高真空多靶磁控濺射鍍膜設備是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，於2008年9月26日啟用。
高真空多靶磁控濺射鍍膜設備是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，於2008年9月26日啟用。技術指標 極限真空：2×10-5Pa，4靶。主要功能 用於製備各種磁性金屬合金薄膜，採用共聚焦、基底旋轉濺射方式，能夠製備150×150mm各種合金...
高真空磁控濺射鍍膜機是一種用於材料科學、電子與通信技術領域的科學儀器，於2013年3月25日啟用。技術指標 設備共有3腔（反濺腔、濺射腔、氧化腔） 8靶 極限真空可達到5*10-6Pa，能進行2英寸晶圓鍍膜。主要功能 可通過直流濺射和...
超高真空多靶磁控濺射鍍膜儀是一種用於物理學領域的物理性能測試儀器，於2010年2月21日啟用。技術指標 1、雙室磁控濺射系統，極限壓力：主濺射室，6.67*10-6Pa，2、永磁靶5套，三個直流電源，兩個射頻電源，靶材直徑60mm；3、6個...
超高真空全自動磁控濺射鍍膜機是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2016年12月5日啟用。技術指標 1.真空室數量:雙室，包含1個樣片室，1個濺射室。2.極限真空（環境濕度≤55%，經烘烤除氣後）:？ 樣片室:≤2.0×10-3Pa？
超高真空磁控濺射鍍膜設備 超高真空磁控濺射鍍膜設備是一種用於材料科學領域的科學儀器，於2010年6月25日啟用。技術指標 <10負六次方 七靶。主要功能 楔形樣品製備 加熱400°。
高磁控濺射鍍膜機是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器，於2012年07月09日啟用。技術指標 主體內部尺寸Φ460mm�H1300mm，真空度好於2�10-4Pa，安裝鍺靶和鉍靶尺寸約為60mm�1100mm，鍍膜有效區位900mm。主要功能 專為引力常數G...
高真空磁控濺射鍍膜系統 高真空磁控濺射鍍膜系統是一種用於材料科學領域的科學儀器，於2015年12月14日啟用。技術指標 子系統一：工裝和卡具。主要功能 鍍制各種功能性薄膜光電薄膜，半導體薄膜，硬質膜等。
高真空平面靶磁控濺射鍍膜系統是一種用於化學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2015年1月30日啟用。技術指標 （1） 樣品台採用PLC電路控制，樣品台可以水平移動的同時還可以自轉，水平運動速度為10－50 mm/分往復運動，連續可調;自轉的...
多靶磁控濺射鍍膜系統 多靶磁控濺射鍍膜系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2014年7月2日啟用。技術指標 直徑6英寸基片，片內均勻性優於±5%，重複性優於±3%。主要功能 濺射沉積各種金屬和介質。
該設備為三室立式結構的超高真空多功能磁控與離子束聯合濺射鍍膜製備設備，可用於開發納米級的單層及多層功能膜-各種硬質膜、光學膜、金屬膜、半導體膜、磁性薄膜、介質膜和氧化物薄膜等。系統主要由磁控濺射室、磁控濺射靶2英寸4個、直流...
高通量磁控濺射鍍膜設備 高通量磁控濺射鍍膜設備是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，於2015年12月14日啟用。技術指標 極限真空6.7*10-5Pa,磁控濺射/離子束高通量鍍膜。主要功能 無機金屬薄膜的製作，無機介質薄膜的製作。
超高真空鍍膜機 超高真空鍍膜機是一種用於數學領域的分析儀器，於2005年10月1日啟用。技術指標 本底真空度：優於1.0×10-10Torr，最高加熱溫度：800 ℃。主要功能 製備高質量超薄金屬薄膜，如0.3nm厚的鈷。
多靶磁控濺射鍍膜是一種用於物理學領域的物理性能測試儀器，於2017年09月01日啟用。技術指標 （1）濺射室極限真空度2×10－5帕，系統大氣抽取60分鐘可以達到5×10－4，停機12小時後真空度≤10帕。（2）通過二路MFC質量流量控制器充...
超高真空磁控濺射與離子束濺射鍍膜設備是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2006年11月30日啟用。技術指標 背底真空6×10-5Pa，樣品加熱溫度650℃。主要功能 可實現多靶共濺射，可生長梯度材料。
雙室四靶材磁控濺射鍍膜系統 雙室四靶材磁控濺射鍍膜系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2019年3月19日啟用。技術指標 MSP-3220。主要功能 用於在真空條件下生長金屬氧化物和氮化物等新一代半導體材料薄膜。
可使用單/雙/三靶對同一基片進行磁控濺射鍍膜實驗，配備加熱系統可以將抽真空速度加快，本底真空降低；可使用雙/三靶濺射製備摻雜薄膜，較非摻雜薄膜性質變多，性能不同，更利於發現新功能、高性能薄膜。設備自動化程度較高，開/關機...
磁控濺射鍍膜系統 磁控濺射鍍膜系統是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，於2016年06月29日啟用。技術指標 超高真空1E-6Pa，四寸濺射靶材，可以共同濺射。主要功能 可以濺射Al、Ti、PdAu的金屬薄膜。
