冷場發射電子顯微鏡是一種用於化學領域的電子測量儀器,於2012年8月21日啟用。
基本介紹
- 中文名:冷場發射電子顯微鏡
- 產地:日本
- 學科領域:化學
- 啟用日期:2012年8月21日
- 所屬類別:電子測量儀器
冷場發射電子顯微鏡是一種用於化學領域的電子測量儀器,於2012年8月21日啟用。
冷場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2011年5月1日啟用。技術指標 解析度:1.0nm (15KV), 1.4 nm (1KV) 放大倍數:25-100萬倍加速電壓:0.1KV-30KV 束流強度:10-13-2x10-9。主要附屬檔案:牛津儀器INCA ...
冷場發射電子顯微鏡 冷場發射電子顯微鏡是一種用於化學領域的電子測量儀器,於2012年8月21日啟用。技術指標 加速電壓:0.1~30kV 觀測倍率:20~800000倍。主要功能 形貌觀察;能譜分析;明場暗場像。
冷場發射掃描電鏡是一種用於材料科學、化學領域的分析儀器,於2010年1月15日啟用。技術指標 辨率:1.0nm (15kV),2.0nm (1kV),1.4nm(1KV)入射電子減速功能;放大倍率:×20 ~ ×800,000;加速電壓:0.5 ~ 30kV;X射線能譜儀...
冷凍場發射透射電子顯微鏡是一種用於基礎醫學、預防醫學與公共衛生學領域的電子測量儀器,於2016年6月3日啟用。技術指標 指標:1、冷凍透射電子顯微鏡: 點解析度:≤ 0.30nm。高襯度極靴類型,適合生物樣品觀察。 加速電壓:60kV - 200...
冷場發射掃描式電子顯微鏡是一種用於化學、材料科學、冶金工程技術、物理學領域的分析儀器,於2015年3月31日啟用。技術指標 本台場發射電鏡適用於常溫下觀測非磁性、無揮發導電材料,不導電材料可噴鍍導電層之後觀測。25倍到65萬倍連續...
冷凍場發射掃描電子顯微鏡是一種用於化學、生物學、材料科學領域的分析儀器,於2018年12月20日啟用。技術指標 1.解析度: ≤0.6 nm@15 keV (二次電子),≤1.1 nm@1 keV,≤1.2 nm@500 eV(二次電子,無需減速模式); 2...
冷場發射式掃描電鏡 冷場發射式掃描電鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2010年9月29日啟用。技術指標 二次電子解析度:1.0nm(15KV)。主要功能 所有固體材料的分析與觀察。
高分辨冷場發射掃描電子顯微鏡是一種用於藥學領域的分析儀器,於2013年11月27日啟用。技術指標 解析度 、放大倍數 、加速電壓、傾斜角。主要功能 具備超高分辨掃描圖像觀察能力,尤其是採用最新數位化圖像處理技術,提供高倍數、高分辨掃描...
筆者以德國蔡司ULTRA PLUS掃描電子顯微鏡為例,從環境條件、光學系統、真空系統及附屬檔案設施4個方面總結了熱場發射掃描電子顯微鏡運行狀態的幾種檢查方法和維護保養經驗,並結合故障實例進行了分析 [1] 。
冷場發射槍雙球差校正透射電子顯微鏡 冷場發射槍雙球差校正透射電子顯微鏡是一種用於物理學、材料科學領域的分析儀器,於2012年12月14日啟用。技術指標 解析度0.078nm。主要功能 材料微結構分析。
冷場場發射掃描電子顯微鏡是一種用於物理學、化學、生物學、材料科學領域的分析儀器,於2017年3月22日啟用。技術指標 解析度 1.0nm @ 15kV,能譜解析度133eV(Mn Ka),分析元素B(5)-- U(92)。主要功能 本儀器具有高的解析度,...
3、電子槍:冷場發射電子槍;電子束流:≥1 pA,且連續可變。 4、對中:自動;聚焦:自動聚焦、帶有手動聚焦;像散:自動,帶有手動控制調節。 5、物鏡光欄:內外加熱自清潔式,四孔,可移動物鏡光欄。 6、樣品台:5軸自動馬達驅...
場發射電子顯微鏡系統是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2015年12月24日啟用。技術指標 200KV場發射透射電子顯微鏡,配備聚光鏡球差校正系統,能譜分析,STEM功能等。主要功能 解析度達原子水平的形貌分析;結合EDS,可做元素的線掃、面...
超高分辨場發射掃描電子顯微鏡是一種用於能源科學技術、航空、航天科學技術、考古學領域的分析儀器,於2014年9月1日啟用。技術指標 次電子圖像分率:1.0 nm(加速電壓 15 kV, WD=4 mm) 1.3 nm(著陸電壓 1 kV, WD=1.5 mm) ...
300kV場發射冷凍透射電子顯微鏡是一種用於藥學領域的分析儀器,於2018年4月30日啟用。技術指標 新一代300kV場發射冷凍透射電鏡,加速電壓 80-300 kV,配有場發射電子槍(X-FEG)及三級聚光鏡系統 Autoloader自動進樣系統可一次性裝載儲...
高分辨場發射電子顯微鏡 高分辨場發射電子顯微鏡是一種用於化學領域的分析儀器,於2014年10月1日啟用。技術指標 解析度1.0nm(15kV,4mm)。主要功能 形貌觀察。
主要用途: Quanta 200 FEG場發射環境掃描電子顯微鏡綜合場發射電鏡高分辨和ESEM環境掃描電鏡適合樣品多樣性的優勢中文名 場發射環境掃描電子顯微鏡 主要用途 Quanta 200 儀器類別 台式掃描電子顯微鏡 指標信息 場發射環境掃描電子顯微鏡...
場發射透射電子顯微鏡系統是一種用於物理學、化學、材料科學、電子與通信技術領域的分析儀器,於2007年5月4日啟用。技術指標 TEM形貌像,HRTEM晶格像;選區電子衍射花樣SED,STEM(HAADF)掃描透射像,微區成分分析(點、線、面) 點...
場發射高分辨電子顯微鏡是一種用於物理學、材料科學領域的分析儀器,於2005年8月6日啟用。技術指標 性能指標:點解析度0.19 nm,線解析度0.14 nm,EELS能量譜解析度0.7 eV,EDS能量解析度136 eV。主要功能 固體材料結構和成分分析。
場發射透射式電子顯微鏡是一種用於物理學、化學、藥學、材料科學領域的分析儀器,於2005年3月11日啟用。技術指標 Schottky場發射槍;加速電壓範圍:50kV-200kV;TEM放大倍數:25x-1000,000x;點解析度:0.24nm;線解析度:0.10nm;...
熱場發射電子顯微鏡 熱場發射電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2013年3月6日啟用。技術指標 1.0 nm @ 20 kV @ WD = 2 mm, 0.1 - 30 kV。主要功能 材料組織形貌,微區成分。
熱場發射透射電子顯微鏡是一種用於生物學、材料科學、化學工程領域的分析儀器,於2009年12月20日啟用。技術指標 加速電壓:200kv;電子槍:場發射;信息解析度:<0.14nm ;點解析度:主要功能 對材料內部微觀結構,組織成分,晶格,顆粒...
雙束場發射電子顯微鏡是一種用於機械工程領域的分析儀器,於2014年7月11日啟用。技術指標 場發射電子槍,電子束加速電壓:350 V - 30 kV;Ga離子槍,離子束加速電壓:500 V C 30 kV;解析度:0.8 nm (@30kV, STEM),0.9 nm...
儀器類別: 03040701 /儀器儀表 /光學儀器 /電子光學及離子光學儀器 /透射式電子顯微鏡 指標信息: 具有高相干性、高亮度的場發射槍 最大傾轉角:X=±35°,Y=±30° 加速電壓:200kV、160kV、100kV、80kV 點解析度:0.23nm EDS...
熱場發射掃面電子顯微鏡是一種用於土木建築工程、機械工程、物理學領域的分析儀器,於2013年06月01日啟用。技術指標 二次電子圖象解析度:1.0nm(15KV.WD=4.0mm)1.6nm(1KV.WD=1.5mm,減模.5nm1KV.WD=1.5mm)放大倍數:低放大...
熱場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2018年12月20日啟用。技術指標 1.具有高分辨能力的半浸沒式物鏡(Semi-in-lens) 半浸沒式物鏡能將電子束收縮的很細,即使在低加速電壓下也能實現高分辨。 2.採用GENTLE...
200KV場發射電子顯微鏡是一種用於數學領域的計量儀器,於2017年7月1日啟用。技術指標 1. 燈絲類型:ZrO/W (100) Schottky field emission gun (S-FEG)2. 物鏡類型:C-Twin3. 點解析度:0.3nm4. 信息分辨極限:0.23nm5. 加速...
熱場發射掃描式電子顯微鏡是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2012年12月3日啟用。技術指標 電壓1KV-30KV,樣品高度不能超過3.5cm,長寬不超過5cm.。主要功能 由於掃描電子顯微鏡可用多種物理信號對樣品進行綜合分析,並具有...
二次電子解析度:1.0 nm (15 kv,WD = 4 mm ) 1.4 nm (1 kv,WD = 1.5 mm ,減速模式) 2.0 nm (1kv,WD = 1.5 mm,普通模式) 電子槍:冷場發射電子源 加速電壓:0.5 kv - 30 kv 放大倍率:20倍 – ...
高解析度場發射掃描電子顯微鏡 高解析度場發射掃描電子顯微鏡是一種用於物理學領域的分析儀器,於2010年6月15日啟用。技術指標 解析度優於10nm。主要功能 分析材料的表面形貌。