場發射電鏡是一種用於材料科學領域的儀器,於2016年06月12日啟用。
基本介紹
- 中文名:場發射電鏡
- 產地:美國
- 學科領域:材料科學
- 啟用日期:2016年06月12日
場發射電鏡是一種用於材料科學領域的儀器,於2016年06月12日啟用。
隨著我國經濟的迅速發展,高校、科研單位、企業等大量引進了場發射掃描電子顯微鏡。但是在掃描電子顯微鏡的使用過程中,特別是在安裝初期,使用者通常由於對電鏡的運行狀態缺乏系統認識,經常會遇到軟體當機、樣品台被卡、真空問題等多種故障。
場發射透射電鏡(field emission transmission electron microscope)是2018年公布的生物物理學名詞。定義 一種配有場發射電子槍的透射電子顯微鏡。可獲得優於鎢燈絲透射電鏡的相干性和亮度,進而大大提高成像的分辨力。出處 《生物物理學名詞...
熱場發射掃描電鏡是一種用於物理學、材料科學、能源科學技術領域的分析儀器,於2012年10月22日啟用。技術指標 1.放大倍數:35—90萬倍;2.解析度:工作電壓15kV時解析度為1.0nm3.加速電壓:0.2Kv—30Kv;4.能譜:探測元素範圍B5-U92...
高分辨分析型場發射掃描電鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2018年7月12日啟用。技術指標 加速電壓80,100,120,160,200 kV 點解析度:0.194 nm 線解析度:0.14 nm 放大倍數:1,500,000倍。主要功能 微觀組織分析。
Tecnai Arctica是在Tecnai F20的基礎上發展的一款透射電鏡。高穩定的場發射電子槍使照明光源的相干性和亮度大大提高。其配備革命性的冷凍技術,可以一次裝入最多達12個樣品,並連續自動使樣品處於液氮溫度。Phase plate可以大大提高圖像的襯...
場發射分析型透射電子顯微鏡是一種用於材料科學、化學、地球科學、臨床醫學領域的分析儀器,於2013年12月13日啟用。技術指標 點解析度:0.19 nm; 晶格解析度:0.10 nm; 掃描透射晶格解析度:0.2 nm ;能譜能量解析度:136 eV。主要...
場發射雙束掃描電鏡是一種用於生物學領域的核儀器,於2015年4月12日啟用。技術指標 1.解析度 在最適佳工作距離下: 0.9nm @ 15kV 1.4nm @ 1kV 在束交點(電子束+離子束)的工作距離下: 1.0nm @ 15kV, 束交點工作距離 ...
肖特基場發射掃描電鏡是一種用於化學領域的分析儀器,於2018年4月3日啟用。技術指標 1.電子光學系統 電子槍:肖特基熱場發射電子槍 2.真空系統 全自動真空系統,完全氣動閥自動控制 3.樣品室 樣品室:內外紅外CCD相機 4.探測器系統 ...
2.利用微區電子衍射、會聚束電子衍射及元素分析可對小至0.5nm尺度的物質進行結構和成分分析,因而特別適用於普通透射電鏡難以分析的微細析出相,界面和疇等極小區域內成分、結構的研究。 3.利用所配置的GIF系統不但可分析物質的組成元素...
冷場發射式掃描電鏡 冷場發射式掃描電鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2010年9月29日啟用。技術指標 二次電子解析度:1.0nm(15KV)。主要功能 所有固體材料的分析與觀察。
台式場發射掃描電鏡是一種用於力學、材料科學領域的分析儀器,於2015年12月17日啟用。技術指標 電子束工作電壓:500—2000V;電子束電流:0.2—1nA;解析度:電子束工作電壓1Kv時 主要功能 一種微觀性貌觀察手段,可直接利用樣品表面...
場發射掃描電鏡及附屬設備 場發射掃描電鏡及附屬設備是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2012年12月1日啟用。技術指標 SM--76000BU。主要功能 科研用,測試樣品各項參數。
場發射電子顯微鏡系統是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2015年12月24日啟用。技術指標 200KV場發射透射電子顯微鏡,配備聚光鏡球差校正系統,能譜分析,STEM功能等。主要功能 解析度達原子水平的形貌分析;結合EDS,可做元素的線掃、面...
熱場發射掃描電鏡系統是一種用於地球科學領域的分析儀器,於2017年11月28日啟用。技術指標 熱場發射掃描電鏡二次電子像解析度:0.8nm@15KV、1.6nm@1KV,Schottky型場發射電子源,掃描透射像探測器,帶能譜儀、EBSD、冷台、臨界點乾燥...
高解析度場發射掃描電鏡 高解析度場發射掃描電鏡是一種用於物理學、化學領域的分析儀器,於2016年12月20日啟用。技術指標 解析度:1.0nm(加速電壓15KV);2nm(加速電壓1KV)。主要功能 形貌觀察、微區分析。
冷場發射掃描電鏡是一種用於材料科學、化學領域的分析儀器,於2010年1月15日啟用。技術指標 辨率:1.0nm (15kV),2.0nm (1kV),1.4nm(1KV)入射電子減速功能;放大倍率:×20 ~ ×800,000;加速電壓:0.5 ~ 30kV;X射線能譜儀...
超高分辨場發射掃描電鏡 超高分辨場發射掃描電鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2019年12月12日啟用。技術指標 放大範圍:12X-2000000X,連續可調,加速電壓範圍:20V-30KV,0.7nm@15KV,1.2nm@1KV。主要功能 超高分辨成像。
冷場發射掃描式電子顯微鏡是一種用於化學、材料科學、冶金工程技術、物理學領域的分析儀器,於2015年3月31日啟用。技術指標 本台場發射電鏡適用於常溫下觀測非磁性、無揮發導電材料,不導電材料可噴鍍導電層之後觀測。25倍到65萬倍連續...
場發射槍分析透射電鏡是一種用於化學、材料科學、冶金工程技術、物理學領域的分析儀器,於2012年10月31日啟用。技術指標 合金、鋼鐵、納米材料、有機聚合物。主要功能 可以對各種固體和液體樣品進行形態觀察和元素定性定量分析,對部分溶液...
場發射掃描式電子顯微鏡 場發射掃描式電子顯微鏡是一種用於能源科學技術領域的分析儀器,於2009年6月1日啟用。技術指標 加速電壓:200V~30KV。主要功能 固體物質表面形貌與成分分析。
場發射透射電子顯微鏡系統是一種用於物理學、化學、材料科學、電子與通信技術領域的分析儀器,於2007年5月4日啟用。技術指標 TEM形貌像,HRTEM晶格像;選區電子衍射花樣SED,STEM(HAADF)掃描透射像,微區成分分析(點、線、面) 點...
熱場發射電子顯微鏡 熱場發射電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2013年3月6日啟用。技術指標 1.0 nm @ 20 kV @ WD = 2 mm, 0.1 - 30 kV。主要功能 材料組織形貌,微區成分。
場發射高分辨電子顯微鏡是一種用於物理學、材料科學領域的分析儀器,於2005年8月6日啟用。技術指標 性能指標:點解析度0.19 nm,線解析度0.14 nm,EELS能量譜解析度0.7 eV,EDS能量解析度136 eV。主要功能 固體材料結構和成分分析。
超高分辨冷場發射掃描電鏡是一種用於化學、生物學、環境科學技術及資源科學技術領域的分析儀器,於2019年10月11日啟用。技術指標 1、二次電子解析度:≥1.0nm (加速電壓15kV)、≥2.0nm (加速電壓1kV)、≥1.3nm (照射電壓1kV,使用...
高分辨場發射電子顯微鏡 高分辨場發射電子顯微鏡是一種用於化學領域的分析儀器,於2014年10月1日啟用。技術指標 解析度1.0nm(15kV,4mm)。主要功能 形貌觀察。
場發射能量過濾透射電子顯微鏡 場發射能量過濾透射電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2003年11月8日啟用。技術指標 放大倍數:20k~40k倍 點解析度:0.23nm 條紋解析度:0.10nm。主要功能 材料微觀觀察、形貌觀察。
超高分辨熱場發射掃描電鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2013年9月10日啟用。技術指標 加速電壓0.3-30kV,解析度1nm,放大倍數18倍至30萬倍連續可調,成像信號:二次電子、背散射電子和特徵X射線。主要功能 固體物質表面形貌觀察...
300kV場發射冷凍透射電子顯微鏡是一種用於藥學領域的分析儀器,於2018年4月30日啟用。技術指標 新一代300kV場發射冷凍透射電鏡,加速電壓 80-300 kV,配有場發射電子槍(X-FEG)及三級聚光鏡系統 Autoloader自動進樣系統可一次性裝載儲...