掃描式電子顯微鏡是一種用於材料科學、紡織科學技術領域的分析儀器,於2016年10月28日啟用。
基本介紹
- 中文名:掃描式電子顯微鏡
- 產地:日本
- 學科領域:材料科學、紡織科學技術
- 啟用日期:2016年10月28日
- 所屬類別:分析儀器 > 電子光學儀器 > 掃描電鏡
掃描式電子顯微鏡是一種用於材料科學、紡織科學技術領域的分析儀器,於2016年10月28日啟用。
掃描電子顯微鏡(SEM) 是一種介於透射電子顯微鏡和光學顯微鏡之間的一種觀察手段。其利用聚焦的很窄的高能電子束來掃描樣品, 通過光束與物質間的相互作用, 來激發各種物理信息, 對這些信息收集、放大、再成像以達到對物質微觀形貌表征的目的...
掃描式電子顯微鏡是一種用於材料科學、紡織科學技術領域的分析儀器,於2016年10月28日啟用。技術指標 放大倍數:5-300000倍;解析度:高真空:3nm(30KV)/8nm(3KV)/15nm(1KV) 低真空:4.0nm(30KV) ;電子槍:全自動,亦可手動調整...
掃描式電子顯微鏡系統 掃描式電子顯微鏡系統是一種用於物理學、化學、材料科學、化學工程領域的分析儀器,於2011年3月10日啟用。技術指標 放大倍數30-300000,解析度3nm。主要功能 對材料進行微觀形貌分析。
STEM技術要求較高,要非常高的真空度,並且電子學系統比TEM和SEM都要複雜。來源 掃描透射電子顯微鏡是指透射電子顯微鏡中有掃描附屬檔案者,尤其是指採用場發射電子槍作成的掃描透射電子顯微鏡。掃描透射電子顯微分析是綜合了掃描和普通透射電子...
JEOL掃描式電子顯微鏡是一種用於機械工程領域的分析儀器,於2018年7月13日啟用。技術指標 高真空解析度 3.0nm in SEI (二次電子圖像)|JSM-IT300 解析度高真空模式 3.0 nm (30 kV) 8.0nm(3.0 kV) 15.0 nm(1.0 kV) ...
掃描式測試電子顯微鏡是一種用於電子與通信技術領域的分析儀器,於2017年1月17日啟用。技術指標 放大倍率:25~19000(LEI模態) 100~65000(SEI模態) ,可觀測範圍:x:0~70mm; y:0~50mm z::1.5~25mm。主要功能 1) EDX/Material ...
電子顯微鏡按結構和用途可分為透射式電子顯微鏡、掃描式電子顯微鏡、反射式電子顯微鏡和發射式電子顯微鏡等。透射式電子顯微鏡常用於觀察那些用普通顯微鏡所不能分辨的細微物質結構;掃描式電子顯微鏡主要用於觀察固體表面的形貌,也能與X射線...
台式掃描式電子顯微鏡是一種用於生物學領域的分析儀器,於2017年06月15日啟用。技術指標 1.放大倍率:內置集成彩色光學顯微鏡,光學放大 20-135倍 電子放大 130,000倍(非數字放大) *2.背散射電子探測器解析度: 優於14nm *3.加速...
掃描式電子顯微鏡/掃描探針顯微鏡是一種用於化學領域的分析儀器,於2006年12月1日啟用。技術指標 XY方向解析度為0.2nm,Z方向為0.01nm,最大掃描範圍150*150um。主要功能 利用針尖與樣品表面原子間的微弱作用來作為反饋信號,維持針尖與...
環境掃描式電子顯微鏡是一種用於物理學、地球科學、材料科學領域的分析儀器,於2003年01月15日啟用。技術指標 解析度:3.5nm(30kv,高真空模式);放大倍率:5~200000倍 加速電壓:30KV 樣品最大尺寸:X=50mm,Y=50mm,Z=50mm ...
掃描型電子顯微鏡是一種用於生物學領域的分析儀器,於2017年7月14日啟用。技術指標 第四代 Phenom Pro 是一款使用高亮度 CeB6 燈絲的高解析度台式掃描電鏡。觀察納米或者亞微米樣品的微觀結構,放大倍數要求可達130,000 倍。基於新一代高...
多功能掃描式電子顯微鏡 多功能掃描式電子顯微鏡是一種用於農學、林學、材料科學領域的分析儀器,於2012年12月07日啟用。技術指標 1.加速電壓:200V~30kV;2.放大倍數:6~100萬倍,誤差 主要功能 放大倍數;解析度。
掃描式透射電子顯微鏡(scanning transmission electron microscope)使用高亮度的冷電子光源,匯聚成極細的電子探針後對樣品進行掃描,然後收集穿過樣品的電子,同時在樣品正方裝有電子能量分析器。這種電鏡既能觀察較厚、不染色的生物樣品,又...
場發射掃描式電子顯微鏡 場發射掃描式電子顯微鏡是一種用於能源科學技術領域的分析儀器,於2009年6月1日啟用。技術指標 加速電壓:200V~30KV。主要功能 固體物質表面形貌與成分分析。
分析掃描電子顯微鏡 分析掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2015年9月17日啟用。技術指標 加速電壓:5~30KV;樣品大小:80mm;解析度:5nm。主要功能 用於觀察樣品表層結構。
掃描式電子顯微鏡-X射線能譜儀是一種用於物理學、化學、材料科學領域的分析儀器,於2010年3月17日啟用。技術指標 硬體:倍率:15~100000,觀察範圍:9(H)×7(V)mm~1.3(H)×1(V)mm,解析度:8nm,觀察兩次電子圖像和反射電子...
分析型掃描電子顯微鏡 分析型掃描電子顯微鏡是一種用於電子與通信技術領域的分析儀器,於2012年09月10日啟用。技術指標 放大倍數:5倍~30萬倍。主要功能 觀測樣品的表面、切面、斷面結構。
掃描電子顯微鏡法(scanning electron microscopy)是2015年公布的計量學名詞。定義 用聚焦的電子束轟擊樣品,以獲取次級電子、背散射電子、透射電子、樣品電流、束感生電流、特徵 X 射線、俄歇電子以及不同能量的光子的信號,採用其成像電子...
掃描電子顯微鏡系統是一種用於物理學、材料科學領域的分析儀器,於2015年10月26日啟用。技術指標 解析度:3.0nm@30KV(SE and W),4.0nm@30KV(VP with BSD)。主要功能 觀察掃描各種金屬材料及產品的顯微形貌,可進行失效分析,能譜...
高解析度掃描電子顯微鏡是一種用於化學、地球科學、生物學、材料科學領域的分析儀器,於2013年1月8日啟用。技術指標 ① 加速電壓:0.1~30 kV ② 觀測倍率:20~1,200,000 ③ 二次電子解析度:1.0nm(加速電壓15kV),1.3nm(...
掃描電子顯微鏡EVO LS 10 掃描電子顯微鏡EVO LS 10是一種用於生物學學科領域的顯微鏡及圖象分析儀器,於2016年10月19日啟用。分析項目 樣品表面形貌掃描。分析標準 遺傳-雷射掃描共聚焦顯微鏡樣品的標準。
高分辨場發射掃描電子顯微鏡系統是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2018年12月21日啟用。技術指標 二次電子解析度≤0.6nm(15kV);二次電子解析度≤0.9nm(1kV)。主要功能 圖像解析度高放大倍率大、對樣品沒有損傷、試樣製備簡單、...
JEOL掃描電子顯微鏡是一種用於生物學、物理學、化學、基礎醫學領域的分析儀器,於2019年7月6日啟用。技術指標 電子光學系統 二次電子解析度 3.0nm@30kV;8.0nm@3kV;15nm@1kV(鎢燈絲) 2.0nm@30kV;6.0nm@3kV;9nm@1kV(六硼化...
掃描電子顯微鏡及電子能譜儀是一種用於材料科學、礦山工程技術、冶金工程技術領域的分析儀器,於2015年5月8日啟用。技術指標 掃描電鏡設備主要技術參數:1、解析度:二次電子(SE)像解析度在高真空時:30kV時優於3.0nm,3kV時優於10....
這台顯微鏡的基本設計仍然在今天的現代顯微鏡中使用。第一次關於電子顯微鏡的國際會議於1942年在代爾夫特舉行,參加者超過100人。隨後的會議包括1950年的巴黎會議和1954年的倫敦會議。隨著TEM的發展,相應的掃描透射電子顯微鏡技術被重新研究...
掃描電子顯微鏡-能譜儀是一種用於物理學、化學、生物學、冶金工程技術領域的分析儀器,於2009年8月31日啟用。技術指標 二次電子像解析度:1.0nm(15kv);1.4nm(1kv,減速模式);2.0nm (1kV)普通模式;加速電壓:0.5 ~ 30kV;...
筆者以德國蔡司ULTRA PLUS掃描電子顯微鏡為例,從環境條件、光學系統、真空系統及附屬檔案設施4個方面總結了熱場發射掃描電子顯微鏡運行狀態的幾種檢查方法和維護保養經驗,並結合故障實例進行了分析 [1] 。
高低真空掃描分析電子顯微鏡是一種用於材料科學、化學領域的分析儀器,於2005年8月15日啟用。技術指標 高真空解析度:3.0nm in SEI、4.0nm in BEI;低真空解析度:4.0nm in BEI;放大倍數:x8-x300000;加速電壓:0.5~30kV;...
掃描式電子顯微鏡及運費是一種用於化學、材料科學、冶金工程技術、物理學領域的分析儀器,於2011年5月31日啟用。技術指標 解析度:3.0nm(30kV);2.0nm(30kV);4.5nm(30kV)加速電壓:0.2-30kV放大倍數:5-1,000,000X射線...