冷場發射掃描電鏡是一種用於材料科學、化學領域的分析儀器，於2010年1月15日啟用。
冷場發射式掃描電鏡 冷場發射式掃描電鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2010年9月29日啟用。技術指標 二次電子解析度：1.0nm(15KV)。主要功能 所有固體材料的分析與觀察。
解決方式一般為請維修工程師上門維修,除花費時間和費用外,也造成了對電鏡操作者的心裡束縛。筆者以德國蔡司ULTRA PLUS掃描電子顯微鏡為例,從環境條件、光學系統、真空系統及附屬檔案設施4個方面總結了熱場發射掃描電子顯微鏡運行狀態的幾種檢查...
冷場發射掃描電鏡是一種用於材料科學、化學領域的分析儀器，於2010年1月15日啟用。技術指標 辨率：1.0nm (15kV),2.0nm (1kV),1.4nm(1KV)入射電子減速功能;放大倍率：×20 ~ ×800,000;加速電壓：0.5 ~ 30kV;X射線能譜儀...
冷場發射電子顯微鏡 冷場發射電子顯微鏡是一種用於化學領域的電子測量儀器，於2012年8月21日啟用。技術指標 加速電壓：0.1~30kV 觀測倍率：20~800000倍。主要功能 形貌觀察；能譜分析；明場暗場像。
超高分辨冷場發射掃描電鏡是一種用於化學、生物學、環境科學技術及資源科學技術領域的分析儀器，於2019年10月11日啟用。技術指標 1、二次電子解析度：≥1.0nm (加速電壓15kV)、≥2.0nm (加速電壓1kV)、≥1.3nm (照射電壓1kV，使用...
解決方式一般為請維修工程師上門維修，除花費時間和費用外，也造成了對電鏡操作者的心裡束縛。筆者以德國蔡司ULTRA PLUS掃描電子顯微鏡為例，從環境條件、光學系統、真空系統及附屬檔案設施4個方面總結了熱場發射掃描電子顯微鏡運行狀態的幾種...
冷場場發射掃描電子顯微鏡是一種用於物理學、化學、生物學、材料科學領域的分析儀器，於2017年3月22日啟用。技術指標 解析度 1.0nm @ 15kV,能譜解析度133eV(Mn Ka),分析元素B（5）-- U（92）。主要功能 本儀器具有高的解析度，...
熱場發射掃描電鏡是一種用於物理學、材料科學、能源科學技術領域的分析儀器，於2012年10月22日啟用。技術指標 1.放大倍數：35—90萬倍；2.解析度：工作電壓15kV時解析度為1.0nm3.加速電壓：0.2Kv—30Kv;4.能譜：探測元素範圍B5-U92...
儀器類別： 0304070201 /儀器儀表 /光學儀器 /電子光學及離子光學儀器 /掃描式電子顯微鏡 指標信息： 二次電子成像，背散射成像，陰極螢光成像；解析度：高真空：30KV時，為1.5nm； 1KV時，為3nm； X射線能譜分析：元素分析範圍B－U...
肖特基場發射掃描電鏡是一種用於化學領域的分析儀器，於2018年4月3日啟用。技術指標 1.電子光學系統 電子槍：肖特基熱場發射電子槍 2.真空系統 全自動真空系統，完全氣動閥自動控制 3.樣品室 樣品室：內外紅外CCD相機 4.探測器系統 ...
場發射掃描電鏡系統 場發射掃描電鏡系統是一種用於機械工程領域的分析儀器，於2013年11月13日啟用。技術指標 場發射掃描電鏡，配有能譜儀、熱台。最大放大倍數可達30萬倍。主要功能 表面形貌、成分測試。
熱場發射掃描電鏡系統是一種用於地球科學領域的分析儀器，於2017年11月28日啟用。技術指標 熱場發射掃描電鏡二次電子像解析度：0.8nm@15KV、1.6nm@1KV，Schottky型場發射電子源，掃描透射像探測器，帶能譜儀、EBSD、冷台、臨界點乾燥...
場發射掃描電鏡及附屬設備 場發射掃描電鏡及附屬設備是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2012年12月1日啟用。技術指標 SM--76000BU。主要功能 科研用，測試樣品各項參數。
ZEISS的場發射掃描電鏡全部採用新一代專利鏡筒(GEMINI)設計，具有優良的高、低加速電壓性能。創新的InLens設計是目前世界上唯一真正的內置鏡筒電子束光路上二次電子探測器，具有最佳的靈敏度和最高的接收效率，而且只接收來自樣品表面的二次...
超高分辨熱場發射掃描電鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2013年9月10日啟用。技術指標 加速電壓0.3-30kV，解析度1nm，放大倍數18倍至30萬倍連續可調，成像信號：二次電子、背散射電子和特徵X射線。主要功能 固體物質表面形貌觀察...
台式場發射掃描電鏡是一種用於力學、材料科學領域的分析儀器，於2015年12月17日啟用。技術指標 電子束工作電壓：500—2000V；電子束電流：0.2—1nA；解析度：電子束工作電壓1Kv時 主要功能 一種微觀性貌觀察手段，可直接利用樣品表面...
場發射環境掃描電鏡及能譜儀是一種用於材料科學、土木建築工程、水利工程、化學工程領域的分析儀器，於2011年12月27日啟用。技術指標 分高真空、高真空下減速模式、低真空、環境真空模式，最高解析度≤1.0nm。 最大放大倍數不得少於X...
超高分辨場發射掃描電鏡 超高分辨場發射掃描電鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2019年12月12日啟用。技術指標 放大範圍：12X-2000000X，連續可調，加速電壓範圍：20V-30KV，0.7nm@15KV,1.2nm@1KV。主要功能 超高分辨成像。
日立場發射掃描電鏡是一種用於化學、生物學領域的分析儀器，於2012年7月19日啟用。技術指標 理論放大值為八十萬倍。主要功能 採用了新型 ExB 式探測器和電子束減速功能, 提高了圖象質量(15 kV 下解析度 1 nm) ， 尤其是將低加速...
高解析度場發射掃描電鏡 高解析度場發射掃描電鏡是一種用於物理學、化學領域的分析儀器，於2016年12月20日啟用。技術指標 解析度：1.0nm（加速電壓15KV）；2nm（加速電壓1KV）。主要功能 形貌觀察、微區分析。
高分辨分析型場發射掃描電鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2018年7月12日啟用。技術指標 加速電壓80，100，120，160，200 kV 點解析度：0.194 nm 線解析度：0.14 nm 放大倍數：1,500,000倍。主要功能 微觀組織分析。
熱場發射環境掃描電鏡是一種用於物理學、化學、材料科學、生物學領域的分析儀器，於2005年9月15日啟用。技術指標 Quanta 400 FEG場發射掃描電子顯微鏡是表面分析重要的表征工具之一，具有靈活先進的自動化作業系統。具有三種成像真空模式--...
