濺射鍍膜系統是一種用於工程與技術科學基礎學科領域的分析儀器，於2014年12月22日啟用。
濺射鍍膜系統是一種用於工程與技術科學基礎學科領域的分析儀器，於2014年12月22日啟用。技術指標直流功率：2kW 射頻功率：600W 晶片尺寸：最大 6 英寸 真空度：10-7 Torr 靶材： Ti、Au、Pt、Al...
全自動磁控濺射鍍膜機系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器，於2014年10月14日啟用。技術指標 1、真空泵源：分子泵一台（抽速1200升/秒），直聯旋片式真空泵一台（抽速9升/秒），乾式真空泵一台（抽速8升/秒）；2、真空閥門...
磁控濺射鍍膜系統 磁控濺射鍍膜系統是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，於2016年06月29日啟用。技術指標 超高真空1E-6Pa，四寸濺射靶材，可以共同濺射。主要功能 可以濺射Al、Ti、PdAu的金屬薄膜。
多源蒸發濺射鍍膜系統是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，於2019年6月10日啟用。技術指標 1.濺射室極限真空度：≤6x10-8Pa(經烘烤除氣後)，真空獲得採用分子泵(1200L/S) 和機械泵（8L/S）+ CF200主閥組成（分子泵和...
科研兼中式多功能磁控濺射鍍膜系統是一種用於物理學、化學、材料科學、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，於2013年5月31日啟用。技術指標 1、極限真空：濺射室(經烘烤)真空度極限≤6.7×10-5Pa。 2、系統漏率：停泵關機 12小時後...
多靶磁控濺射鍍膜系統 多靶磁控濺射鍍膜系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2014年7月2日啟用。技術指標 直徑6英寸基片，片內均勻性優於±5%，重複性優於±3%。主要功能 濺射沉積各種金屬和介質。
高真空磁控濺射鍍膜系統 高真空磁控濺射鍍膜系統是一種用於材料科學領域的科學儀器，於2015年12月14日啟用。技術指標 子系統一：工裝和卡具。主要功能 鍍制各種功能性薄膜光電薄膜，半導體薄膜，硬質膜等。
雙室四靶材磁控濺射鍍膜系統 雙室四靶材磁控濺射鍍膜系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2019年3月19日啟用。技術指標 MSP-3220。主要功能 用於在真空條件下生長金屬氧化物和氮化物等新一代半導體材料薄膜。
高真空共濺射鍍膜系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器，於2011年11月15日啟用。技術指標 系統極限真空：（12 小時內）濺射室極限真空度5×10-7torr；共濺射靶數與尺寸：3個×3英寸；2英寸晶片內膜後均勻度±5%。主要功能 半導體...
超高真空多對靶磁控與離子束濺射鍍膜系統是一種用於物理學領域的科學儀器，於2006年12月1日啟用。技術指標 系統極限真空：1×10-4 Pa RF射頻電源：500 W DC直流電源：500 W 加熱控溫電源：800 ℃。主要功能 本設備可用於開發納米級...
非平衡磁控濺射系統有兩種結構，一種是其芯部磁場強度比外環高，磁力線沒有閉合，被引向真空室壁，基體表面的電漿密度低，因此該方式很少被採用。另一種是外環磁場強度高於芯部磁場強度，磁力線沒有完全形成閉合迴路，部分外環的...
其它有偏壓濺射、反應濺射、離子束濺射等鍍膜技術。濺鍍機設備與工藝 設備 濺鍍機由真空室，排氣系統，濺射源和控制系統組成。濺射源又分為電源和濺射槍（sputter gun） 磁控濺射槍分為平面型和圓柱型，其中平面型分為矩型和圓型，靶...
磁控濺射鍍膜設備是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2008年10月15日啟用。技術指標 抽真空速度（空載）：大氣到6.6×10^-4Pa在35分鐘內，極限真空度（空載）：系統經烘烤後連續抽氣，真空度≤6.6×10-5Pa，樣品加熱溫度：...
系統極限真空：濺射室：系統經烘烤，可達8×10-6Pa；永磁靶直徑Φ50㎜， 直流電源一台；樣品可自轉，一次可鍍一片；樣品可加熱300℃；採用計算機控制鍍膜系統； 二路質量流量計控制進氣；流量0～100SCCM；系統配有水冷循環系統及水壓...
高性能真空系統，極限真空6×10-5Pa；沉積200nm的薄膜。在3英寸平面基底上十字交叉取9個點進行測試。薄膜厚度不均勻性≤±5%，邊緣去除5mm。主要功能 可使用單/雙/三靶對同一基片進行磁控濺射鍍膜實驗，配備加熱系統可以將抽真空速度...
濺射鍍膜機 濺射鍍膜機是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器，於2012年12月4日啟用。技術指標 多種物理方法製備薄膜，重複性好。主要功能 薄膜製備、刻蝕。
多靶磁控濺射鍍膜是一種用於物理學領域的物理性能測試儀器，於2017年09月01日啟用。技術指標 （1）濺射室極限真空度2×10－5帕，系統大氣抽取60分鐘可以達到5×10－4，停機12小時後真空度≤10帕。（2）通過二路MFC質量流量控制器充...
雙室磁控濺射沉積系統是帶有進樣室的高真空多功能 磁控濺射鍍膜設備。它可用於在高真空背景下，充入高純氬氣，採用磁 控濺射方式製備各種金屬膜、介質膜、半導體膜，而且又可以較好地濺 射鐵磁材料（Fe、Co、Ni），製備磁性薄膜。在...
離子束濺射沉積薄膜系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2011年9月26日啟用。技術指標 1．主離子源離子源發射束徑：≥Φ120mm；離子能量可調範圍：0-1000eV；2．輔助離子源離子束轟擊範圍直徑：＞Φ100mm；離子能量可調範圍：...
可以濺射磁性和非磁性金屬、進行直流和射頻濺射；4、基片可以加熱（800℃）、冷卻（水冷）；5、全自動控制；6、18英寸主濺射室；7、高真空泵抽系統；8、超高真空磁控濺射靶；直流/射頻電源；9、4英寸樣品台；10、PhaseII-J控制系統...
超高真空多靶磁控濺射鍍膜儀是一種用於物理學領域的物理性能測試儀器，於2010年2月21日啟用。技術指標 1、雙室磁控濺射系統，極限壓力：主濺射室，6.67*10-6Pa，2、永磁靶5套，三個直流電源，兩個射頻電源，靶材直徑60mm；3、6個...
磁控濺射薄膜沉積系統是一種用於物理學、材料科學領域的分析儀器，於2010年6月1日啟用。技術指標 (1)真空鍍膜室，304 SS；(2)真空抽氣系統，TMH/U 521C；(3)真空測量系統，KJLC/MKS 979；(4)檢壓計，MKS 626A；(5)濺射源，...
濺射鍍膜儀是一種用於物理學、電子與通信技術領域的分析儀器，於2018年4月28日啟用。技術指標 在30分鐘之內,系統真空度小於3.0e-6Torr;可以一次植被10片8英寸*8英寸方片;300納米Ti膜,成膜均勻性優於5%.。主要功能 在真空狀態下，...
