多靶磁控濺射鍍膜是一種用於物理學領域的物理性能測試儀器,於2017年09月01日啟用。
基本介紹
- 中文名:多靶磁控濺射鍍膜
- 產地:中國
- 學科領域:物理學
- 啟用日期:2017年09月01日
- 所屬類別:物理性能測試儀器
多靶磁控濺射鍍膜是一種用於物理學領域的物理性能測試儀器,於2017年09月01日啟用。
多靶磁控濺射鍍膜是一種用於物理學領域的物理性能測試儀器,於2017年09月01日啟用。技術指標(1)濺射室極限真空度2×10-5帕,系統大氣抽取60分鐘可以達到5×10-4,停機12小時後真空度≤10帕。(2)通過二路M...
多靶磁控濺射鍍膜系統 多靶磁控濺射鍍膜系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2014年7月2日啟用。技術指標 直徑6英寸基片,片內均勻性優於±5%,重複性優於±3%。主要功能 濺射沉積各種金屬和介質。
超高真空多靶磁控濺射鍍膜儀是一種用於物理學領域的物理性能測試儀器,於2010年2月21日啟用。技術指標 1、雙室磁控濺射系統,極限壓力:主濺射室,6.67*10-6Pa,2、永磁靶5套,三個直流電源,兩個射頻電源,靶材直徑60mm;3、6個...
磁控濺射是物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition,PVD)的一種。一般的濺射法可被用於製備金屬、半導體、絕緣體等多材料,且具有設備簡單、易於控制、鍍膜面積大和附著力強等優點。上世紀 70 年代發展起來的磁控濺射法更是實現了高速、...
磁控濺射法是在高真空充入適量的氬氣,在陰極(柱狀靶或平面靶)和陽極(鍍膜室壁) 之間施加幾百K 直流電壓,在鍍膜室內產生磁控型異常輝光放電,使氬氣發生電離。優勢特點 最常用的製備CoPt 磁性薄膜的方法是磁控濺射法。氬離子被陰極...
多靶磁控濺射系統是一種用於信息科學與系統科學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年7月20日啟用。技術指標 片徑:2”-8”,襯底加熱:500°C,3個3’’靶材,可共濺射,基本壓力:?10-7torr,1個DC電源:1200W,2個RF電源:...
磁控濺射的特點是成膜速率高,基片溫度低,膜的粘附性好,可實現大面積鍍膜。該技術可以分為直流磁控濺射法和射頻磁控濺射法。磁控濺射(magnetron-sputtering)是70年代迅速發展起來的一種“高速低溫濺射技術”。磁控濺射是在陰極靶的表面...
高真空多靶磁控濺射系統 高真空多靶磁控濺射系統是一種用於物理學領域的物理性能測試儀器,於2005年1月12日啟用。技術指標 真空度10負5次方Pa;漏率1.5Pa。主要功能 製備單層納米薄膜,納米複合膜,納米多層膜。
磁控濺射與其它鍍膜技術相比具有如下特點:可製備成靶的材料廣,幾乎所有金屬,合金和陶瓷材料都可以製成靶材;在適當條件下多元靶材共濺射方式,可沉積配比精確恆定的合金;在濺射的放電氣氛中加入氧、 氮或其它活性氣體,可沉積形成靶材...
多靶磁控濺射設備 多靶磁控濺射設備是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於1999年7月1日啟用。技術指標 4靶位,直流/射頻磁控濺射。主要功能 用於高質量薄膜濺射生長。
磁控濺射與其它鍍膜技術相比具有如下特點:可製備成靶的材料廣,幾乎所有金屬,合金和陶瓷材料都可以製成靶材;在適當條件下多元靶材共濺射方式,可沉積配比精確恆定的合金;在濺射的放電氣氛中加入氧、氮或其它活性氣體,可沉積形成靶材物質...
三室多靶磁控濺射系統 三室多靶磁控濺射系統是一種用於物理學領域的分析儀器,於2017年12月11日啟用。技術指標 四靶室與八靶室真空都優於4*10-6Pa。 樣品室極限真空達到6*10-5Pa。主要功能 薄膜樣品製備。
超高真空磁控濺射與離子束濺射鍍膜設備是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2006年11月30日啟用。技術指標 背底真空6×10-5Pa,樣品加熱溫度650℃。主要功能 可實現多靶共濺射,可生長梯度材料。