掃瞄電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2006年12月18日啟用。
基本介紹
- 中文名:掃瞄電子顯微鏡
- 產地:中國
- 學科領域:材料科學
- 啟用日期:2006年12月18日
- 所屬類別:分析儀器 > 電子光學儀器 > 掃描電鏡
掃瞄電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2006年12月18日啟用。
掃描式電子顯微鏡是一種用於材料科學、紡織科學技術領域的分析儀器,於2016年10月28日啟用。技術指標 放大倍數:5-300000倍;解析度:高真空:3nm(30KV)/8nm(3KV)/15nm(1KV) 低真空:4.0nm(30KV) ;電子槍:全自動,亦可手動調整;樣品台:大全對中型X=80mm,Y=40mm,Z=5到48mm,傾斜:-10 - +90度,...
掃描電子顯微鏡[學]掃描電子顯微鏡[學](scanning electron microscopy,sem,scanning electron microscopy,sem)是1993年公布的電子學名詞。公布時間 1993年,經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處 《電子學名詞》
掃描電子顯微電鏡是一種用於化學學科領域的電子光學儀器,於2016年3月15日啟用。技術指標 解析度:二次電子(SE)像 15 kV時優於1.0 nm;1 kV時優於1.4 nm(非減速模式) 背散射(BSE)像: 1 kV時優於3.5 nm;15 kV時優於2.0 nm 放大倍率範圍:1 ~ 1,000,000倍。主要功能 材料的微觀組織觀察...
掃描電子式顯微鏡 掃描電子式顯微鏡是日本生產的一種電子光學儀器,於2007年5月1日啟用。技術指標 理論放大倍數5~300000X解析度3.0nm。服務內容 1.電子零件顯微形貌觀察;2.薄膜厚度及微粒尺寸量測;3.錫須觀察分析;4.合金層IMC形貌觀察。
掃描電子顯微鏡 掃描電子顯微鏡的電子束不穿過樣品,僅以電子束儘量聚焦在樣本的一小塊地方,然後一行一行地掃描樣本。入射的電子導致樣本表面被激發出次級電子。顯微鏡觀察的是這些每個點散射出來的電子,放在樣品旁的閃爍晶體接收這些次級電子,通過放大後調製顯像管的電子束強度,從而改變顯像管螢光屏上的亮度。圖像為...
台式掃描電子顯微鏡(Desktop Scanning Electron Microscope)是一種體積小巧,可安放在實驗檯面上操作的電子顯微鏡。其原理和傳統(落地式)掃描電子顯微鏡相同。部件包括:電子發射、電磁透鏡、信號探測、真空系統、計算機控制系統。台式掃描電子顯微鏡用於各種樣品微細結構和特徵的形貌觀察,適用於生物樣品、醫學樣品、環境樣品...
掃描電子顯微鏡及電子能譜儀是一種用於材料科學、礦山工程技術、冶金工程技術領域的分析儀器,於2015年5月8日啟用。技術指標 掃描電鏡設備主要技術參數:1、解析度:二次電子(SE)像解析度在高真空時:30kV時優於3.0nm,3kV時優於10.0nm;背散射電子(BSE)像解析度(VPwithBSD),30kV時優於4.0nm。2、放大...
掃瞄電子顯微鏡 掃瞄電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2006年12月18日啟用。技術指標 解析度:二次電子像3nm,背反射電子像4nm; 放大倍數:05-30KV(10V步進不變)。主要功能 對各種材料(金屬、非金屬、礦物、各種合金化合物等) 試樣進行表面形貌觀察和記錄(顆粒分析、金相組織觀察,斷口分析等)。
掃描電子顯微鏡法(scanning electron microscopy)是2015年公布的計量學名詞。定義 用聚焦的電子束轟擊樣品,以獲取次級電子、背散射電子、透射電子、樣品電流、束感生電流、特徵 X 射線、俄歇電子以及不同能量的光子的信號,採用其成像電子信號,特別是次級電子信號,來獲取物質表面形態的信息,幫助分析和觀察物質表面化學...
場發射掃描電子顯微鏡(FESEM)是電子顯微鏡的一種。該儀器具有超高解析度,能做各種固態樣品表面形貌的二次電子像、反射電子象觀察及圖像處理。該儀器利用二次電子成像原理,在鍍膜或不鍍膜的基礎上,低電壓下通過在納米尺度上觀察生物樣品如組織、細胞、微生物以及生物大分子等,獲得忠實原貌的立體感極強的樣品表面超微...
環境掃描電子顯微鏡,是指掃描電子顯微鏡的一個重要分支,環境掃描電子顯微鏡除了像普通掃描電鏡的樣品室和鏡筒內設為高真空,檢驗導電導熱或經導電處理的乾燥固體樣品以外,還可以作為低真空掃描電鏡直接檢測非導電導熱樣品,無需進行處理,但是低真空狀態下只能獲得背散射電子像。環境掃描電鏡樣品室內的氣壓可大於水在常溫...
掃描 利用掃描線圈的作用使電子束掃查試樣表面,並與顯像管電子束的掃描同步,用掃查過程中所產生的各種信號來調製顯像管的光點亮度,從而產生圖象。它有很大的景深,故可直接觀察表面凹凸不平的塊狀試樣,立體感強;且放大倍數可從低倍到高倍連續調節。第一台掃描電子顯微鏡是1938年由德國人M.von阿爾登研製成功的。...
掃描電子顯微鏡-能譜儀是一種用於物理學、化學、生物學、冶金工程技術領域的分析儀器,於2009年8月31日啟用。技術指標 二次電子像解析度:1.0nm(15kv);1.4nm(1kv,減速模式);2.0nm (1kV)普通模式;加速電壓:0.5 ~ 30kV;放大倍率:×20 ~ ×800,000;可觀察二次電子像和背散射電子像。能譜儀部分:...
場發射環境掃描電子顯微鏡是一種用於表面形貌分析的設備。套用 可對各種各樣的樣品進行靜態和動態觀察和分析,在一定壓力的水蒸氣條件下進行各種物質的表面形貌分析和微區成分分析,避免樣品在真空條件下發生失水而發生表面形貌的變化,特別對非導體物質可以不需要進行噴鍍導電膜即可以進行表面形貌和微區成分分析,廣泛套用...
被冷凍固定的生物樣品,可以在低溫條件下轉移到具有低溫樣品台的掃描電子顯微鏡中直接觀察無需進一步處理或僅在冷凍樣品表面噴鍍一薄層金屬。這種方法不僅快速簡便,而且可以排除由於乾燥法造成收縮的假象,特別適合於研究含水量很高的生物材料。冷凍乾燥 生物樣品經冷凍固定後,其中的水分凍結成冰,表面張力消失;再將冷凍...
掃描電子顯微鏡和能譜分析儀是一種用於化學、材料科學、環境科學技術及資源科學技術、安全科學技術領域的分析儀器,於2016年11月7日啟用。技術指標 1. 二次電子解析度:3.0nm(加速電壓=30kV,WD=5mm高真空模式);7.0nm(加速電壓=3kV,WD=5mm高真空模式); 2. 放大倍率:5-10000; 3. 最大樣品尺寸:最大樣品...
掃描式電子顯微鏡系統 掃描式電子顯微鏡系統是一種用於物理學、化學、材料科學、化學工程領域的分析儀器,於2011年3月10日啟用。技術指標 放大倍數30-300000,解析度3nm。主要功能 對材料進行微觀形貌分析。
場發射槍掃描電子顯微鏡適用於金屬、陶瓷、半導體、礦物、生物、高分子、複合材料和納米級一維、二維和三維材料的表面形貌進行觀察(二次電子像、背散射電子像); 可進行微區的點、線、面成分分析; 指定元素在形貌上成象; 晶體材料的晶體取向及微區取向分析、結構分析、正反極圖、歐拉空間分析等; 圖象定量分析(%...
JEOL掃描電子顯微鏡是一種用於生物學、物理學、化學、基礎醫學領域的分析儀器,於2019年7月6日啟用。技術指標 電子光學系統 二次電子解析度 3.0nm@30kV;8.0nm@3kV;15nm@1kV(鎢燈絲) 2.0nm@30kV;6.0nm@3kV;9nm@1kV(六硼化鑭) 背散射電子解析度 4.0nm @ 30kV低真空 發射源 預對中,具有自動加熱、...
JEOL掃描式電子顯微鏡是一種用於機械工程領域的分析儀器,於2018年7月13日啟用。技術指標 高真空解析度 3.0nm in SEI (二次電子圖像)|JSM-IT300 解析度高真空模式 3.0 nm (30 kV) 8.0nm(3.0 kV) 15.0 nm(1.0 kV) 解析度低真空模式 4.0 nm (30 kV BED) 放大倍率5 ~ 300,000 倍。主要...
環境掃描式電子顯微鏡是一種用於物理學、地球科學、材料科學領域的分析儀器,於2003年01月15日啟用。技術指標 解析度:3.5nm(30kv,高真空模式);放大倍率:5~200000倍 加速電壓:30KV 樣品最大尺寸:X=50mm,Y=50mm,Z=50mm 能量解析度:130ev;空間解析度:1μm3 ;元素分析範圍:Z5~Z 92。主要功能 ...
掃描電子顯微鏡的製造是依據電子與物質的相互作用。當一束高能的人射電子轟擊物質表面時,被激發的區域將產生二次電子、俄歇電子、特徵x射線和連續譜X射線、背散射電子、透射電子,以及在可見、紫外、紅外光區域產生的電磁輻射。同時,也可產生電子-空穴對、晶格振動 (聲子)、電子振盪 (電漿)。原則上講,利用電子...
掃描電子顯微鏡系統 掃描電子顯微鏡系統是一種用於物理學、材料科學領域的分析儀器,於2015年10月26日啟用。技術指標 解析度:3.0nm@30KV(SE and W),4.0nm@30KV(VP with BSD)。主要功能 觀察掃描各種金屬材料及產品的顯微形貌,可進行失效分析,能譜分析。
掃描電子顯微鏡3是一種用於化學、生物學、農學、環境科學技術及資源科學技術學科領域的電子光學儀器,於2016年8月15日啟用。技術指標 解析度:3.0 nm @ 30 KV (SE 與W)、4.0 nm @ 30 KV (VP with BSD );加速電壓:0.2-30KV ;放大倍數:5-1000000 x ;探針電流:0.5PA-5μA ;X-射線分析工作...
多功能掃描式電子顯微鏡 多功能掃描式電子顯微鏡是一種用於農學、林學、材料科學領域的分析儀器,於2012年12月07日啟用。技術指標 1.加速電壓:200V~30kV;2.放大倍數:6~100萬倍,誤差 主要功能 放大倍數;解析度。
掃描電子顯微鏡及能譜儀 掃描電子顯微鏡及能譜儀是一種用於材料科學、機械工程、安全科學技術領域的分析儀器,於2010年12月27日啟用。技術指標 放大倍數:6x–1,000,000x,解析度:30kV下3.0nm(SE),30kV下4.0nm(BSE),3kV下8.0nm(SE)。主要功能 微觀分析。
掃描電子顯微鏡 EVO 18是一種用於地球科學、環境科學技術及資源科學技術學科領域的顯微鏡及圖象分析儀器,於2012年1月4日啟用。技術指標 解析度:3.0 nm @ 30 KV (SE 與W)、4.0 nm @ 30 KV (VP with BSD ) 加速電壓:0.2-30KV 放大倍數:5-1000000 x 探針電流:0.5PA-5μA X-射線分析工作距離:8...