連續鍍膜設備(continuous coating plant)是2013年公布的機械工程名詞。
基本介紹
- 中文名:連續鍍膜設備
- 外文名:continuous coating plant
- 所屬學科:機械工程
- 公布時間:2013年
連續鍍膜設備(continuous coating plant)是2013年公布的機械工程名詞。
連續鍍膜設備(continuous coating plant)是2013年公布的機械工程名詞。定義被鍍膜物件(單件或帶材)連續地從大氣壓經過壓力梯段進入到一個或數個鍍膜室,再經過相應的壓力梯段,繼續離開設備的鍍膜設備。...
中試用連續真空鍍膜設備是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2018年12月3日啟用。技術指標 反應腔尺寸Φ5500*500mm, 反應腔升降行程400mm,工作檯尺寸240*420mm,工作檯升降行程≧100mm,氣壓調節範圍1000-10000Pa,熱絲加熱功率0-33KW...
① 檢查真空鍍膜機各操作控制開關是否在"關"位置。② 打開總電源開關,設備送電。③ 低壓閥拉出。開充氣閥,聽不到氣流聲後,啟動升鐘罩閥,鐘罩升起。④ 安裝固定鎢螺旋加熱子。把PVDF薄膜和鋁蓋板固定在轉動圓盤上。把鋁絲穿放在...
浸漬提拉鍍膜機又稱垂直提拉機,是一款專門為液相製備薄膜材料而設計的精密儀器,可在不同液體中浸漬提拉生長薄膜。提拉速度、提拉高度、浸漬時間、鍍膜次數(多次多層鍍膜)、鍍膜間隔時間均連續可調;對鍍膜基質無特殊要求,運行穩定,可極...
以及絕緣的氧化物、陶瓷等物質的最薄可達納米層厚的薄膜,其操作簡便,穩定性好。是我院多個課題組的急需的關鍵設備之一。除滿足我院相關課題組納米薄與納米多層膜製備的需要外,還可滿足我校相關院所納米薄膜與納米多層膜製備的需求。
真空電子束鍍膜機是一種用於信息與系統科學相關工程與技術領域的工藝試驗儀器,於2018年3月6日啟用。技術指標 極限真空度:2.0×10-6Pa; 陽極電壓:6KV;束流範圍:0-750mA;啟動真空度:6.7×10-3Pa。主要功能 採用E型電子槍...
磁控離子束複合鍍膜設備是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2009年10月9日啟用。技術指標 極限真空:系統經48小時連續烘烤抽氣後,其極限真空可達≤6.6×10-6Pa(5×10-8Torr)。 系統抽速:從大氣開始抽氣,在≤30分鐘...
PVD離子鍍膜機 PVD離子鍍膜機是一種用於材料科學、機械工程領域的科學儀器,於2014年4月29日啟用。技術指標 最高沉積溫度:500℃; 電弧靶4個,離子源1個, 磁控靶2個,HIPPMIS 1個。主要功能 PVD塗層鍍膜製備。
高真空複合鍍膜設備是一種用於物理學領域的物理性能測試儀器,於2010年07月30日啟用。技術指標 系統極限真空 主要功能 具有磁控濺射、離子束濺射、離子束輔助沉積與清洗功能。可用於製備各種金屬膜 、半導體膜、介質膜以及鐵電薄膜、各類...
多功能離子鍍膜機 多功能離子鍍膜機是一種用於物理學領域的分析儀器,於2008年9月3日啟用。技術指標 電子束電流200A,50V,磁控濺射5A,1000V,陰極電弧200A,60V。主要功能 用於功能薄膜的沉積和材料改性。
真空鍍膜設備,主要指一類需要在較高真空度下進行的鍍膜,具體包括很多種類,包括真空離子蒸發,磁控濺射,MBE分子束外延,PLD雷射濺射沉積等很多種。主要思路是分成蒸發和濺射兩種。書籍 內容簡介 《真空鍍膜設備》詳細介紹了真空鍍膜設備的...
高真空鍍膜機是一種用於物理學、化學領域的工藝試驗儀器,於2013年01月09日啟用。技術指標 腔體內有八個源用來置放不同的材料,並且一次可以對四個樣品進行蒸鍍,同時配置兩個電流源加熱材料,實際蒸鍍時真空可以達到10-7torr。主要...
運用PLC及觸控螢幕實現自動化邏輯程式控制操作,設備結構合理、外觀優雅、性能穩定、操作達到人機對話,簡便,鍍出的膜層牢固且細密,是工業化生產的理想設備,其最大特點是它的環保性,真空鍍膜設備屬於無三廢、無污染的清潔生產設備,無須...
半自動磁控濺射鍍膜機是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2011年4月15日啟用。技術指標 極限真空:濺射室極限真空度≤6.6×10-5Pa (濕度≤55%)進樣室極限真空度≤1.0×10-1Pa,漏氣速率:≤10-9Pa?L/sec; ...
離子束濺射鍍膜機是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2018年12月25日啟用。技術指標 通過改善沉積率和增大批量,系統產量最高可以增加 400% 靶材利用率最高可以增加 300%、減少維護並改善整體擁有成本 專為提高薄膜均勻度而最佳化的...
2020年7月14日,《柔性基底真空鍍膜設備》獲得第二十一屆中國專利獎優秀獎。(概述圖為《柔性基底真空鍍膜設備》摘要附圖)專利背景 真空鍍膜設備已經廣泛地套用在光伏發電領域,尤其對於柔性基底的鍍膜,連續鍍膜磁控濺射卷繞鍍膜機具有鍍膜...
(3)蒸發原子或分子在基片表面張得沉積過程。即是蒸發,凝聚,成核,核生長,形成連續的膜。由於基板溫度遠低於蒸發源溫度,因此,氣態分子在基片表面將發生直接由氣態到固態的相轉變過程。基本構造 本設備有兩個不同用途的蒸發頭:分別...
高真空磁控濺射鍍膜機是一種用於材料科學、電子與通信技術領域的科學儀器,於2013年3月25日啟用。技術指標 設備共有3腔(反濺腔、濺射腔、氧化腔) 8靶 極限真空可達到5*10-6Pa,能進行2英寸晶圓鍍膜。主要功能 可通過直流濺射和...
雷射器腔面鍍膜機 雷射器腔面鍍膜機是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2016年12月05日啟用。技術指標 鍍膜均勻性:卡具上片內均勻性優於+/-0.5%。主要功能 電子束蒸發方法鍍氧化矽、氧化鈦、氧化鋁。
PLD真空鍍膜設備 PLD真空鍍膜設備是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2011年5月17日啟用。技術指標 三個高真空腔室獨立運行,最低真空:10^-7Pa,最高溫度:800℃。主要功能 雷射脈衝沉積方法薄膜沉積。
《金屬化膜、鍍膜機及蒸鍍金屬化膜工藝》是安徽賽福電子有限公司於2012年9月4日申請的專利,該專利申請號:2012103218555,專利公布號:CN102796985A,專利公布日:2012年11月28日,發明人是:周峰、曹駿驊。《金屬化膜、鍍膜機及蒸鍍...
高真空雙室鍍膜設備是一種用於物理學、材料科學、能源科學技術領域的工藝試驗儀器,於2007年7月1日啟用。技術指標 1. 極限真空1×10-5pa; 2. 工作真空5×10-4pa,恢復工作真空時間30~40分鐘(充氮氣); 3. 基片原位退頭(~800℃...
多弧刀具鍍膜設備是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年07月16日啟用。技術指標 腔體結構: 立式前開門,臥式前開門,後置真空獲得系統材質用料: 腔體採用優質SUS304不鏽鋼材質離子弧源: 依據設備大小不同配備多套弧電源系統偏壓...
全自動磁控濺射鍍膜設備 全自動磁控濺射鍍膜設備是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2014年1月1日啟用。技術指標 極限真空度6.7E-5Pa;樣品最高加熱溫度300度。主要功能 用於納米或微米級金屬薄膜的製備。
磁控濺射鍍膜設備是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2008年10月15日啟用。技術指標 抽真空速度(空載):大氣到6.6×10^-4Pa在35分鐘內,極限真空度(空載):系統經烘烤後連續抽氣,真空度≤6.6×10-5Pa,樣品加熱溫度:...
高功率脈衝鍍膜沉積設備一體機是一種用於核科學技術領域的工藝試驗儀器,於2018年12月5日啟用。技術指標 極限真空度:3.0*10-4Pa;陰極電弧:最多2組(4套)4G-CAE(靶材規格100*20);磁控濺射:最多2組(4套)柱狀或者平面;...
二次金屬化磁控濺射鍍膜機 二次金屬化磁控濺射鍍膜機是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年8月21日啟用。技術指標 空載極限真空<8*10-5Pa/公轉速度0-20rpm可調。主要功能 大功率脈衝氙燈研製。