等離[子]體刻蝕是2019年全國科學技術名詞審定委員會公布的名詞。
基本介紹
- 中文名:等離[子]體刻蝕
- 外文名: plasma etching
- 所屬學科:物理學_電漿物理學
- 發布時間:2019年
等離[子]體刻蝕是2019年全國科學技術名詞審定委員會公布的名詞。
等離子刻蝕機,又叫等離子蝕刻機、等離子平面刻蝕機、電漿刻蝕機、等離子表面處理儀、等離子清洗系統等。等離子刻蝕,是乾法刻蝕中最常見的一種形式,其原理是暴露在電子區域的氣體形成電漿,由此產生的電離氣體和釋放高能電子組成的...
電漿刻蝕系統是一種用於信息與系統科學相關工程與技術領域的工藝試驗儀器,於2013年11月15日啟用。技術指標 刻蝕SiO2速度 25 nm/min;刻蝕SiO2不均勻性±6% (420mm);刻蝕SiNx速度 20 nm/min;刻蝕SiNx不均勻性±6% (420mm)。主...
等離[子]體刻蝕 等離[子]體刻蝕是2019年全國科學技術名詞審定委員會公布的名詞。發布時間 2019年,經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處 《物理學名詞》 (第三版)
深電漿刻蝕,也稱大深寬比刻蝕(High Aspect Ratio Etching,HARE),一般是選用Si作為刻蝕微結構的加工對象,它有別於VLSI 中的矽刻蝕,因此又稱為先進矽刻蝕(Advanced Silicon Etching,ASE) 工藝。它由於採用了感應棚合電漿(...
電漿反應離子刻蝕系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2005年9月15日啟用。技術指標 最大樣品尺寸為4英寸。 ● SiO2刻蝕 刻蝕速率:100nm/min;刻蝕均勻性:±6% on 4” wafer;刻蝕選擇性:50:1 to AI,50:1 to ...
電漿化學氣相沉積及刻蝕系統是一種用於工程與技術科學基礎學科、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2016年9月23日啟用。技術指標 極限真空度4×10-4 Pa 沉積均勻性≦±5% 樣品台加熱溫度≦300℃ 樣品台尺寸Φ290mm 射頻電源:1200W和...
當然,電漿刻蝕正發生在流體上,離子不再是主要的刻蝕劑。我們想用離子束輔助基子刻蝕(IBARE)這個名字來代替反應性離子刻蝕。在IBARE中,獨立地控制溫度和離子流量是困難的。這就是報導關於氟基IBARE對矽加工中一致性較差的原因。...
電感耦合電漿刻蝕系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年10月21日啟用。技術指標 (1)一個8 英寸矽圓片樣品或6 個2 英寸樣品;#11;(2)可選6-12 種氣體;#11;(3)可刻蝕多種材料,如可進行深矽刻蝕,...
由非彈性碰撞產生的離子、電子及及游離基(游離態的原子、分子或原子團) 也稱為電漿, 具有很強的化學活性, 可與被刻蝕樣品表面的原子起化學反應, 形成揮發性物質, 達到腐蝕樣品表層的目的。同時, 由於陰極附近的電場方向垂直於陰極...
《電漿刻蝕工藝及設備》是2023年電子工業出版社出版的圖書,作者是趙晉榮。內容簡介 本書以積體電路領域中的電漿刻蝕為切入點,介紹了電漿基礎知識、基於電漿的刻蝕技術、電漿刻蝕設備及其在積體電路中的套用。全書共8章...
於2008年12月22日啟用。技術指標 背景真空: 10sup-7/supTorr;8路反應和刻蝕氣體;均有流量計精確控制;生長與刻蝕雙腔獨立;襯底工作溫度:700℃。主要功能 矽基半導體薄膜沉積與電漿刻蝕。
乾法刻蝕種類很多,包括光揮發、氣相腐蝕、電漿腐蝕等。按照被刻蝕的材料類型來劃分,乾法刻蝕主要分成三種:金屬刻蝕、介質刻蝕和矽刻蝕。介質刻蝕是用於介質材料的刻蝕,如二氧化矽。乾法刻蝕優點是:各向異性好,選擇比高,可控性、靈活...
暴露在電子區域的氣體形成電漿,由此產生的電離氣體和釋放高能電子組成的氣體,從而形成了等離子或離子,電離氣體原子通過電場加速時,會釋放足夠的力量與表面驅逐力緊緊粘合材料或蝕刻表面。某種程度來講,等離子清洗實質上是電漿刻蝕的...
高深寬經矽微結構和加工需要嚴格的各項異性電漿深刻蝕,電漿低溫刻蝕工藝由於其獨特的刻蝕機理能夠滿足這一加工要求。本項目集中研究該刻蝕技術產生各向異性刻蝕的物理化學機制及其相關的工藝影響因素,研究的深入進行將促進該項刻蝕技術...
乾刻蝕 乾刻蝕是一類較新型,但迅速為半導體工業所採用的技術。其利用電漿 (plasma) 來進行半導體薄膜材料的刻蝕加工。其中電漿必須在真空度約10至0.001 Torr 的環境下,才有可能被激發出來;而乾刻蝕採用的氣體,或轟擊質量頗...
ECR刻蝕機 ECR刻蝕機是一種用於物理學領域的科學儀器,於2000年8月1日啟用。技術指標 微波功率:0~1kW, 壓力:0.01~0.2kPa。主要功能 矽片、玻璃等材料的刻蝕;功能薄膜材料的沉積;電漿改性。
刻蝕就是用化學的、物理的或同時使用化學和物理的方法,有選擇地把沒有被抗蝕劑掩蔽的那一部分薄膜層除去,從而在薄膜上得到和抗蝕劑膜上完全一致的圖形。 刻蝕技術主要分為乾法刻蝕與濕法刻蝕。乾法刻蝕主要利用反應氣體與電漿進行...
電感耦合電漿反應離子刻蝕機是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2009年6月15日啟用。技術指標 蝕刻反應室抽氣速率:真空度5.0×10^-5Torr(15分鐘內);蝕刻反應室極限真空:8.0×10^-6Torr;裝載室抽氣速率:真空度5.0...
《粉塵在電漿中沉降時的刻蝕動力學研究》是依託華中科技大學,由尹盛擔任項目負責人的面上項目。中文摘要 研製新的刻蝕反應室,使粉粒能均勻拋撒和自動回流重新拋撒進入反應區、具有大的落程。用氣流反吹等進一步增加粉粒的懸浮時間...
3。乾法刻蝕技術:製作金屬微納孔結構可以採用該方法。乾法刻蝕是利用等離子原理有選擇地從晶片表面去除不需要的材料的過程。乾法刻蝕主要包括等離子增強反應離子刻蝕、電子迴旋共振刻蝕(ECR)、感應耦合電漿刻蝕(ICP)等蝕刻技術。還有...
13.如權利要求12中的電漿處理室,還包括若干個切換開關,每一個切換開關用於在第一、第二及第三射頻頻率中進行選擇切換。14.一種並行電漿刻蝕室,包括:導電室體,具有第一處理區域和第二處理區域,所述室體還具有隔離壁用以...
圖1 離子束刻蝕機的原理 中和燈絲髮射電子與氬原子複合來防止矽片帶上正離子電荷。離子束刻蝕機在10-4托的低壓氬氣環境中工作,它的工作壓力低於通常的高密度電漿刻蝕的工作壓力。離子束刻蝕用於刻蝕金、鉑和銅等難刻蝕的材料。矽片...
電漿沉積薄膜可以作為反滲透膜(此種膜對通過的海水有較好的脫鹽效果)。此外,低氣壓電漿可用於金屬固體表面加工。例如,電漿刻蝕是利用輝光放電在氣體中產生反應性氣體,並與固體表面材料化合成揮發性物質,而在表面刻蝕出圖象。
用冷電漿處理金屬或非金屬固體表面,效果顯著。如在光學透鏡表面沉積10微米的有機矽單體薄膜,可改善透鏡的抗劃痕性能和反射指數;用冷電漿處理聚酯織物,可改變其表面浸潤性。這一技術還常用於金屬固體表面的清洗和刻蝕。⑤氣動熱...
[12] 王守國等,參加第12屆全國電漿科學技術會議文章:“大面積介質阻擋電漿電源研製”;“常壓射頻冷電漿增強TEOS工藝沉積二氧化矽薄膜”;“常壓射頻低溫冷電漿刻蝕矽研究”;“常壓射頻冷電漿對FPD表面改性研究”“常壓...
王巍,葉甜春等, 高密度電漿刻蝕機中的終點檢測技術, 微電子學 35(3):236-239, 2005 王巍,蘭中文等,電漿刻蝕工藝中的OES監控技術,紅外與雷射工程,37(2): 326-329, 2008 王巍,陳丹,李文宬,李凱,孫江宏,譜域法...
電漿多用於氧化物塗層、等離子刻蝕方面,在製備高純碳化物和氮化物粉體上也有一定套用。而電漿的另一個很有潛力的套用領域是在陶瓷材料的燒結方面[1]。產成電漿的方法包括加熱、放電和光激勵等。放電產生的電漿包括直流放電...