多靶磁控濺射鍍膜系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2014年7月2日啟用。
基本介紹
- 中文名:多靶磁控濺射鍍膜系統
- 產地:美國
- 學科領域:物理學、材料科學
- 啟用日期:2014年7月2日
- 所屬類別:工藝試驗儀器 > 加工工藝實驗設備
多靶磁控濺射鍍膜系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2014年7月2日啟用。
多靶磁控濺射鍍膜系統 多靶磁控濺射鍍膜系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2014年7月2日啟用。技術指標 直徑6英寸基片,片內均勻性優於±5%,重複性優於±3%。主要功能 濺射沉積各種金屬和介質。
高真空多靶磁控濺射鍍膜設備是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2008年9月26日啟用。技術指標 極限真空:2×10-5Pa,4靶。主要功能 用於製備各種磁性金屬合金薄膜,採用共聚焦、基底旋轉濺射方式,能夠製備150×150mm各種合金...
雙室四靶材磁控濺射鍍膜系統 雙室四靶材磁控濺射鍍膜系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2019年3月19日啟用。技術指標 MSP-3220。主要功能 用於在真空條件下生長金屬氧化物和氮化物等新一代半導體材料薄膜。
三靶磁控濺射鍍膜機 三靶磁控濺射鍍膜機是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2010年7月1日啟用。技術指標 壓強、功率。主要功能 矽基薄膜材料。
磁控濺射鍍膜系統 磁控濺射鍍膜系統是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2016年06月29日啟用。技術指標 超高真空1E-6Pa,四寸濺射靶材,可以共同濺射。主要功能 可以濺射Al、Ti、PdAu的金屬薄膜。
多功能磁控濺射鍍膜是一種用於信息與系統科學相關工程與技術領域的工藝試驗儀器,於2014年05月09日啟用。技術指標 系統極限真空:濺射室:系統經烘烤,可達8×10-6Pa;永磁靶直徑Φ50㎜, 直流電源一台;樣品可自轉,一次可鍍一片;...
多靶磁控濺射鍍膜是一種用於物理學領域的物理性能測試儀器,於2017年09月01日啟用。技術指標 (1)濺射室極限真空度2×10-5帕,系統大氣抽取60分鐘可以達到5×10-4,停機12小時後真空度≤10帕。(2)通過二路MFC質量流量控制器充...
超高真空多靶磁控濺射鍍膜儀是一種用於物理學領域的物理性能測試儀器,於2010年2月21日啟用。技術指標 1、雙室磁控濺射系統,極限壓力:主濺射室,6.67*10-6Pa,2、永磁靶5套,三個直流電源,兩個射頻電源,靶材直徑60mm;3、6個...
高性能真空系統,極限真空6×10-5Pa;沉積200nm的薄膜。在3英寸平面基底上十字交叉取9個點進行測試。薄膜厚度不均勻性≤±5%,邊緣去除5mm。主要功能 可使用單/雙/三靶對同一基片進行磁控濺射鍍膜實驗,配備加熱系統可以將抽真空速度...
全自動磁控濺射鍍膜機系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2014年10月14日啟用。技術指標 1、真空泵源:分子泵一台(抽速1200升/秒),直聯旋片式真空泵一台(抽速9升/秒),乾式真空泵一台(抽速8升/秒);2、真空閥門...
高真空平面靶磁控濺射鍍膜系統是一種用於化學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年1月30日啟用。技術指標 (1) 樣品台採用PLC電路控制,樣品台可以水平移動的同時還可以自轉,水平運動速度為10-50 mm/分往復運動,連續可調;自轉的...
高磁控濺射鍍膜機是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2012年07月09日啟用。技術指標 主體內部尺寸Φ460mm�H1300mm,真空度好於2�10-4Pa,安裝鍺靶和鉍靶尺寸約為60mm�1100mm,鍍膜有效區位900mm。主要功能 專為引力常數G...
磁性薄膜、介質膜和氧化物薄膜等。系統主要由磁控濺射室、磁控濺射靶2英寸4個、直流電源、射頻電源、離子束室等組成。該系統具有離子束濺射鍍膜、磁控濺射鍍膜、樣品清洗及退火處理功能,每種沉積方式都有可以間替地對多種材料進行沉積。
磁控濺射是物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition,PVD)的一種。一般的濺射法可被用於製備金屬、半導體、絕緣體等多材料,且具有設備簡單、易於控制、鍍膜面積大和附著力強等優點。上世紀 70 年代發展起來的磁控濺射法更是實現了高速、...
雙室磁控濺射沉積系統是帶有進樣室的高真空多功能 磁控濺射鍍膜設備。它可用於在高真空背景下,充入高純氬氣,採用磁 控濺射方式製備各種金屬膜、介質膜、半導體膜,而且又可以較好地濺 射鐵磁材料(Fe、Co、Ni),製備磁性薄膜。在...
多功能真空鍍膜系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2011年12月16日啟用。技術指標 技術指標:該系統有兩個真空腔室,採用機械手送樣,換樣時不破壞主真空室真空;配置3個2英寸強磁靶槍和1個熱蒸發源,可實現磁控濺射鍍膜和...
3.每隻磁控濺射靶均配備擋板,基片配擋板。4.極限真空:5*10-5Pa;工作背景真空:7*10-4Pa.5.基片尺寸≤Ф4英寸。6.基片可加熱至500℃.7.控制系統:PC+PLC全自動控制。主要功能 磁濺射鍍膜機是一種普適鍍膜機,用於各種單層...
5.真空室保壓:系統停泵關機12小時後真空度:≤5Pa。6.濺射材料:各種金屬、合金薄膜、非金屬薄膜、化合物薄膜。7.濺射靶:Φ76.2mm標準磁場磁控濺射靶3隻,聚焦模式上置共安裝,自上向下濺射成膜。8.濺射不均勻性:≤±5%(Φ4英寸...
該系統配有蒸發室、清潔氧化處理腔室、濺射室、Load lock,用於製備各種高純金屬、氧化物以及超導薄膜,如Ti, Au, Al, Nb, NbN, Al2O3等。該設備電子束蒸發鍍膜腔和磁控濺射鍍膜腔相互獨立,集成了兩套系統的優點,而又避免了電子...
全自動磁控濺射鍍膜機是一種用於機械工程領域的工藝試驗儀器,於2013年7月26日啟用。技術指標 極限真空:7×10-5Pa ;,恢復真空:3×10-3Pa≤30min ,系統漏率:停泵關機12小時後真空度≤5Pa。,真空系統:分子泵+直聯泵或機械...