全自動磁控濺射鍍膜機是一種用於機械工程領域的工藝試驗儀器,於2013年7月26日啟用。
基本介紹
- 中文名:全自動磁控濺射鍍膜機
- 產地:中國
- 學科領域:機械工程
- 啟用日期:2013年7月26日
- 所屬類別:工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備 > 半導體積體電路工藝實驗設備
全自動磁控濺射鍍膜機是一種用於機械工程領域的工藝試驗儀器,於2013年7月26日啟用。
全自動磁控濺射鍍膜機是一種用於機械工程領域的工藝試驗儀器,於2013年7月26日啟用。技術指標極限真空:7×10-5Pa ;,恢復真空:3×10-3Pa≤30min ,系統漏率:停泵關機12小時後真空度≤5Pa。,真空系...
全自動磁控濺射鍍膜機系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2014年10月14日啟用。技術指標 1、真空泵源:分子泵一台(抽速1200升/秒),直聯旋片式真空泵一台(抽速9升/秒),乾式真空泵一台(抽速8升/秒);2、真空閥門...
磁控濺射鍍膜機是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2011年03月26日啟用。技術指標 1.配裝3支Ф2英寸的磁控濺射靶,其中一支可鍍鐵磁材料。2.磁控濺射靶射頻(RF)、直流(DC)兼容。3.每隻磁控濺射靶均配備擋板,基片配擋板。
超高真空全自動磁控濺射鍍膜機是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2016年12月5日啟用。技術指標 1.真空室數量:雙室,包含1個樣片室,1個濺射室。2.極限真空(環境濕度≤55%,經烘烤除氣後):? 樣片室:≤2.0×10-3Pa?
磁控濺射是物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition,PVD)的一種。一般的濺射法可被用於製備金屬、半導體、絕緣體等多材料,且具有設備簡單、易於控制、鍍膜面積大和附著力強等優點。上世紀 70 年代發展起來的磁控濺射法更是實現了高速、...
真空鍍膜機主要指一類需要在較高真空度下進行的鍍膜,具體包括很多種類,包括真空電阻加熱蒸發,電子槍加熱蒸發,磁控濺射,MBE分子束外延,PLD雷射濺射沉積,離子束濺射等很多種。主要思路是分成蒸發和濺射兩種。簡介 需要鍍膜的被稱為基片...
半自動磁控濺射鍍膜機是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2011年4月15日啟用。技術指標 極限真空:濺射室極限真空度≤6.6×10-5Pa (濕度≤55%)進樣室極限真空度≤1.0×10-1Pa,漏氣速率:≤10-9Pa?L/sec; ...
四、實驗系列磁控濺射鍍膜機 技術指標:真空室:φ450×400 極限壓力:5×10-5Pa 工作壓力:1~1.0× 10-2Pa 真空系統主泵:渦輪分子泵 陰極靶數量:2~5個 工作氣體控制:質量流量控制器,自動壓強控制儀 工作氣路:2路或4路...
XJPB—2200磁控濺射鍍膜生產線 獲國家科委、勞動部、技監局、外國專家局、工商銀行國家級新產品獎 ZZT—800獲北京市優秀新產品二等獎 1996 JTR—700集熱管磁控濺射鍍膜機 獲國家經貿委國家級新產品獎 1997 JPG—2200鋼板磁控濺射鍍膜機...
自2022年公司成立,公司完全自主設計製造分子束外延設備(MBE)、全自動磁控濺射設備、電子束鍍膜機、OLED有機半導體發光材料及器件的研究和中試成套裝備,採用磁控濺射與電漿增強化學氣相沉積PECVD技術,設計製造了團簇式太陽能薄膜電池中...
AXTRON MOCVD金屬有機物化學氣相沉積系統、4470微控四管擴散爐、4371LPCVD低壓化學沉積系統、OMICRON分子束外延系統、JS-3X100B磁控濺射台、PECVD-2E等離子澱積台、ZZSX500C電子束蒸發台、JC500-3/D磁控濺射鍍膜機、石英管清洗機,以及...
實驗室建築面積600餘平方米,固定資產400餘萬元, 擁有多種功率的微波電漿化學氣相沉積裝置、微波電子迴旋共振電漿化學氣相沉積裝置、熱絲化學氣相沉積裝置、大功率微波燒結爐、電漿刻蝕機、磁控濺射鍍膜機、超音速氧噴槍、X射線...
AXTRON MOCVD金屬有機物化學氣相沉積系統、4470微控四管擴散爐、4371LPCVD低壓化學沉積系統、OMICRON分子束外延系統、JS-3X100B磁控濺射台、PECVD-2E等離子澱積台、ZZSX500C電子束蒸發台、JC500-3/D磁控濺射鍍膜機、石英管清洗機,以及...