磁控濺射鍍膜是指將塗層材料做為靶陰極,利用氬離子轟擊靶材,產生陰極濺射,把靶材原子濺射到工件上形成沉積層的一種鍍膜技術。
是將塗層材料做為靶陰極,利承店享嬸用氬離子轟擊靶材霸射,產生淚愚煮陰極濺射,把靶材原子匙朽估濺射到工件上備辨疊形成槓拳蒸沉積層的一種鍍膜技術,塗層材料一直保持固態,不形成熔池。
磁控濺射鍍膜是指將塗層材料做為靶陰極,利用氬離子轟擊靶材,產生陰極濺射,把靶材原子濺射到工件上形成沉積層的一種鍍膜技術。
磁控濺射鍍膜是指將塗層材料做為靶陰極,利用氬離子轟擊靶材,產生陰極濺射,把靶材原子濺射到工件上形成沉積層的一種鍍膜技術。磁控濺射鍍膜magneto-controlled sputter coating是指:是將塗層材料做為靶陰極,利用氬離子轟擊靶材,產生陰極...
磁控濺射是物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition,PVD)的一種。一般的濺射法可被用於製備金屬、半導體、絕緣體等多材料,且具有設備簡單、易於控制、鍍膜面積大和附著力強等優點。上世紀 70 年代發展起來的磁控濺射法更是實現了高速、...
磁控濺射鍍膜機是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2011年03月26日啟用。技術指標 1.配裝3支Ф2英寸的磁控濺射靶,其中一支可鍍鐵磁材料。2.磁控濺射靶射頻(RF)、直流(DC)兼容。3.每隻磁控濺射靶均配備擋板,基片配擋板...
磁控濺射鍍膜系統 磁控濺射鍍膜系統是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2016年06月29日啟用。技術指標 超高真空1E-6Pa,四寸濺射靶材,可以共同濺射。主要功能 可以濺射Al、Ti、PdAu的金屬薄膜。
▪ 平衡磁控濺射 ▪ 非平衡磁控濺射 5 存在問題 6 中頻孿生靶濺射技術優點 7 新發展 原理 編輯 濺射鍍膜的原理是稀薄氣體在異常輝光放電產生的電漿在電場的作用下,對陰極靶材表面進行轟擊,把靶材表面的分子、原子、離子及...
磁控濺射相對其他濺射技術有較高的鍍膜速率,一般二極濺射和射頻濺射的鍍膜速率為20~ 250nm/min,三極濺射為50~ 500nm/min,磁控濺射可高達200~2000nm/min。20世紀70年代磁控濺射鍍膜已實現工業化。80 年代我國的磁控濺射技術有較大發展...
磁控濺射鍍膜設備是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2008年10月15日啟用。技術指標 抽真空速度(空載):大氣到6.6×10^-4Pa在35分鐘內,極限真空度(空載):系統經烘烤後連續抽氣,真空度≤6.6×10-5Pa,樣品加熱溫度:...
多功能磁控濺射鍍膜是一種用於信息與系統科學相關工程與技術領域的工藝試驗儀器,於2014年05月09日啟用。技術指標 系統極限真空:濺射室:系統經烘烤,可達8×10-6Pa;永磁靶直徑Φ50㎜, 直流電源一台;樣品可自轉,一次可鍍一片;...
磁控濺射鍍膜儀是一種用於化學、材料科學、冶金工程技術、物理學領域的工藝試驗儀器,於2006年12月30日啟用。技術指標 1、主真空室的本底真空優於2×10-8Torr;2、四英寸的基片範圍內薄膜厚度均勻性優於±2%;3、可以濺射磁性和非...
磁控濺射離子鍍,將磁控濺射和離子鍍結合起來的鍍膜工藝。其原理是:在真空室充入氬氣,並在磁控濺射靶材上施加負偏壓,氬離子在電場作用下轟擊靶面,被濺射出來膜料原子向工件遷移過程中部分被電離,並在基板負偏壓作用下加速運動,最終在...
多靶磁控濺射鍍膜是一種用於物理學領域的物理性能測試儀器,於2017年09月01日啟用。技術指標 (1)濺射室極限真空度2×10-5帕,系統大氣抽取60分鐘可以達到5×10-4,停機12小時後真空度≤10帕。(2)通過二路MFC質量流量控制器充...
高真空磁控濺射鍍膜系統 高真空磁控濺射鍍膜系統是一種用於材料科學領域的科學儀器,於2015年12月14日啟用。技術指標 子系統一:工裝和卡具。主要功能 鍍制各種功能性薄膜光電薄膜,半導體薄膜,硬質膜等。
高真空磁控濺射鍍膜機是一種用於材料科學、電子與通信技術領域的科學儀器,於2013年3月25日啟用。技術指標 設備共有3腔(反濺腔、濺射腔、氧化腔) 8靶 極限真空可達到5*10-6Pa,能進行2英寸晶圓鍍膜。主要功能 可通過直流濺射和...
高磁控濺射鍍膜機是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2012年07月09日啟用。技術指標 主體內部尺寸Φ460mm�H1300mm,真空度好於2�10-4Pa,安裝鍺靶和鉍靶尺寸約為60mm�1100mm,鍍膜有效區位900mm。主要功能 專為引力常數G...
(3) 反應磁控濺射沉積過程中基板升溫較小,而且制膜過程中通常也不要求對基板進行高溫加熱,因此對基板材料的限制較少。(4) 反應磁控濺射適於製備大面積均勻薄膜,並能實現單機年產上百萬平方米鍍膜的工業化生產。但是,直流反應濺射的...
三靶磁控濺射鍍膜機 三靶磁控濺射鍍膜機是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2010年7月1日啟用。技術指標 壓強、功率。主要功能 矽基薄膜材料。
磁控濺射鍍膜試驗機 磁控濺射鍍膜試驗機是一種用於材料科學領域的科學儀器,於2003年1月5日啟用。技術指標 四陰極、版寬1.65*2.44m、磁控濺射。主要功能 磁控濺射鍍膜。
高通量磁控濺射鍍膜設備 高通量磁控濺射鍍膜設備是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2015年12月14日啟用。技術指標 極限真空6.7*10-5Pa,磁控濺射/離子束高通量鍍膜。主要功能 無機金屬薄膜的製作,無機介質薄膜的製作。
簡單的說,磁控濺射隔熱的生產工藝就是在真空的環境裡採用電離子有序轟擊鎳、銀、鈦、金、銦、銅、鋁等貴金屬耙材,並採用磁場控制的方式讓金屬離子均勻的濺射到光學級的PET基材上,沉積成金屬鍍膜層。技術亮點 傳統的汽車玻璃膜生產...
二次金屬化磁控濺射鍍膜機 二次金屬化磁控濺射鍍膜機是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年8月21日啟用。技術指標 空載極限真空<8*10-5Pa/公轉速度0-20rpm可調。主要功能 大功率脈衝氙燈研製。
全自動磁控濺射鍍膜機是一種用於機械工程領域的工藝試驗儀器,於2013年7月26日啟用。技術指標 極限真空:7×10-5Pa ;,恢復真空:3×10-3Pa≤30min ,系統漏率:停泵關機12小時後真空度≤5Pa。,真空系統:分子泵+直聯泵或機械...
非平衡磁控濺射鍍膜系統是一種用於材料科學、機械工程領域的工藝試驗儀器,於2014年04月22日啟用。技術指標 該設備的新型閉合場非平衡磁控濺射系統的離子流是傳統磁控濺射離子流的100倍,是該公司早期的非平衡磁控濺射離子流的2.5倍。可...
高真空平面靶磁控濺射鍍膜系統是一種用於化學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年1月30日啟用。技術指標 (1) 樣品台採用PLC電路控制,樣品台可以水平移動的同時還可以自轉,水平運動速度為10-50 mm/分往復運動,連續可調;自轉的...
高真空多靶磁控濺射鍍膜設備是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2008年9月26日啟用。技術指標 極限真空:2×10-5Pa,4靶。主要功能 用於製備各種磁性金屬合金薄膜,採用共聚焦、基底旋轉濺射方式,能夠製備150×150mm各種合金...
多靶磁控濺射鍍膜系統 多靶磁控濺射鍍膜系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2014年7月2日啟用。技術指標 直徑6英寸基片,片內均勻性優於±5%,重複性優於±3%。主要功能 濺射沉積各種金屬和介質。
三靶共濺射磁控濺射鍍膜機是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2019年1月1日啟用。技術指標 樣品能加熱到600℃,控制精度不大於±1℃;射頻電源頻率13.56MHZ,功率0-600W可調,功率不穩定度≤2W,自動匹配調節,配備自動匹配器,...
全自動磁控濺射鍍膜機系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2014年10月14日啟用。技術指標 1、真空泵源:分子泵一台(抽速1200升/秒),直聯旋片式真空泵一台(抽速9升/秒),乾式真空泵一台(抽速8升/秒);2、真空閥門...
磁控濺射鍍膜靶材:金屬濺射鍍膜靶材,合金濺射鍍膜靶材,陶瓷濺射鍍膜靶材,硼化物陶瓷濺射靶材,碳化物陶瓷濺射靶材,氟化物陶瓷濺射靶材 ,氮化物陶瓷濺射靶材 ,氧化物陶瓷靶材,硒化物陶瓷濺射靶材 ,矽化物陶瓷濺射靶材 ,硫化物陶瓷濺射靶材 ,...
鍍膜玻璃的生產方法很多,主要有真空磁控濺射法、真空蒸發法、化學氣相沉積法以及溶膠—凝膠法等。磁控濺射鍍膜玻璃利用磁控濺射技術可以設計製造多層複雜膜系,可在白色的玻璃基片上鍍出多種顏色,膜層的耐腐蝕和耐磨性能較好,是生產和...
雙室四靶材磁控濺射鍍膜系統 雙室四靶材磁控濺射鍍膜系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2019年3月19日啟用。技術指標 MSP-3220。主要功能 用於在真空條件下生長金屬氧化物和氮化物等新一代半導體材料薄膜。