高真空共濺射鍍膜系統

高真空共濺射鍍膜系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器，於2011年11月15日啟用。

基本介紹

• 中文名：高真空共濺射鍍膜系統
• 產地：中國
• 學科領域：物理學
• 啟用日期：2011年11月15日
• 所屬類別：工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備 > 電真空器件工藝實驗設備

技術指標

系統極限真空：（12 小時內）濺射室極限真空度5×10-7torr；共濺射靶數與尺寸：3個×3英寸；2英寸晶片內膜後均勻度±5%。

主要功能

半導體光電子、電子器件金屬電極、絕緣膜的鍍制。