場發射掃描電鏡 SUPRA 40/40VP是解析度為1.0nm @ 20KV，放大倍數為12 - 900,000x的機器。
基本介紹
- 中文名：場發射掃描電鏡 SUPRA 40/40VP
- 解析度：1.0nm @ 20KV
- 放大倍數：12 - 900,000x
- 加速電壓：0.1 - 30 KV
場發射掃描電鏡 SUPRA 40/40VP,用途,技術參數,
場發射掃描電鏡 SUPRA 40/40VP
SUPRA 40是一款高解析度場發射掃描電子顯微鏡，擁有第三代GEMINI 鏡筒，可變壓訂簽強性能加上多種納米工具的使用，不用花費大量時間，使高解析度成像和非導體樣本的分析成為可能，超大的樣品室適疊照記合各種類型探頭及配件的選擇。該場發射電鏡適用於材料領域、失效分析、過程控制，納米技術等。
用途
掃描電鏡(SEM)廣泛地套用於金屬材料(鋼鐵、冶金、有色、機械加工)和非金屬材料(化學、化工、石油、地質礦物學、橡膠、紡織、水泥、玻璃纖維)等檢驗和研究。在材料科學研究、金屬材料、陶瓷材料、半導體材料、化學材料等領域，進行材料的微辯慨炒觀形貌、組織、成分分析，各種材料的形貌組織觀察，材料斷口分析和失效分析，材料實時微區成分分析，元素定量、定性成分分析，快速的多元素麵掃描和線掃描分布測戀享您檔量，晶體、晶粒的相鑑定，晶粒尺寸、形狀分析，晶體、晶粒取向測量。
ZEISS的場發射掃描電鏡全部採用新一代專利鏡筒(GEMINI)設計，具有優良的高、低加速電壓性能。創新的InLens設計是目前世界上唯一真正的內置鏡筒電子束光路上二次電子探測器，具有最佳的靈敏度和最高的接收效戀棄求率，而且只接收來自樣品表面的二次電子，因此具有業界最高等級的解析度和圖像質量。二次電子探測器和背散射電子探測器均內置於鏡筒電子束光路上，試樣的工作距離不受背散射探測器的影響，可以非常接近極靴，這樣可以同時獲拒樂頌得最高的二次電子像解析度和背散射電子像解析度，且接收的背散射電子的能量可以控制。ZEISS的場發射掃描電鏡創造性的採用電磁、靜電複合式物鏡，雜散磁場小，可對鐵磁體樣品進行高解析度成像。
技術參數
分臭廈騙祖辨率
1.3nm @ 15KV
2.1nm @ 1 KV
5.0nm @ 0.2KV
2.0nm @ 30KV(VP mode)
放大倍數： 12 - 900,000x
加速電壓： 0.1 - 30 KV
低壓範圍： 2-133Pa 1Pa步進可調
探針電流： 4 pA - 10 nA (4 pA - 20 nA 可選)
樣品室： 330 mm (Ø) x 270 mm (h)
樣品台： 5軸驅動
X = 130mm
Y = 130 mm
Z = 50mm
傾斜角T = -3 to 70°
R = 360°連續旋轉
系統控制： 基於Windows XP 的SmartSEM作業系統,可選滑鼠、鍵盤、控制臺控制
