PLD真空鍍膜設備是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2011年5月17日啟用。
基本介紹
- 中文名:PLD真空鍍膜設備
- 產地:中國
- 學科領域:物理學、材料科學
- 啟用日期:2011年5月17日
- 所屬類別:工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備 > 電真空器件工藝實驗設備
技術指標,主要功能,
技術指標
三個高真空腔室獨立運行,最低真空:10^-7Pa,最高溫度:800℃。
主要功能
雷射脈衝沉積方法薄膜沉積。
PLD真空鍍膜設備是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2011年5月17日啟用。
PLD真空鍍膜設備是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2011年5月17日啟用。技術指標三個高真空腔室獨立運行,最低真空:10^-7Pa,最高溫度:800℃。1主要功能雷射脈衝沉積方法薄膜沉積。1...
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