30KV時優於0.6nm。主要功能 帶能量單色過濾器,超高解析度熱場發射掃描電鏡,低加速電壓下具有較高的解析度,能夠直接觀察不導電材料的顯微結構,熱場...
日立場發射掃描電鏡是一種用於化學、生物學領域的分析儀器,於2012年7月19日啟用。技術指標 理論放大值為八十萬倍。主要功能 採用了新型 ExB 式探測器和電子束減速功能, 提高了圖象質量(15 kV 下解析度 1 nm) , 尤其是將低加速電壓下的圖象質量提高到了新的水平(1 kV 下 1. 4 nm) ; 新型的透鏡系統, ...
冷場發射掃描電鏡是一種用於材料科學、化學領域的分析儀器,於2010年1月15日啟用。技術指標 辨率:1.0nm (15kV),2.0nm (1kV),1.4nm(1KV)入射電子減速功能;放大倍率:×20 ~ ×800,000;加速電壓:0.5 ~ 30kV;X射線能譜儀解析度/有效面積:不低於133eV,10mm2。主要功能 超顯微、形貌與成份分析相結合...
熱場發射環境掃描電鏡是一種用於物理學、化學、材料科學、生物學領域的分析儀器,於2005年9月15日啟用。技術指標 Quanta 400 FEG場發射掃描電子顯微鏡是表面分析重要的表征工具之一,具有靈活先進的自動化作業系統。具有三種成像真空模式--高真空模式、低真空模式和ESEMTM模式,可以觀察分析各種類型的樣品。它可以對處理...
熱場發射掃描電鏡是一種用於物理學、材料科學、能源科學技術領域的分析儀器,於2012年10月22日啟用。技術指標 1.放大倍數:35—90萬倍;2.解析度:工作電壓15kV時解析度為1.0nm3.加速電壓:0.2Kv—30Kv;4.能譜:探測元素範圍B5-U92,能量解析度:136eV。主要功能 物理學,材料科學,能源科學技術。
高解析度場發射掃描電子顯微鏡 高解析度場發射掃描電子顯微鏡是一種用於物理學領域的分析儀器,於2010年6月15日啟用。技術指標 解析度優於10nm。主要功能 分析材料的表面形貌。
肖特基場發射掃描電鏡是一種用於化學領域的分析儀器,於2018年4月3日啟用。技術指標 1.電子光學系統 電子槍:肖特基熱場發射電子槍 2.真空系統 全自動真空系統,完全氣動閥自動控制 3.樣品室 樣品室:內外紅外CCD相機 4.探測器系統 探測器成像模式 鏡筒內獨立的二次電子探測器;鏡筒內獨立的背散射電子探測器。 5...
高解析度場發射掃描電鏡 高解析度場發射掃描電鏡是一種用於物理學、化學領域的分析儀器,於2016年12月20日啟用。技術指標 解析度:1.0nm(加速電壓15KV);2nm(加速電壓1KV)。主要功能 形貌觀察、微區分析。