掃描式電子顯微鏡系統是一種用於物理學、化學、材料科學、化學工程領域的分析儀器,於2011年3月10日啟用。
基本介紹
- 中文名:掃描式電子顯微鏡系統
- 產地:日本
- 學科領域:物理學、化學、材料科學、化學工程
- 啟用日期:2011年3月10日
- 所屬類別:分析儀器 > 電子光學儀器 > 掃描電鏡
掃描式電子顯微鏡系統是一種用於物理學、化學、材料科學、化學工程領域的分析儀器,於2011年3月10日啟用。
掃描式電子顯微鏡是一種用於材料科學、紡織科學技術領域的分析儀器,於2016年10月28日啟用。技術指標 放大倍數:5-300000倍;解析度:高真空:3nm(30KV)/8nm(3KV)/15nm(1KV) 低真空:4.0nm(30KV) ;電子槍:全自動,亦可手動調整...
掃描電子顯微鏡系統是一種用於物理學、材料科學領域的分析儀器,於2015年10月26日啟用。技術指標 解析度:3.0nm@30KV(SE and W),4.0nm@30KV(VP with BSD)。主要功能 觀察掃描各種金屬材料及產品的顯微形貌,可進行失效分析,能譜...
電子顯微鏡按結構和用途可分為透射式電子顯微鏡、掃描式電子顯微鏡、反射式電子顯微鏡和發射式電子顯微鏡等。透射式電子顯微鏡常用於觀察那些用普通顯微鏡所不能分辨的細微物質結構;掃描式電子顯微鏡主要用於觀察固體表面的形貌,也能與X射線...
以ULTRAPLUS掃描電子顯微鏡為例,環境條件要求如下:溫度保持在21~25℃,相對濕度小於65%,磁場強度小於3×10T,噪聲強度小於65dB,獨立地線的接地電阻小於0.1Ω。檢查光學系統 電子光學系統是由電子槍、電磁透鏡、掃描線圈組成的,也是...
場發射序列掃描電子顯微鏡系統是一種用於基礎醫學領域的分析儀器,於2017年12月4日啟用。技術指標 1kV解析度小於1.3nm,30kV解析度小於1nm。具有多能量電子成像功能,配合內置切片機和專用探測器實現樣品三維空間的超高對比度和極高解析度成像...
雙束場發射掃描電子顯微鏡系統是一種用於生物學、材料科學、化學工程領域的分析儀器,於2011年12月27日啟用。技術指標 1、場發射槍 2、FIB最大束流20nA,SEM解析度1.1nm@20kv,FIB解析度2.5nm@30kv 3、具有Pt氣體沉積系統。主要功能...
高分辨場發射掃描電子顯微鏡系統是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2018年12月21日啟用。技術指標 二次電子解析度≤0.6nm(15kV);二次電子解析度≤0.9nm(1kV)。主要功能 圖像解析度高放大倍率大、對樣品沒有損傷、試樣製備簡單、...
微納操縱及原位光電分析掃描電子顯微鏡系統是一種用於材料科學、機械工程領域的分析儀器,於2015年11月25日啟用。技術指標 高真空模式:30kV時優於1.0nm(SE),1kV時優於3.0nm(SE),30kV時優於2.5nm(BSE);;低真空模式:...
隨著我國經濟的迅速發展,高校、科研單位、企業等大量引進了場發射掃描電子顯微鏡。但是在掃描電子顯微鏡的使用過程中,特別是在安裝初期,使用者通常由於對電鏡的運行狀態缺乏系統認識,經常會遇到軟體當機、樣品台被卡、真空問題等多種故障。
場發射掃描電子顯微鏡分析系統成分探測系統是一種用於化學領域的科學儀器,於2017年9月26日啟用。技術指標 解析度:二次電子(SE)像,高真空模式:15kV時≤1.0 nm;1kV時≤1.4 nm。主要功能 用於材料表面微觀形貌觀察。