多功能磁控濺射鍍膜是一種用於信息與系統科學相關工程與技術領域的工藝試驗儀器，於2014年05月09日啟用。
多功能磁控濺射鍍膜是一種用於信息與系統科學相關工程與技術領域的工藝試驗儀器，於2014年05月09日啟用。技術指標 系統極限真空：濺射室：系統經烘烤，可達8×10-6Pa；永磁靶直徑Φ50㎜， 直流電源一台；樣品可自轉，一次可鍍一片；...
磁控濺射鍍膜是指將塗層材料做為靶陰極，利用氬離子轟擊靶材，產生陰極濺射，把靶材原子濺射到工件上形成沉積層的一種鍍膜技術。磁控濺射鍍膜magneto-controlled sputter coating是指:是將塗層材料做為靶陰極，利用氬離子轟擊靶材，產生陰極...
多靶磁控濺射鍍膜系統 多靶磁控濺射鍍膜系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2014年7月2日啟用。技術指標 直徑6英寸基片，片內均勻性優於±5%，重複性優於±3%。主要功能 濺射沉積各種金屬和介質。
科研兼中式多功能磁控濺射鍍膜系統是一種用於物理學、化學、材料科學、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，於2013年5月31日啟用。技術指標 1、極限真空：濺射室(經烘烤)真空度極限≤6.7×10-5Pa。 2、系統漏率：停泵關機 12小時後...
3.每隻磁控濺射靶均配備擋板，基片配擋板。4.極限真空：5*10-5Pa；工作背景真空：7*10-4Pa.5.基片尺寸≤Ф4英寸。6.基片可加熱至500℃.7.控制系統：PC+PLC全自動控制。主要功能 磁濺射鍍膜機是一種普適鍍膜機，用於各種單層...
多功能高精度磁控濺射儀是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2016年7月21日啟用。技術指標 離子源：襯底預先清洗輔助沉積；磁控濺射沉積：射頻(RF)，直流(DC)；靜態濺射，共濺射，反應濺射，線上濺射。主要功能 採用磁控濺射進行鍍膜...
因此磁控濺射法具有“高速”、“低溫”的優點。該方法的缺點是不能製備絕緣體膜，而且磁控電極中採用的不均勻磁場會使靶材產生顯著的不均勻刻蝕，導致靶材利用率低，一般僅為20%-30%。磁控濺射設備的主要用途 （1）各種功能性薄膜：如...
磁控濺射鍍膜系統 磁控濺射鍍膜系統是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，於2016年06月29日啟用。技術指標 超高真空1E-6Pa，四寸濺射靶材，可以共同濺射。主要功能 可以濺射Al、Ti、PdAu的金屬薄膜。
磁控濺射鍍膜設備是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2008年10月15日啟用。技術指標 抽真空速度（空載）：大氣到6.6×10^-4Pa在35分鐘內，極限真空度（空載）：系統經烘烤後連續抽氣，真空度≤6.6×10-5Pa，樣品加熱溫度：...
水冷）；5、全自動控制；6、18英寸主濺射室；7、高真空泵抽系統；8、超高真空磁控濺射靶；直流/射頻電源；9、4英寸樣品台；10、PhaseII-J控制系統。主要功能 納米磁性薄膜製備設備，可以製備納米磁性薄膜，能加熱，共五個靶位。
高真空磁控濺射鍍膜機是一種用於材料科學、電子與通信技術領域的科學儀器，於2013年3月25日啟用。技術指標 設備共有3腔（反濺腔、濺射腔、氧化腔） 8靶 極限真空可達到5*10-6Pa，能進行2英寸晶圓鍍膜。主要功能 可通過直流濺射和...
1、雙室磁控濺射系統，極限壓力：主濺射室，6.67*10-6Pa，2、永磁靶5套，三個直流電源，兩個射頻電源，靶材直徑60mm；3、6個樣品工位，尺寸直徑30mm，基片加熱最高600度，退火爐最高溫度800度。主要功能 用於納米級單層及多層功能...
兩套Φ50cm磁控濺射靶、六工位自轉/公轉樣品台（含兩個水冷台、兩個加熱台、一個粉末台、一個偏壓台）、極限真空度≤1×10-4Pa、漏率≤1×10-8Pa L/S、配循環水冷卻系統。主要功能 磁控濺射鍍膜，離子束濺射鍍膜。
多靶磁控濺射鍍膜是一種用於物理學領域的物理性能測試儀器，於2017年09月01日啟用。技術指標 （1）濺射室極限真空度2×10－5帕，系統大氣抽取60分鐘可以達到5×10－4，停機12小時後真空度≤10帕。（2）通過二路MFC質量流量控制器充...
高真空磁控濺射鍍膜系統 高真空磁控濺射鍍膜系統是一種用於材料科學領域的科學儀器，於2015年12月14日啟用。技術指標 子系統一：工裝和卡具。主要功能 鍍制各種功能性薄膜光電薄膜，半導體薄膜，硬質膜等。
主要功能 該設備為三室立式結構的超高真空多功能磁控與離子束聯合濺射鍍膜製備設備，可用於開發納米級的單層及多層功能膜-各種硬質膜、光學膜、金屬膜、半導體膜、磁性薄膜、介質膜和氧化物薄膜等。系統主要由磁控濺射室、磁控濺射靶2英寸4...
全自動磁控濺射鍍膜機系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器，於2014年10月14日啟用。技術指標 1、真空泵源：分子泵一台（抽速1200升/秒），直聯旋片式真空泵一台（抽速9升/秒），乾式真空泵一台（抽速8升/秒）；2、真空閥門...
多功能真空鍍膜系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2011年12月16日啟用。技術指標 技術指標：該系統有兩個真空腔室，採用機械手送樣，換樣時不破壞主真空室真空；配置3個2英寸強磁靶槍和1個熱蒸發源，可實現磁控濺射鍍膜和...
三靶磁控濺射鍍膜機 三靶磁控濺射鍍膜機是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2010年7月1日啟用。技術指標 壓強、功率。主要功能 矽基薄膜材料。
高磁控濺射鍍膜機是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器，於2012年07月09日啟用。技術指標 主體內部尺寸Φ460mm�H1300mm，真空度好於2�10-4Pa，安裝鍺靶和鉍靶尺寸約為60mm�1100mm，鍍膜有效區位900mm。主要功能 專為引力常數G...
高真空多功能磁控濺射電子束鍍膜系統 高真空多功能磁控濺射電子束鍍膜系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2010年6月23日啟用。技術指標 真空度：6.7×10－5Pa 加熱溫度：室溫~800oC 濺射功率：500W×3。主要功能 真空鍍膜。
全自動磁控濺射鍍膜機是一種用於機械工程領域的工藝試驗儀器，於2013年7月26日啟用。技術指標 極限真空：7×10-5Pa ；，恢復真空：3×10-3Pa≤30min ，系統漏率：停泵關機12小時後真空度≤5Pa。，真空系統：分子泵+直聯泵或機械...
主要功能 雙室磁控濺射沉積系統是帶有進樣室的高真空多功能 磁控濺射鍍膜設備。它可用於在高真空背景下，充入高純氬氣，採用磁 控濺射方式製備各種金屬膜、介質膜、半導體膜，而且又可以較好地濺 射鐵磁材料（Fe、Co、Ni），製備磁性...
二次金屬化磁控濺射鍍膜機 二次金屬化磁控濺射鍍膜機是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2015年8月21日啟用。技術指標 空載極限真空＜8*10-5Pa/公轉速度0-20rpm可調。主要功能 大功率脈衝氙燈研製。
超高真空全自動磁控濺射鍍膜機是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2016年12月5日啟用。技術指標 1.真空室數量:雙室，包含1個樣片室，1個濺射室。2.極限真空（環境濕度≤55%，經烘烤除氣後）:？ 樣片室:≤2.0×10-3Pa？
高真空平面靶磁控濺射鍍膜系統是一種用於化學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2015年1月30日啟用。技術指標 （1） 樣品台採用PLC電路控制，樣品台可以水平移動的同時還可以自轉，水平運動速度為10－50 mm/分往復運動，連續可調;自轉的...
主要功能 可使用單/雙/三靶對同一基片進行磁控濺射鍍膜實驗，配備加熱系統可以將抽真空速度加快，本底真空降低；可使用雙/三靶濺射製備摻雜薄膜，較非摻雜薄膜性質變多，性能不同，更利於發現新功能、高性能薄膜。設備自動化程度較高，...
高通量磁控濺射鍍膜設備 高通量磁控濺射鍍膜設備是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，於2015年12月14日啟用。技術指標 極限真空6.7*10-5Pa,磁控濺射/離子束高通量鍍膜。主要功能 無機金屬薄膜的製作，無機介質薄膜的製作。
雙室四靶材磁控濺射鍍膜系統 雙室四靶材磁控濺射鍍膜系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2019年3月19日啟用。技術指標 MSP-3220。主要功能 用於在真空條件下生長金屬氧化物和氮化物等新一代半導體材料薄膜。
非平衡磁控濺射鍍膜系統是一種用於材料科學、機械工程領域的工藝試驗儀器，於2014年04月22日啟用。技術指標 該設備的新型閉合場非平衡磁控濺射系統的離子流是傳統磁控濺射離子流的100倍，是該公司早期的非平衡磁控濺射離子流的2.5倍。可...
